内存颗粒的编码区分

LGS内存编号的辨认

 

LGS GM72V16821CT10K

LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi
　　 其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns［133MHz］，8=8ns［125MHz］，7K=10ns［PC-100 CL2或3］ ，7J=10ns［100MHz］，10K=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=15ns［66MHz］）。
　　 例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

如LGS GM72V16821CT10K就应该是16Mbit/8*16=32Mbyte。

 

hynix内存编号的辨认

2007-08-24 15:10

编号：RME860H28C5T-333
频率：PC2700-2533
芯片：HY 现代
DDR 256M 333 单面 8个芯片
颗粒：HY5DU56822DT-J


hyuix 425P
芯片型号:HY5DU56822DT-J
KOREA
可以分开这么看 HY 5D U 56 8 2 2 DT-J

颗粒编号解释如下：

1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）
3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）
6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））
12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））

制造地是韩国

HYUNDAI内存编号的辨认

2007-08-24 16:23

1.SDRAM内存(老版本)

第1字段由HY组成，代表现代产品。

第2字段代表产品类型，57代表DRAM；5D代表DDR SDRAM。

第3字段代表电压，V代表3.3V；U代表2.5V。

第4字段代表密度和刷新，4代表4MB(1K刷新)；16代表16M(4K刷新)；64代表64M(8K刷新)；65代表64M(4K刷新)；128代表128M(8K刷新)；129代表128M(4K刷新)；257代表256MB(8K刷新)。

第5字段代表数据带宽，40代表4位；80代表8位；16代表16位；32代表32位。

第6字段代表芯片组成，1代表2BANK；2代表4BANK。

第7字段代表电气接口，0代表LVTTL；1代表SSTL；2代表SSTL2。

第8字段代表芯片修正版本；空白代表第1版，A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版；D代表第5版。

第9字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。

第10字段代表封装方式；JC代表400mil SOJ；TC代表400mil TSOP Ⅱ、TD代表13mm TSOP-II、TG代表16mm TSOP-Ⅱ；TQ代表100Pin TQFPI。

第11字段代表内存的速度，5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz)；6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz)；10P代表10ns(100MHz@CL=2或3)；10S代表10ns(100MHz@CL=3)；10代表10ns(100MHz)；12代表12ns(83MHz)；15代表15ns(66MHz)。



2.SDRAM内存(新版本)

第1字段由HY组成，代表现代产品。

第2字段代表产品类型，57代表SDRAM。

第3字段代表电压，V代表3.3V。

第4字段代表密度和刷新，64代表64M(4K刷新)；65代表64M(8K刷新)；28代表128M(4K刷新)；56代表256M(8K刷新)。

第5字段代表数据带宽，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。

第6字段代表芯片组成，1代表2BANK；2代表4BANK。

第7字段代表意义不详，一般为0。

第8字段代表电气接口，0代表LVTTL；1代表SSTL_3。

第9字段代表芯片修正版本；空白或H代表第1版，A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。

第10字段代表封装方式；T代表TSOP；Q代表TQFP；I代表BLP；L代表CSP(LF-CSP)。

第11字段代表内存的速度，5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz)；6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；K代表7.5ns(PC133@CL=2)；H代表7.5ns(PC133 @CL=3)；8代表8ns(125MHz)；P代表10ns(PC100@CL=2)；S代表10ns(PC100@CL=3)；10代表10ns(100MHz)。

KingMax内存编号的辨认

2007-08-24 16:24

第1字段由KM组成，代表KingMax内存产品。

第2字段代表内存种类，P代表FPM DRAM；E代表EDO DRAM；S代表SDRAM。

第3字段代表适用的电压，V代表3.3V；C代表5V。

第4字段代表内存芯片的组成，28代表2M×8；44代表4M×4；46代表4M×16；88代表8M×8；A4代表16M×4。

第5字段代表刷新，1代表1K；2代表2K；4代表4K；8代表8K。

第6字段代表封装方式，T代表TinyBGA；C代表TureCSP。

第7字段代表芯片组成，0代表单Bank；2代表2Bank；4代表4Bank。

第8字段代表芯片的供应厂商。

第9字段代表芯片的速度。

第10字段代表测试级，A代表AdvantestT5581H；B代表CSTEureka；C代表T5581H+Burn-in。

第11字段代表内存的速度，10代表10ns；8代表8ns；7代表7ns。