NOR闪存厂商进攻NAND市场，并购与联姻改写市场大格局

NOR闪存厂商进攻NAND市场，并购与联姻改写市场大格局
上网时间：2006年04月01日

在苹果iPod和闪存卡热销的推动下，2005年NAND闪存市场实现了高速增长。据市场研究机构iSuppli的数据显示，2005年NAND闪存市场比2004年增长了64%，达到109亿美元。iSuppli预计2006年NAND闪存市场还将增长55%，达到168亿美元。意法半导体存储器产品部市场总监Philippe Berge表示：“较低的NAND价格，降低了MP3等终端设备的成本，使得这些设备出货量大幅增长。同时，NAND闪存开始进入游戏机等设备。预计市场对NAND闪存的需求将保持高速增长。”由于NAND闪存市场的火爆，近几年来，首先是Hynix、美光科技等DRAM制造商在NAND闪存市场高奏凯歌，然后是传统的NOR闪存厂商在固守阵地的同时，也通过不同的策略纷纷杀入NAND市场。3C终端的融合促使NAND、NOR和DRAM应用出现融合，通过扩展产品线或者通过结盟为客户提供全面的存储解决方案，是未来内存市场的发展趋势，而这必将导致内存产业出现整合。

 

产能大战改写NAND市场供应格局

 

在高速增长的同时，过去由三星、东芝和瑞萨科技三分天下的NAND闪存市场格局也已经变化。在NAND闪存上大力投资的Hynix、美光科技和意法半导体终于获得了回报，2005年分别实现了525%、2875%和760%的增长。其中Hynix在2005年第四季的销售额达到了6亿美元，与东芝同期的6.8亿美元已相差不多，预计2006年东芝排名第二的位置将受到Hynix的巨大威胁。

 

意法半导体的业务重心从NOR向NAND转移。

相反，三大老牌NAND闪存供应商的增长率只有47%、29%和23%，大大低于整体市场64%的增长率。面对NAND市场的产能和价格竞争，老牌供应商瑞萨科技选择了淡出，宣布停止开发8Gb及以上容量的AG-AND，但继续向用户提供现有的闪存产品，主要是1Gb和4Gb产品。瑞萨科技解释说：“闪存定价机制和产品制造商之间的竞争，正在从制造商引导的模型转向市场引导的模型。实现更小的体积并保持大规模生产能力是最基本的条件。”

 

在瑞萨科技淡出的同时，也有新的厂商加入。英特尔通过和美光组建合资闪存企业IM Flash Technologies进入了NAND闪存市场，预计今年1季度就可量产。台湾地区的力晶半导体和瑞萨科技则在此前制造合作的基础上，达成了有关1Gbit AG-AND闪存技术和销售的授权合约，新合约将允许力晶半导体以自己的品牌出售AND闪存。英特尔和力晶的加入，无疑会使2006年NAND闪存市场的竞争更加激烈。

 

正如瑞萨科技所言，闪存市场的竞争主要体现在产能和生产工艺上。Berge表示：“目前的闪存工艺发展水平为NOR采用90纳米工艺，NAND采用70纳米工艺；预计2007年NOR将迁移至65纳米工艺，NAND迁移至60/50纳米工艺；到2010年，NOR将迁移至45纳米，而NAND将迁移至35纳米甚至更远。”ST计划2006年扩大其在新加坡的8英寸闪存芯片厂的产能，2007年扩大其在无锡的12英寸芯片厂的产能。无锡工厂是ST和Hynix的合资芯片制造厂，ST拥有全部产能(8英寸和12英寸)的1/3。

 

而东芝和SanDisk也宣布，计划2007年3月前将其合资300mm闪存工厂的产能由先前规划的48,750片/月扩大至70,000片/月。目前该工厂采用90纳米工艺，东芝已经在2月份引入70纳米工艺，并计划在2007年3月前引入52纳米工艺。

 

NAND与NOR闪存在手机领域正面交火

 

除了扩大产能外，NAND闪存厂商还在拓展新的应用市场。ST的Berge表示：“NAND闪存的其它关键应用还包括手机、打印机、HDTV和游戏机。NAND将打入PC，作为硬盘的补充，用于瞬时开启功能。” 三星半导体美国闪存营销副总监Don Barnetson也表示，微软新的操作系统Vista将推动PC中NAND闪存的销售。他表示：“2006年闪存将进入PC”。微软Vista操作系统中至少内嵌有两个功能需要使用NAND闪存，第一类是NAND闪存作为外部存储器(EMD)，以USB闪存盘的形式启动系统和应用；第二类是NAND和硬盘一起构成混和硬盘(HHD)。

 

新型多媒体、智能和3G手机对高容量存储的需求，使得NAND闪存厂商一直希望通过成本和密度优势打入手机，夺取NOR闪存的地盘。然而，目前NAND闪存在手机领域取得的成功仍主要限于手机用外部存储卡，而非手机内存。NOR闪存是大众主流手机市场首选的存储器技术。据市场调研公司iSuppli资料显示，NOR闪存出货占手机嵌入式闪存出货的92.8%。最大的NOR闪存供应商Spansion公司全球副总裁兼亚太区总经理王光伟表示，闪存市场可分为可移除存储和集成存储，前者主要包括闪存卡和USB存储器，后者面向手机、消费电子和汽车。可移动闪存存储纯数据，通常容量为1Gb-16Gb，强调价格；而集成市场存储代码和数据，通常容量为1Mb-4Gb，强调可靠性和速度。王光伟指出，包括手机和其它嵌入式应用的集成市场将由2005年的90亿美元稳定增长至2009年的140亿美元，其中，NOR闪存将继续占据主导地位。

 

不过，NAND闪存厂商已经开始发动了真正的攻击。继三星之后，美光在今年2月初宣布推出一系列的NAND+低功耗DRAM的多芯片封装(MCP)存储产品，计划2006年第四季度量产。该MCP产品包括1-Gb NAND和512-Mb DRAM，用于手机。美光移动存储事业部高级营销总监Achim Hill表示：“为了满足市场对高密度、小尺寸和低功耗器件不断增长的需求，对于美光来说，进一步提供结合NAND和DRAM的封装产品是非常自然的事情。”

 

更值得的关注的是，传统的NOR闪存供应商ST在2月末也宣布，推出一系列结合NAND+DRAM的MCP存储器产品组合，以满足3G手机和CDMA以及便携消费产品的多媒体应用需求而设计，以在更小的空间内提供更大的存储容量。它在同一封装内整合了密度高达1-Gb NAND闪存和512-Mb LPSDRAM，兼容市场上主要的手机平台。新的MCP有多种不同的配置方式，能够满足各种特殊的应用需求。NAND闪存和LPSDRAM使用不同的电源和地线以及不同的控制、地址和I/O信号，准许同时访问两个存储器芯片。而在2005年底，ST推出了基于NOR闪存的MCP产品，同样也是用于新一代手机。当时推出的MCP组合包括：512MbNOR+64MbPSRAM；512MbNOR+128MbPSRAM；512MbNOR+128MbLPSDRAM。

 

对于这些令人眼花的组合，Berge指出：“这些产品为手机提供了互补的内存系统解决方案。基于NOR的MCP目前用于那些需要512Mb或以下嵌入式非易失性存储的手机，而基于NAND的MCP用于那些超过512Mb嵌入式非易失性存储的手机——通常是高端、大量需要多媒体存储的3G手机。”

 

目前Spansion和ST都已经推出了采了90纳米工艺的512Mb NOR闪存，1Gb也成为了2006年NOR和NAND闪存应用经济性的分界线。随着工艺的进步，ST和英特尔均预计2008年两者的分界线会上升到2Gb。

 

Berge还表示，基于NOR的MCP包括的RAM通常是闪存容量的1/4，而基于NAND的MCP包括的RAM通常是闪存容量的1/2。因为成本考虑，所用的RAM通常是128Mb或者以上容量的LPSDRAM。作为传统的NOR闪存厂商，ST通过与Hynix在华合资建厂等一系列举动加大了对NAND闪存的投入。Berge解释说：“很多年来，手机市场对于ST公司一直是一个关键市场，现在也是ST闪存产品的关键市场。我们决定进入NAND市场，主要是为了维护我们作为关键手机客户主要闪存供应商的地位。”

 

ORNAND闪存横空出世，阻击NAND闪存

 

三大NOR闪存厂商中，英特尔和ST都已经直接进了NAND闪存市场，只有Spansion固守在NOR市场。不过，Spansion也通过创新的产品，间接杀入NAND闪存市场。

 

虽然NAND闪存来势汹汹，但是王光伟并不认为它会动摇NOR闪存在手机中的地位。NAND闪存由于存储密度高、成本低和写入性能好，被认为较NOR闪存更适合数据存储。虽然目前NAND闪存的容量已经达到8Gb甚至16Gb，但王光伟表示，如此大体积和高功耗的NAND闪存根本无法用作手机的嵌入式闪存，而且手机厂商为了降低整机成本和规避闪存价格波动带来的风险，也不会采用大容量的NAND闪存，大容量的NAND闪存只适合于消费者可选购的手机存储卡。王光伟指出：“即使对于高端手机，目前1Gb的存储容量已经足够了”。

 

让王光伟底气十足的是，Spansion公司在推出了采用90纳米工艺的高性能512Mb MirrorBit NOR产品的同时，还推出了基于其MirrorBit ORNAND架构的第一款产品——采用90纳米工艺1Gb MirrorBit ORNAND MS器件，进入手机NAND市场。Spansion公司表示，ORNAND器件适用于手机中的数据存储，一方面可以提供传统NAND解决方案所具有的NAND接口和具有吸引力的成本结构， 另一方面又可以提供NOR闪存所具有的可靠性和高速读取性能。由于目前NOR闪存的最大容量为512Mb，1Gb MirrorBit ORNAND无疑为Spansion对抗NAND闪存提供了强大的支持。王光伟表示：“通过采用90纳米工艺和ORNAND架构，1Gb MirrorBit ORNAND的裸片尺寸为82mm2，而1Gb NAND的裸片尺寸为80-90mm2，两者具有相同的成本。

 

ORNAND将在手机市场向NAND闪存发起攻击。”王光伟还表示，除了1Gb ORNAND，Spansion还可能在今年推出512Mb ORNAND，并计划在2007年第一季度推出采用65纳米工艺的1.8V 2Gb ORNAND，进一步丰富ORNAND产品系列。

 

Spansion计划在今年向客户提供采用MCP和堆叠式封装(POP)，容量最高为3Gb的完整的存储子系统，其中包括MirrorBit NOR、MirrorBit ORNAND和RAM。在发布ORNAND产品的当天，Spansion还宣布了与DRAM供应商Elpida达成合作，共同为手机市场提供完整的存储子系统。Spansion表示，NOR和ORNAND存储解决方案可以提供高性能的代码执行和数据存储，其中启动速度比纯粹的代码映射技术(Code Shadowing)快54%，在待机模式下可以节约更多的电量。

 

“通过多种多样的Mirrorbit NOR和MirrorBit ORNAND组合，我们的客户将能够灵活地满足整个移动手持设备市场的各种需求”，王光伟表示。他还强调，MirrorBit NOR 和ORNAND闪存解决方案可以帮助手机制造商利用一个单一的平台来扩展他们的产品。手机厂商不仅可以单独使用NOR器件推出入门级手机，也可以将NOR和ORNAND器件相结合以用于高端手机。为了增加高端手机中的功能，手机厂商可以在无需改变软件的条件下在MirrorBit NOR 平台上添加MirrorBit ORNAND数据存储，从而缩短上市时间。

 

对于中低端手机，Spansion建议采用单一的NOR闪存架构。对于采用基带+协处理器的高端手机，Spansion建议采用NOR+ORNAND+xRAM的MCP存储器，与基带接口。而对于采用基带+应用处理器的智能手机，Spansion建议基带采用NOR+pSRAM的MCP存储器，而应用处理器采用NOR+ORNAND+xDRAM的MCP存储器。Spansion公司无线业务部门中国区销售总监许冠超解释说，智能手机采用两个独立的MCP存储器是为了避免病毒等带来的风险，即使其中的一个出了问题，另一个也可以正常使用。

 

作者：潘九堂

 

此文章源自《国际电子商情》网站：
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