STC89C52MCU--基础知识1

STC 89C51系列芯片型号说明

STC 89C52RC 40C-PDIP Date and something else

STC - 产品公司名称

8 - 芯片内核为8051内核芯片

9 - 芯片内部含有2KB Flash EEPROM电可擦除ROM， 如果是0则表示内部含有Mask ROM(掩膜 ROM)存储器，7则表示为EPROM(紫外线可擦除ROM)

C - 器件为CMOS产品； LV或者LE表示为低电压产品，S表示芯片含有可串行下载的Flash 存储器，即具有ISP可在线编程功能

5 - 固定不变

1 - 4KB * Var芯片内部程序存储器的大小

RC - 单片机内部的RAM为512B， RD+表示内部RAM为1280B

40 - 外部晶振最高频率

C - 产品级别，C/I/A/M 分别表明产品级别为商用级别/工业用品/汽车用品/军事用品

DIP - 双列直插式封装方式(Dual in-line Package), 带引线的塑料芯片封装(Plastic Leaded Chip Package), 插针网格阵列封装(Pin Grid Array Package), 球栅阵列封装(Ball Grid Array Package),和塑料方形扁平封装(Quad Flat Package)和塑料扁平组件式封装(Plastic Flat Package). 另外此块板子上面使用的是零插拔力的插座(Zero Insertion Force Socket)

STC 89C52RC引脚分布 

芯片含有40引脚P0, P1, P2 和 P3, XTAL1, XTAL2, VCC, GND, ALE/PROG, RST, EA/Vpp和PSEN

P0无上电阻，P1，P2和P3为准双向I/O口，因为每次使用输入功能时候需要首先写入1，内带上拉电阻，这种接口没有高阻状态，输入也不能锁存，所以不是真正的双向输入输出口。

EA/Vpp: 内外程序存储器的读取，即ROM的扩展

ALE/PROG: RAM的扩展

PSEN: 程序存储器允许输出控制端，读外部存储器的时候PSEN低电平有效，以实现外部存储器单元的读操作。

常见逻辑电平特性

TTL, CMOS 逻辑电平按照典型电压可以分为四类：5V, 3.3V (LVTTL), 2.5V, 1.8V

ECL/PECL和LVDS 是差分输入输出， RS-422/485是查分输入输出， RS-232是单端输入输出

TTL电平临界值

VOHmin = 2.4V, VOLmax = 0.4V

VIHmin = 2.0, VOLmax = 0.8; 

CMOS电平临界值

VOHmin = 4.99V, VOLmax = 0.01V

VIHmin = 3.5, VOLmax = 1.5;

CMOS电平可以驱动TTL电平，但是反向则不可以， 需要添加上拉电阻

驱动芯片74LSTTL输入TTL输出TTL74HCCMOS输入CMOS输出CMOS74HCTCMOS输入TTL输出CMOSCD4000CMOS输入CMOS输出CMOS

C51数据类型扩充定义

51单片机开发中使用特殊功能寄存器头文件reg51.h/reg52.h，此文件含有对特殊功能寄存器的声明；

sfr - 特殊功能能寄存器的功能声明，声明一个8位寄存器

sfr16, sbit 十六位寄存器或者特殊功能寄存器的一位声明

sfr T2 = 0xCC;

sbit T1 = SCON^1; SCON寄存器次低位声明为T2

通常见到的文件还有math.h, ctype.h, stdio.h, stdlib.h, absacc.h 和 intrins.h