nor flash 与 nand flash 区别

NandFlash和NorFlash都是Flash的一种，都是散存，都是磁盘存储介子，但是NandFlash一般比较大，而NorFlash都比较小，并且NorFlash比较贵，并且NorFlash写的速度比较慢，但读的速度比较快 ，而NandFlash读的速度比较慢，写的速度比较快

一、类型理解

   分为NOR（或非）  NAND（与非）

二、接口理解

  NOR（或非）----地址、数据总线分开；

  NAND（与非）----地址、数据总线共用。

三、读写单位：

  NOR（或非）----字节；

  NAND（与非）----页。

四、组成结构：

   NOR（或非）----扇区、字节；

   NAND（与非）----块、页；

五、擦除单位：

   NOR（或非）----扇区；

   NAND（与非）----块；

六、原理区别：

A、FLASH区别EEPROM

 

具体的方法：看DATASHEETNOR Flash上数据线和地址线是分开的NAND Flash上数据线和地址线是共用的 NOR FLASH/NAND FLASH 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理和需要特殊的系统接口。通常NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的写入速度比NOR快很多，在设计中应该考虑这些情况。闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR/NAND FLASH 性能比较  flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。  由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。  执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。  l NOR的读速度比NAND稍快一些。  2 NAND的写入速度比NOR快很多。  3 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。  4 大多数写入操作需要先进行擦除操作。5 NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。接口差别  NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。  NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。  NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。易于使用  可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。  由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。  在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。软件支持  当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。  在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。  使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

   他们的存储单元基本一致，只是FLASH的存储单元的源极都是连在一起的，因此，擦除是会一起擦除，

  而EEPROM是可以按字节独立擦除的，

   EEPROM,EPROM,FLASH都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。

  EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，

  EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating-gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。

技术上，FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheim tuneling。

但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要EEPROM单元里那个多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。

B、NOR区别NAND

  寻址：NAND每次读取数据时都是制定 块地址、页地址、列地址，列地址就是读的页内起始地址，每次都是先将数据读入页缓冲区内，再由I/O输入地址在缓冲区内寻址，其实这里列地址，只是指定起始地址的作用

       1、NAND是以页为基本单位操作的。写入数据也是首先在页面缓冲区内缓冲，数据首先写入这里，再写命令后，再统一写入页内，因此每次改写一个字节，都要重写整个页，因为它只支持页写，而且如果页内有未擦除的部分，则无法编程，在写入前必须保证页是空的。

       因此NAND页缓冲区的作用就是，保证芯片的按页的读、写操作，是I/O操作与芯片操作的接口、桥梁，因为数据是从I/O输入的又是每次一个字节，因此需要缓冲。

       2、NOR则是字节为基本单位操作的，可以字节写、读，但擦除是扇区操作的。

综上所述在芯片操作上，NAND要比NOR快很多，因为NAND是页操作的而NOR是字节操作的。

   

七、应用：
   NAND 正是基于这种构造：块、页，无法字节寻址，页读写本身就靠的是内部复杂的串、并行转换 ，因此也没有很多地址引脚，所以其地址、数据线共用，所以容量可以做的很大 。

   NOR 是和SRAM一样的可随机存储的，也不需要驱动，因此，其地址就有限，所以容量普遍较小，其实是受限于地址线。

   再就是NAND 坏区较多，

  基于以上几点，在工业领域，NOR 用的较多，特别是程序存储，少量数据存储等。

  在消费领域，大量数据存储，NAND较多。