STM32F407 Flash操作笔记

简述

STM32F4XX的闪存擦除方式分为两种：扇区擦除（最小单元16K）和整片擦除。在实际应用中，为满足重要信息的存储，需将信息存入FLASH中，针对以上两种擦除方式，扇区擦除更符合实际的需要。
参考手册：

写FLASH操作

经过以上五个步，就可以擦除某个扇区。但是实际运用过程中，一个扇区只存储一个信息或标志，会造成资源严重浪费。现采用缓存的方式，先读取当下扇区的数据，将读取的数据和要写入的数据组合，待擦除后再次写入。

代码片

• 写FLASH操作

/* *  WriteAddr： 起始地址 (u32)address 是 4 的整数倍, (u32)data *  pBuffer：   数据指针 *  NumToWrite：字（u32）数 */void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite){   FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;    u32 addrx=0;    u32 endaddr=0;    if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return;    //非法地址    FLASH_Unlock();//解锁                                     FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间，必须禁止数据缓存    addrx=WriteAddr;                //写入起始地址    endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4; //写入结束地址    if(addrx<0X1FFF0000)            //是否为主存储区    {        while(addrx<endaddr)        //对非0XFFFF FFFF 的地方，先擦除        {            if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//对非0XFFFF FFFF 的地方，先擦除            {                   status=FLASH_EraseSector(GetSector(addrx),VoltageRange_3);//VCC=2.7~3.6V之间！！                if(status!=FLASH_COMPLETE)break;    //异常            }else addrx+=4;        }     }    if(status==FLASH_COMPLETE)    {        while(WriteAddr<endaddr)//写数据        {      if(FLASH_ProgramWord(WriteAddr,*pBuffer)!=FLASH_COMPLETE)//写入数据            {                 break;  //写入异常            }            WriteAddr+=4;            pBuffer++;        }     }    FLASH_DataCacheCmd(ENABLE);//FLASH擦除结束，开启数据缓存    FLASH_Lock();//上锁    Printf("Flash status :%d\r\n",status);}

• 数据流存储

#define SectorLen 128 //数据长度 128 * 4 = 512 结合实际需要长度调整/* *  (u32)address 是 4 的整数倍, (u32)data *  FreeStart( 0x08008000 )~FreeEnd( 0x08010000 ) */void SaveDataToFlash( u32 address, u32 data ){    FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;    u32 site[SectorLen] = {FreeStart}, FlashBuffer[SectorLen] = {0};    for ( u8 i = 0; i < SectorLen; i ++ )//读取扇区数据，随即擦除    {//      if ( STMFLASH_ReadWord( site[i] ) != 0XFFFFFFFF)//0XFFFFFFFF代表无数据        {            FlashBuffer[i] = STMFLASH_ReadWord( site[i] );            site[ i + 1 ] = site[i] + 4;            if ( address == site[i] )                FlashBuffer[i] = data;        }    }    FLASH_Unlock();//解锁    FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间，必须禁止数据缓存    status = FLASH_EraseSector( GetSector( address ), VoltageRange_3 );//VCC=2.7~3.6V之间！！    if ( status == FLASH_COMPLETE )    {               for (u8 i = 0; i < SectorLen; i ++)        {            if ( FLASH_ProgramWord( site[i], FlashBuffer[i] ) != FLASH_COMPLETE )//写入数据            {                 break;  //写入异常            }        }     }    FLASH_DataCacheCmd(ENABLE); //FLASH擦除结束，开启数据缓存    FLASH_Lock();//上锁    Printf("Save status = %d\r\n",status);//  return addr;}

读FLASH操作

STM23F4 的 FLASH 读取是很简单的。例如，我们要从地址 addr，读取一个字（字节为 8位， 半字为 16 位，字为 32 位），可以通过如下的语句读取：data=(vu32)addr;
将 addr 强制转换为 vu32 指针，然后取该指针所指向的地址的值，即得到了 addr 地址的值。

代码片

/* *faddr :读地址 *return:对应数据 */u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr){    return *(vu32*)faddr; }//读FLASH操作/* *  ReadAddr  ：起始地址 (u32)address 是 4 的整数倍, (u32)data *  pBuffer   ：数据指针 *  NumToRead ：字（4位）数 */void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead)     {    u32 i;    for(i=0;i<NumToRead;i++)    {        pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节        ReadAddr+=4;//偏移4个字节    }}

调试注意事项

• 在FLASH读写操作时，未使用数据类型（u32），致读到的数据一直为：-1（0xFFFF FFFF 默认值，即该地址写数据失败） ；
• 主存储区<0x0800 0000 ~ 0x080F FFFF>，存储数据地址小于0x0800 0000，存储出错，主控无响应。在写操作时，一定要保证其 Address 有效！

小结：借助串口打印调试，分析问题，数据读写问题不大o(￣︶￣)o。