Nandflash存储结构和地址分配

以三星的256MB nandflash存储结构介绍：

计算物理地址：0X32F018 (16)

K9F2G08U0C是samsun出产的FLASH，容量为256MB

　　　　页--Page:(2K + 64)Byte

　　　　块--Block:(128K + 4K)Byte

128/ 2 = 64 Page

256M/ 128 K  = 2048 Block

　　　　现在以第25块的30页中的24byte为例

     物理地址 =块大小×块号 +页大小×页号 +页内地址

               = 128K x 25 + 2K x 30 + 24B

              = 3338264(10)

              = 32F018 (16)

计算我们需要发出的地址

（1）每页有2048字节，需要2^11 = 2048,既需要11位地址：A0~A11

（2）  每块有64页，需要2^6 = 64，既需要6位地址

（3）  芯片一共有2048块，需要需要2^11 = 2048,既需要11位地址0x32F018 = 0011 0010 1111 0000 0001 1000

（4）  由上图可得到实际发送的数据

1^st: A7  - A0  =  0001 1000

2^nd:A10  - A8  =  0000 0000  (A11没用到)

3^rd:A19  - A12 =  0010 1111

4^th:A27  - A20 =  0000 0011

5^th:A28 = 0000 0000注：*L需要写入0

总结：块地址（高位地址）+页地址+页内偏移地址（低位地址）

另一篇相关博文参考：http://blog.csdn.net/IT_114/article/details/6259140