MOS晶体管原理
来源:互联网 发布:mac怎么安装java环境 编辑:程序博客网 时间:2024/05/12 20:09
1.长沟道晶体管I-V特性
NMOS和PMOS管中电子和空穴迁移率之比通常为2~3。
2.简化的MOS电容模型
a:MOS管的栅极是个良好的电容,必须要有这个电容来吸引电荷使沟道反型,因此为得到大的Ids需要有大的栅电容Cg。Cg为一个顶部为栅,底部为沟道的的平行板电容。又因为当晶体管导通时,沟道从源开始延伸,因此我们常常把栅电容近似成它的一端处在源极上而称为Cgs。
b:源、漏电容对器件的工作并不重要,但他们确实会影响电路的性能,因而称为寄生电容。源和漏电容来源于源或漏扩散区与体之间的p-n结,因此也被称为扩散电容Csb和Cdb。
3.精确MOS的栅电容模型
4.阈值电压是表示使沟道反型所需要的栅电压,因而它主要由栅氧厚度和沟道参杂浓度决定。但晶体管中其他电场也会对沟道产生某些影响,即实际上他们会改变阈值电压。例如,加大源和体之间的电压将会由于体效应使阈值电压升高,加大漏极电压将会由于漏致势垒降低使阈值电压降低,加大沟道长度将会由于短沟道效应使阈值电压升高。
5.泄漏
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