麻省理工学院将电子束光刻推进至9纳米

 麻省理工学院(MIT)的研究人员们宣称已经开发出了一种新技术，能将用于芯片图案蚀刻的高速电子束光刻的分辨率尺度推进到9nm(纳米)，远远超出人们此前的预想。MIT表示，电子束光刻工具之前最小的形体尺寸是25nm，而他们的新发现将会大大延长电子束光刻技术在半导体制造业中的寿命。

MIT透露，他们的这次突破主要得益于两点，一是使用更薄的绝缘层来尽量避免电子散射，二是使用特殊材料对接收电子较多的区域进行了加固。

多年来，半导体厂商一直在努力用极紫外光刻(EUV)取代传统的光学蚀刻技术，但是EUV的批量投产一再推迟，现在最乐观的预计是等到2012-13年的22nm半世代节点工艺。即便如此，EUV也面临着很多技术难题，短期内难以普及。