SRAM、DRAM；SDRAM、DDRSDRAM(DDR)、RDRAM；SARAM、DARAM的区别

一、SRAM(Static Random Access Memory)与DRAM(Dynamic Random Access Memory)

 

 

这是根据内存的工作原理划分出的两种内存。

 

 

DRAM表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。DRAM中的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。数据存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而DRAM器件是不稳定的。为了将数据保存在存储器中，DRAM器件必须有规律地进行刷新。

 

 

而SRAM是静态的，因此只要供电它就会保持一个值。一般而言，SRAM 比DRAM要快，这是因为SRAM没有刷新周期。每个SRAM存储单元由6个晶体管组成，而DRAM存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。相比而言，DRAM比SRAM每个存储单元的成本要高。照此推理，可以断定在给定的固定区域内DRAM的密度比SRAM 的密度要大。

 

 

SRAM常常用于高速缓冲存储器，因为它有更高的速率；而DRAM常常用于PC中的主存储器，因为其拥有更高的密度。

 

 

二、SDRAM(Synchronous DRAM)、DDRSDRAM(Dual Data Rate SDRAM)和RDRAM(Rambus DRAM)

 

 

这是计算机内存市场上对内存的分类方式，这些内存都属于上面提到的DRAM。

 

 

SDRAM

 

 

SDRAM中文名字是“同步动态随机存储器”，意思是指理论上其速度可达到与CPU同步。自从Pentium时代以来，SDRAM就开始了其不可动摇的霸主地位。这种主体结构一直延续至今。成为市场上无可争议的内存名称的代名词。

 

 

台式机使用的SDRAM一般为168线的管脚接口，具有64bit的带宽，工作电压为3.3伏，目前最快的内存模块为5.5纳秒。由于其最初的标准是采用将内存与CPU进行同步频率刷新的工作方式，因此，基本上消除了等待时间，提高了系统整体性能。

 

 

大家都知道CPU的核心频率＝系统外部频率×倍频的方式。而内存就是工作在系统的外部频率下，最初的66MHz的外部工作频率严重地影响了系统整体的工作性能，芯片组厂商又陆续制订出100MHz、133MHz系统外频的工作标准。这样SDRAM内存也就有了66MHz（PC66）、100MHz（PC100）和133MHz（PC133）三种标准规格。某些内存厂商为了满足一些超频爱好者的需求还推出了PC150和PC166内存，例如Kingmax和Micro等。

 

 

DDR SDRAM

 

 

从名称上可以看出，这种内存在技术上，与SDRAM有着密不可分的关系，事实上，DDR内存就是SDRAM内存的加强版。它主要是利用时钟脉冲的上升沿与下降沿传输数据，相当于原来两倍的频率的工作效率。

 

 

但这只是理论上，真正在实际应用中，DDR内存所带来的性能提升并不是很大，经测试在10%至15%之间。造成如此大的反差，主要原因在于目前的处理器及主板结构还是依照着SDRAM进行设计的，还没有充分挖掘出DDR的潜能。

 

 

在133MHz下，DDR内存带宽可以达到133×64bit/8×2＝2.1GB/s，200MHz外频标准出台后，其带宽更是达到了200×64bit/8×2＝3.2GB/s的海量（如图2所示）。目前DDR400内存已经问世，其强大的攻势不容忽视，发展前景非常广阔。

 

 

目前市场上已经有了针对DDR应用的处理器及配套主板，但是由于还是初级发展阶段，对于DDR内存的海量传输能力利用率不高，没能在实际应用中体现出来。所以，这种内存技术的成熟应用期还没有到，目前只处于初级应用阶段。

 

 

DDR只是对SDRAM技术做了一些加强，所以生产SDRAM的生产线极容易改建于DDR的生产。不过DDR内存为保持较高的数据传输率，电气信号必须要求能较快改变，因此采用了2.5伏的SSTL2标准，其管脚数为184线，与SDRAM在主板上无法实现兼容。

 

 

DDR SDRAM有着先天性的优势，因此，取代SDRAM只是时间上的问题，相信随着DDR内存体系的愈加成熟，与SDRAM体系结构间的性能会越拉越大，那时也正是DDR全面铺进千家万户的时刻。

 

 

DDR的外形和SDRAM极为相似，不过仔细观察还是有所不同。DDR使用的是184线的金手指，而普通SDRAM是168线，而且SDRAM底部金手指有两个缺口，而DDR仅有一个缺口，另外DDR内存边缘用于固定的卡口有两个，而SDRAM为一个，最后就是DDR的内存存颗粒比SDRAM的要略薄。

 

 

RDRAM

 

 

RDRAM原本是Intel强力推广的未来内存发展方向，其技术引入了RISC（精简指令集），依靠高时钟频率（目前有300MHz、350MHz和400MHz三种规格）来简化每个时钟周期的数据量。因此其数据通道接口只有16bit（由两条8bit的数据通道组成），远低于SDRAM的64bit，由于RDRAM也是采用类似于DDR的双速率传输结构，同时利用时钟脉冲的上升与下降沿进行数据传输，因此在300MHz下的数据传输量可以达到300×16bit/8×2=1.2GB/s，400MHz时可达到1.6GB/s，目前主流的双通道PC800MHz RDRAM的数据传输量更是达到了3.2GB/s。相对于133MHz下的SDRAM的1.05GB/s，确实很有吸引力。

 

 

由于这种内存是全新的结构体系，需要兴建专用的内存生产线才能进行大批量生产，基本上无法对原有的生产线进行改建，这样初期产品的成本肯定是难以与DDR进行竞争，而且生产这种内存还必须按产量向Rambus公司交纳一定的专利金，让各厂商缠足不前，在一定程度阻碍了RDRAM的发展，不过更高带宽的双通道RDRAM不久将会出现。Rambus公司已经推出世界上第一条运行在1200MHz频率上的RDRAM，内存的峰值带宽将达到4.8GHz/s。除此之外，Rambus还将推出一款运行在1066MHz下的RDRAM（如图3所示），它们的设计和制造工艺和从前的Rambus内存区别不是很大。

 

 

三、SARAM(Single-access RAM)与DARAM(Dual-access RAM)

 

 

这是按CPU每个机器周期能对内存进行访问的次数来划分的两种内存。

 

 

SARAM在一个机器周期内只能被访问一次，而DARAM则在一个机器周期内能被访问两次。如TMS320C54x系列DSP中就配置有这两种内存