SDRAM

1、SDRAM RAS-to-CAS Delay（内存行地址控制器到列地址控制器延迟）
选项：2、3
RAS （Row Address Strobe，行地址控制器）到CAS（Column Address Strobe，列地址控制器）之间的延迟时间。在SDRAM进行读、写、删新时都会出现延迟，减少延迟能够提高性能，反之则降低性能。如果你的内存速度够快，尽量使用“2”。在超频的时候，选择“3”会让系统更稳定，增加OC成功率。
2、SDRAM RAS Precharge Time（SDRAM RAS预充电时间）
选项：2、3
在SDRAM刷新之前，RAS所需的预充电周期数目，减少时间能够提高性能，反之则降低性能。如果你的内存速度够快，尽量使用“2”。在超频的时候，选择“3”会让系统更稳定，增加OC成功率。
3、SDRAM CAS Latency Time/SDRAM Cycle Length（SDRAM CAS等待时间/SDRAM周期长度）
选项：2、3
控制SDRAM在读取或写入之前的时间，单位是CLK（Clock Cycle，时钟周期），减少等待时间能够增加突发传输的性能。如果你的内存速度够快，尽量使用“2”。在超频的时候，选择“3”会让系统更稳定，增加OC成功率。
4、SDRAM Leadoff Command（SDRAM初始命令）
选项：3、4
调节数据存储在SDRAM之前所需的初始化时间，它会影响到突发传输时的第一个数据。如果你的内存速度够快，尽量使用“3”。在超频的时候，选择“4”会让系统更稳定，增加OC成功率。
5、SDRAM Bank Interleave（SDRAM组交错）
选项：2-Bank、4-Bank，Disabled
调整SDRAM的交错模式，让不同组的SDRAM轮流删新和存取，当第一组进行删新时，第二组做存取工作，能够大大提高多组内存协同工作时的性能。
每一个DIMM（Dual In-line Memory Modules，双重内嵌式内存模块）由2组或4组构成，2组SDRAM DIMM使用32Mbit或16Mbit等小容量芯片，4组SDRAM DIMM使用64Mbit或256Mbit等大容量芯片。如果你用的是单条2组SDRAM模块，设置为“2-Bank”，若是4组SDRAM模块，可设置为“2-Bank”或“4-Bank”。当然，4组SDRAM比2组SDRAM要好。另外，Phoenix Technologies的Award BIOS会在采用16Mbit SDRAM时自动关闭交错存取。
6、SDRAM Precharge Control（SDRAM预充电控制）
选项：Enabled，Disabled
Disabled时由CPU发出命令控制SDRAM的预充电时间，增加稳定性的同时会降低性能。Enabled时由SDRAM自己控制预充电时间，节省了CPU到SDRAM控制所花费的时钟周期，提高内存子系统性能。
7、DRAM Data Integrity Mode（DRAM数据完整性模式）
选项：ECC、Non-ECC
ECC（Error Checking and Correction，错误检查修正）模式采用额外的72位内存检查数据的完整性，能够修正1位数据错误，提高系统稳定性，增加超频成功率。如果你没有ECC内存，设置为Non-ECC即可。
8、Read-Around-Write（在写附近读取）
选项：Enabled，Disabled
当处理器做乱序执行工作时，读命令指向的地址为最近写入的内容，提高Cache命中率，建议设为enabled。