DDR的一点概念

SDRAM（Synchronous DRAM）同步动态随机存储器：是PC 100和PC 133规范所广泛使用的内存类型，它的带宽为64位，3.3V电压，目前产品的最高速度可达5ns。它与CPU使用相同的时钟频率进行数据交换，它的工作频率是与CPU的外频同步的，不存在延迟或等待时间。

SDRAM的内部是一个存储阵列，类似于一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）叫什么呢？它就是逻辑Bank（Logical Bank，下文简称L-Bank）。

1，物理BANK：传统内存系统为了保证CPU 的正常工作，必须一次传输完CPU 在一个传输周期内所需要的数据。那时的内存必须要组织成P-Bank 来与CPU 打交道，所以会出现两根32bit的内存搭配才能跟64bit的奔腾CPU开机成功。
2，芯片位宽：为了组成P-Bank所需的位宽，就需要多颗芯片并联工作。组成64bit，对于16bit芯片，需要4 颗（4×16bit=64bit）。对于8bit 芯片，则就需要8 颗了。
3，逻辑BANK：Logical Bank，SDRAM 的内部是一个存储阵列。阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格。单一的L-Ban k将会造成非常严重的寻址冲突，大幅降低内存效率，所以人们在内部分割成多个L-Bank。

4，内存芯片容量：存储单元数量=行数×列数（得到一个L-Bank的存储单元数量）×L-Bank的数量，比如128Mbit：2M x 16Bit x 4 Banks：第一个数目是行列相乘的矩阵单元数目，第二个数目是单个存储体的位宽，第三个是逻辑BANK数目。

DDR应该叫DDR SDRAM，是Double Data Rate SDRAM(synchronous dynamic random access memory，同步动态随机存储器)的缩写，同步是指其时钟频率与CPU前端总线的系统时钟频率相同，动态是指存储阵列需要不断刷新来保证数据不丢失，随机是指数据可随机存储和访问。

 

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。
   

 DRAM制造商的一些资料中显示，内存至少要每64ms刷新一次，这也就意味着内存有1％的时间要用来刷新。内存的自动刷新对于内存厂商来说不是一个难题，而关键在于当对内存单元进行读取操作时保持内存的内容不变，所以DRAM单元每次读取操作之后都要进行刷新：执行一次回写操作，因为读取操作也会破坏内存中的电荷，也就是说对于内存中存储的数据是具有破坏性的。所以内存不但要每64ms刷新一次，每次读操作之后也要刷新一次。

 

DDR比SDRAM多了rank这个概念，在讲rank之前，我们先了解一下DDR数据存取，以64bits数据线为例，CPU每次从内存里面存读数据都是一次64bits，而我们知道内存颗粒（SDRAM）一般没有64bits数据线的，大多为4bits，8bits或16bits。那么为了凑够CPU访问所需的64bits该怎么办呢？当然是大伙一起凑了，即数据位扩展了。如果每个颗粒是8bits位宽，那么就需要8个颗粒凑在一起，这八个颗粒组成一组，它的名字就叫rank。

一条内存条上有多少个rank，就表示有多少个这样的分组，而在这个分组其实就是8片并在一起的SDRAM，这些SDRAM就是前面提到的三维立体空间的载体，也就是说bank。这个概念对于DDR来说就是指的颗粒（SDRAM）上的bank。