存储器（三）

Abstract：文章内容来自于：哈工大计算机组成原理刘宏伟

主要介绍了静态RAM和动态RAM。

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一、静态RAM（SRAM）：

（1）保存 0 和 1 的方式；

（2）基本单元电路构成；

（2）如何读入和写出？

（1）静态RAM是利用四个触发器来保存 0 和 1 的（下图的 T1 ~ T4）， 数据保存在 A' 和 A 端。

（2） 基本电路如下图。

（3）如何读写？

（3.1）读·：

行地址信号经过行译码之后行地址选择线有效， 打开T5 和 T6.

列地址信号经过列译码之后列地址选择线有效， 打开T7和T8.

A‘ 和 A 端的沿着导线读出， 其中当A’ 端信号到达左边那个写放大器截止， A 端信号通过读放大器输出到数据总线上。

（3.2）写：

信号从DIN输入，左边的写放大器是反向放大器， 即存储在A' 端的 与 存储到A端的信号相反。

DIN左  -> 反相 -> T7 -> T5 -> A'；    DIN右 -> T8 -> T6 -> A;

二、动态RAM：

（1）保存0和1的原理；

（2）基本单元电路的构成。

（3）—对单元电路的读出和写入；

（1）动态RAM是利用电容来保存0和1的，电容有电荷为 1， 无电荷为 0；

（2）基本单元电路有两种， 第一种如下

（3）由Cg存储 0 和 1. T1、T2、T3三个管子来控制读写。

 （3.1）如果进行读操作，首先预充电信号将T4管子充电导通， 然后VDD电压会将读数据线上电平拉高。如果Cg没有电荷，  此时渎选择线有效， T2管子导通；即存储的 是 0， 那么 T1 管子截止， 那么此时读数据线上为高电平， 即当Cg上存储 0 时， 读数据线为 1.  如果Cg为1时，T1导通， 读数据线上电平被拉低， 即当Cg为1时，读数据线为 0；也就是说， 你读出的电平与实际电平是相反的。 此时需要加一个非门。

（3.2）如果是写入的话， 那么写选择线有效， T3导通，  如果写数据线为 1，那么Cg有电荷为 1， 反之则为 0. 也就是说 写入的电平和实际的相同。

第二种电路

进行读操作， 设置字线为高电平， T 导通， 那么如果Cs为1， 那么数据线为高电平， 如果为 0， 那么数据线为低电平。如果写入的话也是一样的。 这种方法比上面

那种简单很多、

动态RAM（DRAM）刷新问题：可以参考：点击打开链接 和 点击打开链接

三、动态RAM和静态RAM的比较：

DRAM适合做主存， SRAM适合做缓存。