SRAM和DRAM区别
来源：互联网 发布：java drawimage 效率 编辑：程序博客网 时间：2024/06/07 05:48
存储器按生产工艺分：静态存储器与动态存储器静态存储器（SRAM）：读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器。动态存储器（DRAM）：读写速度较慢，集成度高，生产成本低，多用于容量较大的主存储器。
静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表：
静态和动态存储器芯片特性比较
SRAM DRAM
存储信息 触发器 电容
破坏性读出 非 是
需要刷新 不要 需要
送行列地址 同时送 分两次送
运行速度 快 慢
集成度 低 高
发热量 大 小
存储成本 高 低
动态存储器的定期刷新：在不进行读写操作时，DRAM 存储器的各单元处于断电状态，由于漏电的存在，保存在电容CS 上的电荷会慢慢地漏掉，为此必须定时予以补充，称为刷新操作
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