STM32 FSMC 外部使用SRAM
来源:互联网 发布:心理量表软件 编辑:程序博客网 时间:2024/05/17 06:59
SRAM是什么:
SRAM是英文Static RAM的缩写,中文名叫静态存储器,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
目前SRAM的品牌主要有ISSI芯成、cypress赛普拉斯、来杨Lyontek、瑞萨renesas、VTI、JSC韩国济州半导体、NETSOL等多种品牌,分为同步SRA、异步SRAM、高速SRAM等各类存储器。
目前SRAM的品牌主要有ISSI芯成、cypress赛普拉斯、来杨Lyontek、瑞萨renesas、VTI、JSC韩国济州半导体、NETSOL等多种品牌,分为同步SRA、异步SRAM、高速SRAM等各类存储器。
SRAM用来做什么:
SRAM相当于单片机的“内存:,而内存是计算机中重要的部件之一,它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的,因此内存的性能对计算机的影响非常大。 内存(Memory)也被称为内存储器,其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据,以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中,CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算,当运算完成后CPU再将结果传送出来,内存的运行也决定了计算机的稳定运行。
SRAM怎么用:
使用STM32的FSMC功能,将SRAM映射为单片机的的内部地址,进行指针操作。
图中 A0~A18为地址线(即2^19=512K,1K=1024);IO0~15 为数据线,总共 16根数据线, CS2和 CS1 都
是片选信号,不过 CS2 是高电平有效CS1是低电平有效; OE 是输出使能信号( 读信号); WE 为写使能信号;
是片选信号,不过 CS2 是高电平有效CS1是低电平有效; OE 是输出使能信号( 读信号); WE 为写使能信号;
UB 和LB分别为高字节控制和低字节控制信号。
(1)FSMC-外部SRAM编程流程分析
1) FSMC 的配置及初始化,使用NE3,也就是SRAM外部基地址为:0x6800 0000。
2) 初始化扩展SRAM的IO引脚,先使能时钟, 将引脚模式设置为复用推挽输出模式,速度为高速。
3) 定义读写缓冲区及它们大小。
4) 编写填充缓冲区函数和两个缓冲区对比函数。
5) 主函数中, 进行数据写入缓冲区测试,然后将数据读出,进行对比。
1) FSMC 的配置及初始化,使用NE3,也就是SRAM外部基地址为:0x6800 0000。
2) 初始化扩展SRAM的IO引脚,先使能时钟, 将引脚模式设置为复用推挽输出模式,速度为高速。
3) 定义读写缓冲区及它们大小。
4) 编写填充缓冲区函数和两个缓冲区对比函数。
5) 主函数中, 进行数据写入缓冲区测试,然后将数据读出,进行对比。
/** ****************************************************************************** * 文件名程: bsp_sram.c * 作 者: 硬石嵌入式开发团队 * 版 本: V1.0 * 编写日期: 2015-10-04 * 功 能: 外部扩展SRAM底层驱动实现 ****************************************************************************** * 说明: * 本例程配套硬石stm32开发板YS-F1Pro使用。 * * 淘宝: * 论坛:http://www.ing10bbs.com * 版权归硬石嵌入式开发团队所有,请勿商用。 ****************************************************************************** *//* 包含头文件 ----------------------------------------------------------------*/#include "bsp/sram/bsp_sram.h"/* 私有类型定义 --------------------------------------------------------------*//* 私有宏定义 ----------------------------------------------------------------*//* 私有变量 ------------------------------------------------------------------*//* 扩展变量 ------------------------------------------------------------------*//* 私有函数原形 --------------------------------------------------------------*//* 函数体 --------------------------------------------------------------------*//** * 函数功能: 初始化外部SRAM * 输入参数: 无 * 返 回 值: 无 * 说 明:无 */void FSMC_SRAM_Init(void){FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readWriteTiming;GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF33; //PORTD复用推挽输出 GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; //复用推挽输出 GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF83; //PORTE复用推挽输出 GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xF03F; //PORTD复用推挽输出 GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0x043F; //PORTD复用推挽输出 GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure); readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00; //地址建立时间(ADDSET)为1个HCLK 1/36M=27nsreadWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00; //地址保持时间(ADDHLD)模式A未用到readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03; //数据保持时间(DATAST)为3个HCLK 4/72M=55ns(对EM的SRAM芯片) readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;// 这里我们使用NE3 ,也就对应BTCR[4],[5]。FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM; //SRAM FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16bit FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;//存储器写使能 FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; // 读写使用相同的时序FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable; FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming; //读写同样时序FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure); //初始化FSMC配置FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE); // 使能BANK3 } /** * 函数功能: 在指定地址开始,连续写入n个字节. * 输入参数: pBuffer:字节指针 * WriteAddr:要写入的地址 * n:要写入的字节数 * 返 回 值: 无 * 说 明:无 */void FSMC_SRAM_WriteBuffer(uint8_t* pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint32_t n){for(;n!=0;n--) { *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer; WriteAddr++; pBuffer++;} }/** * 函数功能: 在指定地址开始,连续读出n个字节. * 输入参数: pBuffer:字节指针 * ReadAddr:要读出的起始地址 * n:要写入的字节数 * 返 回 值: 无 * 说 明:无 */void FSMC_SRAM_ReadBuffer(uint8_t* pBuffer,uint32_t ReadAddr,uint32_t n){for(;n!=0;n--) { *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr); ReadAddr++; } } /** * 函数功能: 测试函数,在指定地址写入1个字节 * 输入参数: addr:地址 * data:要写入的数据 * 返 回 值: 无 * 说 明:无 */void fsmc_sram_test_write(uint8_t data,uint32_t addr){ FSMC_SRAM_WriteBuffer(&data,addr,1);//写入1个字节}/** * 函数功能: 测试函数,读取1个字节 * 输入参数: addr:要读取的地址 * data:要写入的数据 * 返 回 值: uint8_t:读取到的数据 * 说 明:无 */uint8_t fsmc_sram_test_read(uint32_t addr){uint8_t data;FSMC_SRAM_ReadBuffer(&data,addr,1);return data;}/******************* (C) COPYRIGHT 2015-2020 硬石嵌入式开发团队 *****END OF FILE****/
#ifndef __BSP_SRAM_H__#define __BSP_SRAM_H__ /* 包含头文件 ----------------------------------------------------------------*/#include <stm32f10x.h>/* 类型定义 ------------------------------------------------------------------*//* 宏定义 --------------------------------------------------------------------*///使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3//对IS61LV51216/IS62WV51216,地址线范围为A0~A18#define Bank1_SRAM3_ADDR ((uint32_t)(0x68000000))/* 扩展变量 ------------------------------------------------------------------*//* 函数声明 ------------------------------------------------------------------*/ void FSMC_SRAM_Init(void);void FSMC_SRAM_WriteBuffer(uint8_t* pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint32_t NumHalfwordToWrite);void FSMC_SRAM_ReadBuffer(uint8_t* pBuffer,uint32_t ReadAddr,uint32_t NumHalfwordToRead);void fsmc_sram_test_write(uint8_t data,uint32_t addr);uint8_t fsmc_sram_test_read(uint32_t addr);#endif /* __BSP_SRAM_H__ */
512K 16位 =1M 8位即 1M个字节。那么地址就相当于0x6800 0000 +1024*1024 个字节
例如:testsram=[0]=0x12345678;testsram=[1]=0x87654321;
不论是按照字vu8 vu16 vu32 取值。这个时候不必考虑FSMC如何操作,操作几步指令,只需要按照内存操作即可
测试程序中的一些程序是按照字操作的。
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