场效应管，及与三极管的差别

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 http://blog.csdn.net/zhandoushi1982/article/details/6198769

场效应管的分类：场效应管分结型（JFET）、绝缘栅型(MOS，是FET的一种)两大类；按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。如下图：

 

场效应晶体管的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，用栅源极电压控制漏极电流，属于电压控制型器件；具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中，场效应管可以用作电子开关。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。用在电路图的标示如下:

 

 

 

场效应管与晶体管的比较：
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管（因为其内阻极大）；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 

 

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.场效应管和双极型晶体管的比较和选择
场效应管和双极型晶体管的比较和选择
    现将场效应管和晶体管相比较, 作为选管时的参考.
    一. 场效应管的S,G,D电极其功能与晶体管的e,b,c相对应.
    二. 场效应管是电压控制器件, 栅极基本上不取电流, 而晶体管的基极
总是要取一定的电流. 所以在只允许从信号源取极小量电流的情况下, 应该
选用场效应管; 而在允许取一定量电流时, 选用晶体管进行放大可以得到比
场效应管较高的电压放大倍数.
    三. 场效应管是多子导电, 而晶体管则是既利用多子, 又利用少子. 由
于少子的浓度易受温度,辐射等外界条件的影响, 因此在环境变化比较剧烈的
条件下, 采用场效应管比较合适.
    四. 与双极型晶体管相比, 场效应管的噪声系数较小, 所以在低噪声放
大器的前级通常选用场效应管, 也可以选特制的低噪声晶体管. 但总的来说
, 当信噪比是主要矛盾时, 还应选用场效应管.
    五. 场效应管的漏,源极可以互换, 耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正可负
, 灵活性比晶体管强.
    六. 场效应管和晶体管都可以用于放大或作可控开关, 但场效应管还可
以作为压控电阻使用, 而且制造工艺便于集成化, 因此在电子设备中得到广
泛的应用.