模拟电子技术8 12------——晶体管 放大状态原理

 

 

 

 

 

PN结 正向偏置  PN结变摘  有利于多数载流子 扩散运动

                            不利于少数载流子 飘移运动

PN结 反向偏置   PN结变宽  不利于多数载流子 扩散运动

                            有利于少数载流子 漂移运动

 

发射区 ：参杂浓度很高 多数载流子 是电子

基区   ： 多数载流子 是 空穴

集电区：  多数载流子是  电子  少数载流子是 空穴

 

 

发射结 正向偏置：（有利于多数载流子的扩散运动）

发射区  电子（多数载流子） 向基区P扩散 

基区     空穴向 发射区扩散   多数  载流子相互扩散

-》》》形成 电子电流 空穴电流

 

集电结：反向偏置  有利于 少数载流子的漂移运动

基区：  多数载流子（空穴） 扩散不到 集电区

集电区： 多数载流子（电子） 扩散不到 基区，允许少数载流子漂移运动

-》》》》基区P区  少数载流子（电子） 跑到 集电区

      集电区     少数载流子（空穴） 飞快 跑到 基区