内存的深入了解

　　内存存储器是具有“记忆”功能的设备，它用具有两种稳定状态的物理器件来表示二进制数码“0”和“1”，这种器件称为“记忆元件”或“记忆单元”。记忆元件可以是磁芯，半导体触发器、MOS电路或电容器等。二进制数的最基本单位就“位(bit)”，这也是存储器存储信息的最小单位，8位二进制数称为一个字节(Byte)，计算机允许由一个字节或若干个字节组成一个字(Word)，一般认为1个或2个字节组成一个字。若干个忆记单元组成一个存储单元，大量的存储单元的集合将组成一个存储体(Memory Bank)。为了区分存储体内的存储单元，计算机将它们逐一进行了编号，这就是“地址”，它与存储单元之间一一对应，而且是存储单元的唯一标志(存储单元的地址和存放在该单元里的内容不是一回事)。根据存储器在计算机中处于不同的位置，可分为主存储器和辅助存储器(通常所说的“主存”是指计算机的内存，而“辅存”则是指同样可以存储数据信息的磁盘，它们之间的存取速度存在着很大差异，主存的响应时间是以毫微秒级(1/1000000000秒)计算，而辅存的响应时间则是以毫秒(1/1000秒)计算的。辅存可以成为虚拟内存。

　　在主机内部，直接与CPU交换信息的存储器称主存储器或内存储器，在程序执行期间所使用的数据说存放在这里。各个存储单元的内容可通过指令随机读写访问的存储器称为RAM(Random Access Memory随机存取存储器)。另一种存储器叫只读存储器ROM(Read Only Memory只读存储器)，存放着由厂家写入的程序或数据，用于启动计算机与控制计算机的工作方式，仅能随机读出，在正常情况下是不可改写的。RAM和ROM共同分享主存储器的地址空间，但RAM中存放的数据在关闭计算机电源后就会丢失，而ROM中的数据则不会丢失。由于结构、价格的原因，主存储器的容量受限。为满足计算机的需要还需要采用了大容量的辅助存储器或称外存储器，如软盘、硬盘、光盘等。

　　内存在计算机中是一个看不见的工作区域，被一层无形的面罩遮盖着，但是由特定的硬件所提供，并且在整个系统中有着举足轻重的作用。专业术语将内存解释为一个广义的概念，泛指计算机系统中存放数据与指令的半导体存储单元，它不但包括RAM、ROM，还包括Cache(高速缓存器)。其中RAM是最主要的存储器，整个计算机系统内存容量的多寡主要由它的容量决定，因此人们习惯将RAM直接称为“内存”，而对后两者直接称ROM和Cache。所以，当您听别人议论内存时，一般仅是指RAM而言。RAM是由一个由半导体元件组成的存储器。当计算机运行时，所需的指令和数据将从外部存储器(如硬盘、软盘、光盘等)调入(或者称为“读入”)内存中，CPU再从内存中读取指令或数据进行运算，并将运算结果存入内存中，所以RAM是既能读又能写的“随机存取存储器”。通常所说的“内存”就是指RAM，初学者务必记住这一点。

　　RAM一般分为两大类型：SRAM(静态随机存储器)和DRAM(动态随机存储器)。SRAM的读取速度相当快，它访问数据的周期约为1030ns，由于它的造价高昴，主要用作计算机中的高速缓存存储器(Cache)。DRAM虽然读取速度较慢，但它的造价低廉，集成度高，宜于作为系统所需的大容量“主存”，所以DRAM主要制造成计算机中的内存条――这种不可缺少的硬件。目前，市面上主要有使用DRAM芯片制成的普通内存条、使用EDO DRAM芯片制成的EDO内存条以及使用SDRAM芯片制成的SDRAM内存条。

　　“动态内存”是一个范围很广的概念，可以说如今所有的内存都是动态内存。随着科技的发展，DRAM的性能也在不断提高，目前正广泛使用的有两种DRAM，一种称为“EDO(Extend Data Output扩充数据输出)动态内存”，另一种是SDRAM(同步动态内存)。前者是基于普通DRAM发展的，它的存取速度等性能有了很大的提高，而价格也相差不大，所以说性能价格比极高。SDRAM是继EDO之后出现的，采用了同步技术，使内存工作频率与系统的外部总线频率相同，性能又有了很大的提高。目前，SDRAM的价格也已与EDO相差无几，并已逐步取代EDO，用于奔腾系列CPU的主板几乎都提供了对SDRAM的支持。

　　计算机运行时将使用RAM和ROM两种内存形式。如上所述，RAM只能工作在计算机通电状态下，如果掉电，RAM中的内容就会随之丢失；ROM则不同，它主要用于存储不易更改的BIOS信息(由主板制造者提供)，它的内容是固定的，不会因为掉电而丢失，但RAM的功能更加特殊，它不仅可以作为计算机的主存保存信息，并可作为计算机中的高速Cache(缓存)，用于提高计算机的整体运行性能(参阅本章后面的内容)。不过，ROM是计算机工作的基础，没有它就不能启动系统，更谈不上使用RAM了。

　　内存的分类

　　1.FPM(Fast Page Mode)

　　FPM(快页模式)是较早的个人计算机普遍使用的内存，它每隔3个时钟脉冲周期传送一次数据。现在已很少见到使用这种内存的计算机系统了。

　　2.EDO(Extended Data Out)

　　EDO(扩展数据输出)内存取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存取时间，使存取速度提高30%，达到60ns。EDO内存主要用于72线的SIMM内存条，以及采用EDO内存芯片的PCI显示卡(参阅本书后面的内容)。

　　这种内存流行在486以及早期的奔腾计算机系统中，它有72线和168线之分，采用5V电压，带宽32 bit，可用于Intel FX/VX芯片组主板上，所以某些使用奔腾100/133的计算机系统目前还在使用它。不过要注意的是，由于它采用5V电压，跟下面将要介绍的SDRAM不同(SDRAM为3.3v)，两者混合使用时就会很容易会被烧毁，因此在使用前最好了解一下该主板使用的是3.3v还是5V电压。

　　3.S(Synchronous)DRAM

　　SDRAM(同步动态随机存储器)是目前奔腾计算机系统普遍使用的内存形式。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与EDO内存相比速度能提高50%。SDRAM采用的是新型的64位数据读写形式，内存条的引脚为168线，采用双列直插式的DIMM内存条，读写速度最高达到了5ns，是目前最快的内存芯片，同时也是奔腾II和奔腾III计算机系统首选的内存条。

　　SDRAM不仅可用作主存，在显示卡上的内存方面也有广泛应用。对前者来说，数据带宽越宽，同时处理的数据就越多，显示的信息就越多，显示品质也就越高。在此之前的计算机系统还用过可同时读写的双端口视频内存(VRAM)来提高带宽，但这种内存成本高，应用受很大限制。因此在一般显示卡上，廉价的DRAM和高效的EDO DRAM仍然还在应用着。但随着64位显示卡的上市，带宽已扩大到EDO DRAM所能达到的带宽的极限，要达到更高的1600×1200的分辨率，而又尽量降低成本，就只能采用频率达66MHz、高带宽的SDRAM了。SDRAM还应用了共享内存结构(UMA)，这在很大程度上降低了系统成本，因为许多高性能显示卡价格高昂，就是因为其专用显示内存成本极高所致，而UMA技术将利用主存作显示内存，不再需要增加专门显示内存，因而降低了成本。

　　4. DDR SDRAM(SDRAM II)

　　DDR(Double Data Rage双数据率)也就是SDRAMSDRAM II，是SDRAM的更新换代产品，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽，如64bit内存接口200MHz DDR SDRAM比PC100 SDRAM的内存带宽高一倍，266 MHz DDR SDRAM的内存带宽更是达到了2.12 GB/s。DDR SDRAM比800MHz RDRAM的内存带宽还要高，采用2.5v工作电压，价格也便宜非常多。过去，DDR SDRAM只是应用在显示卡上，现在由于DDR SDRAM标准已定制好，所以正有许多主板芯片组支持使用它。不过，第一款支持DDR SDRAM的芯片组并不是Intel推出的。而是由Micron推出的，其名称为Samurai DDR芯片，其性能的优秀性无论是在商业，还是游戏运行方面都赶得上Intel i840芯片组。但后者提供双RDRAM通道，可高达3.2 GB/s的内存带宽，比Samurai DDR 266 MHz DDR SDRAM提供的2.12G/秒的内存带宽高出33%，整体性能也要好一些，这其是因为RDRAM的潜伏等待时间要比SDRAM长，所以PC133 SDRAM(参阅下面的内容)和DDR SDRAM使得RDRAM在低端和高端系统上的优势全无，而DDR SDRAM更是成为了市场的主流。如，现代电子出品的64MB DDR SDRAM在128 MB内存总线，4Mx16颗，工作频率为333MHz，提供了5.3 GB/s的数据带宽，市场前景不用说了，一定会是不错的。

　　5.RDRAM(Rambus DRAM)

　　RDRAM(存储器总线式动态随机存储器)是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的新型DRAM，它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据，同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。

　　6.Flash Memory

　　Flash Memory(闪速存储器)是一种新型半导体存储器，主要特点是在不加电的情况下长期保持存储的信息。就其本质而言，Flash Memory属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型，既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，功耗很小。目前其集成度已达4MB，同时价格也有所下降。由于这一独特优点，Flash Memory在一些较新的主板上普遍采用着，以便使得BIOS升级非常方便，但时也会CIH这样的计算机病毒以可乘之机，让许多计算机饱受磨难。

　　7.Shadow RAM

　　Shadow RAM也称为“影子内存”,是为了提高计算机系统效率而采用的一种专门技术，所使用的物理芯片仍然是CMOS DRAM(动态随机存取存储器，参阅本书后面的内容)芯片。Shadow RAM占据了系统主存的一部分地址空间。其编址范围为C0000～FFFFF，即为1MB主存中的768KB～1024KB区域。这个区域通常也称为内存保留区，用户程序不能直接访问。Shadow RAM的功能就是是用来存放各种ROM BIOS的内容。也就是复制的ROM BIOS内容，因而又它称为ROM Shadow，这与Shadow RAM的意思一样，指得是ROM BIOS的“影子”。现在的计算机系统，只要一加电开机，BIOS信息就会被装载到Shadow RAM中的指定区域里。由于Shadow RAM的物理编址与对应的ROM相同，所以当需要访问BIOS时，只需访问Shadow RAM而不必再访问ROM，这就能大大加快计算机系统的运算时间。通常访问ROM的时间在200ns左右，访问DRAM的时间小于100ns、60ns，甚至更短。

　　8.ECC内存

　　ECC(Error Correction Coding或Error Cheching and Correcting)是一种具有自动纠错功能的内存，Intel的82430HX芯片组就支持它，使用该芯片的主板都可以安装使用ECC内存，但由于ECC内存成本比较高，所以主要应用在要求系统运算可靠性比较高的商业计算机中。由于实际上存储器出错的情况不会经常发生，相关的主板产品还不多，一般的家用与办公计算机也不必采用ECC内存。

　　9. CDRAM(Cached DRAM)

　　CDRAM(Cached DRAM)带高速缓存动态随机存储器)是日本三菱电气公司开发的专有技术，它通过在DRAM芯片上集成一定数量的高速SRAM作为高速缓冲存储器和同步控制接口来提高存储器的性能。这种芯片使用单一的＋3.3V电源，低压TTL输入输出电平。

　　10.DRDRAM(Direct Rambus DRAM)

　　DRDRAM (接口动态随机存储器)是Rambus在Intel支持下制定的新一代RDRAM标准，与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令而变，同一组引脚线可以被定义成地址，也可以被定义成控制线。其引脚数仅为正常DRAM的三分之一。当需要扩展芯片容量时，只需要改变命令，不需要增加芯片引脚。这种芯片可以支持400MHz外频，再利用上升沿和下降沿两次传输数据，可以使数据传输率达到800MHz。同时通过把单个内存芯片的数据输出通道从8位扩展成16位，这样在100MHz时就可以使最大数据输出率达1.6 GB/s。

　　11.SLDRAM(Synchnonous Link DRAM)

　　SLDRAM(同步链接动态内存)是由IBM、惠普、苹果、NEC、富士通、东芝、三星和西门子等大公司联合制定的，一种原本最有希望成为标准高速DRAM的存储器。这是一种在原DDR DRAM基础上发展起来的高速动态读写存储器，具有与DRDRAM相同的高数据传输率，但其工作频率要低一些，可用于通信、消费类电子产品、高档的个人计算机和服务器中。不过，由于各种各样的原因，这种动态存储器难以形成气候。

　　12.VCM(Virtual Channel Memory)

　　VCM(虚拟通道存储器)由NEC公司开发，是一种新兴的缓冲式DRAM，可用于大容量的SDRAM。此技术集成了“通道缓冲”功能，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输，让带宽增大的同时还维持着与传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。

　　13. FCRAM(Fast Cycle RAM)

　　FCRAM(快速循环动态存储器)是由富士通和东芝联合开发的内存技术，数据吞吐速度可超过DRAM/SDRAM的4倍，能应用于需要极高内存带宽的系统中，如服务器、3D图形及多媒体处理等场合，其主要的特点是：行、列地址同时(并行)访问，而不像普通DRAM那样首先访问行数据，再访问列数据。此外，在完成上一次操作之前，便开始下一次操作。不过这并用于主内存，而是用于诸如显示内存这样的其他存储器上。

　　内存的封装

　　构成内存的芯片是封装后来安装在一小条印制电路板上的，从而组成可以出售的“内存条”。目前可见的内存条有72线、168线之分。所谓多少“线”是指内存条与主板插接时有多少个接点，俗称“金手指”，。早期的30线内存条是8位的规格，72线的内存条是32位的规格，168线的内存条是64位的规格。30线内存条在286、386和早期的486微机上使用较多，体积与容量都很小，如果使用在64位数据存取方式的奔腾系统中，就得至少同时使用8条之多，所以随着486以前的个人计算机的衰亡，30线内存条已不多见。32位的72线内存，用在486机上一条就可以了，用于奔腾系统中必须成对使用来组成64位数据存取单元，而168线的内存条本身就是64位的，因此只要单条即可。

　　目前168线的SDRAM内存普遍的使用，某些主板上甚至只提供了168线内存插槽，但支持184线的DDR内存的主板也很多。这两种内存芯片的最新封装技术有以下几种：

　　1.BLP

　　BLP(Bottom Leaded Plastic，底部引出塑封技术)是新一代封装技术中的最常见的，其芯片面积与填充装面积之比大于1:1.1，符合CSP(Chip Size Package)填封装规范。不仅高度和面积极小，而且还进一步提升了电气特性，制造成本也不高，广泛用于SDRAM、RDRAM、DDR等新一代内存制造上。

　　2.uBGA

　　uBGA(Micro Ball Grid Array,微型球栅阵列封装)是Tessera的独家专利技术，其芯片面积与封装面积之比大于1:1.14，适合于高频状态下的RDRAM，但制造成本极高昂，目前主要用于RDRAM。

　　3.TinyBGA

　　TinyBGA(Tiny Ball Grid Array,小型球栅阵列封装)是KingMax的专利rfsy，其芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14，严格说来是BGA封装技术的一个分支，但应用范围并不广泛。

　　著名的KingMax内存一向以高品质著称，它就采用了先进的TinyBGA封装方式，因此产品的大小尺寸是TSOP封装的三分之一，也就是说，同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍。此外，TinyBGA封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，同时其线路阻抗大大减小，芯片速度也随之得到大幅度的提高。

　　内存条的性能指标

　　对于DIY来说，选购的主要内存配件就是内存条，其它的配件大多由主板提供。在本书撰写期间，市面上流行的内存条是SDRAM类型，相信不久就会流行DDR SDRAM。

　　1.速度

　　内存条的速度一般用存取一次数据的时间(单位一般用ns)来作为性能指标，时间越短，速度就越快。普通内存速度只能达到70ns～80ns，EDO内存速度可达到60ns，而SDRAM内存速度则已达到7ns。

　　2.容量

　　内存条容量大小有多种规格，早期的30线内存条有256K、1M、4M、8M多种容量，72线的EDO内存则多为4M、8M、16M，而168线的SDRAM内存大多为16M、32M、64M、128MB容量，甚至更高。

　　3.奇偶校验

　　为检验存取数据是否准确无误，内存条中每8位容量能配备1位做为奇偶校验位，并配合主板的奇偶校验电路对存取的数据进行正确校验。不过，而在实际使用中有无奇偶校验位，对系统性能并没有什么影响，所以目前大多数内存条上已不再加装校验芯片。

　　4.内存的电压

　　FPM内存和EDO内存均使用5V电压，而SDRAM则使用3.3V电压，在使用中注意主板上的跳线不能设错。

　　SDRAM内存条的性能

　　1.时钟周期

　　它代表SDRAM所能运行的最大频率。显然这个数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高。如，对于一片普通的PC100 SDRAM来说，它芯片上的标识10代表了它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHZ的外频下正常工作。根据某厂家的产品表可以得出这种芯片存取数据的时间为为6ns。

　　2.存取时间

　　对于EDO和FPM DRAM来说，它代表了读取数据所延迟的时间。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。如LG的PC100 SDRAM芯片上的标识为7J或7K，将说明它的存取时间为7ns，但它的系统时钟频率依然是10ns，外频为100MHz。

　　3.CAS的延迟时间

　　这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规范内存的重要标志之一。比如现在大多数的SDRAM在外频为100MHz时都能运行于CAS Latency = 2或3的模式下，这时的读取数据的延迟时间可以是二个时钟周期也可以是三个时钟周期，若为二个时钟周期就会有更高的效能。在SDRAM的制造过程中，若将这个特性写入SDRAM的EEPROM(即SPD)中，开机时主板的BIOS就会检查此项内容，并按CL=2这一默认的模式来运行。

　　4.综合性能

　　对于PC 100内存来说，就是要求当CL=3的时候，tCK(System clock cycle time)的数值要小于10ns、tAC(Access time from CLK)要小于6ns。至于为什么要强调是CL=3的时候呢，这是因为对于同一个内存条当成设置不同CL数值时，tCK的值是很可能不相同的，当然tAC的值也是不太可能相同的。关于总延迟时间的计算一般用这个公式：总延迟时间=系统时钟周期*CL(CAS Latency)模式数+存取时间，比如某PC100内存的存取时间为6ns，可设定CL模式数为2(即CAS Latency=2)，则总延迟时间=10ns * 2 + 6ns = 26ns。这就是评价内存性能高低的重要数值。

　　认准PC100、PC133标识

　　使用PC100、PC133标识的内存条是市场上的宠儿，当PC100 SDRAM内存问世后，便出现了许多假冒的PC100内存条，鱼龙混杂，令不少装机者上当受骗。学完了上面的内容，您就有必要来看看什么是PC100、PC133 SDRAM内存条了？

　　按标准运行工作频率。内存条可分为PC66、PC100、PC133等规格，这些也是内存的制造技术标准，如PC100 SDRAM内存条的标准为：电路的各部分线长最大值与最小值为：电路线宽与间距、6层PCB板制作、具备完整的电源层与地线层他每层电路板间距离的详细规格、精确符合发送、载入、终止等请求的时间，以及详细的EEPROM编程规格、SDRAM组成规格、特殊的标记要求、电磁干扰抑制，还可选镀金印刷电路板。按照这些规定生产出来的内存条所提供的数据准确率、稳定性、兼容性与适用性才有保障。普通的内存生产厂家可能也使用高品质厂家所生产的内存芯片，但是与之配套的却是廉价PCB(印刷电路板)，节约制造成本的结果是使得内存条上电路信号在传输过程容易受干扰、很不稳定，容易丢失数据等，产品的质量自然也就不能跟原厂产品相比。其实，某些厂商制造的SDRAM内存条使用的就是4层PCB，而不是推荐的6层板或8层板。4层板的做工是很容易受到物理与机械损害的影响的，它对电磁干扰的屏蔽能力也不如6层板或8层板好。PC100规范明确规定必须使用6层，或更多层PCB，以便在一定程度上保证产品质量。

　　前面说过了，PC133 SDRAM标准是由VIA台湾威盛公司制定的，Intel出于某些原因本来是推行其支持的RDRAM内存，但是因为Rambus工作的频率太高了，使得有许多问题一直无法得到解决，再加上其他诸如价格，使用性等问题，所以PC133 SDRAM最终占了市场的上风。制定此标准是基于这样的情况来考虑的：内存条若要能在133MHz的工作环境下正常工作，在其系统时钟周期tCK(System clock cycle time)的数值的规格部分必须至少为7.5ns，7.5ns刚好就是133MHz，对于PC133规范来说，它的进一步要求是tAC不超过5.4ns、tCK不超过7.5ns。稳定的工作频率为133MHz，所以对于PC133 SDRAM，若没有特别标明，大都是指CAS Latency=3，如果在CL设为2、在系统使用133MHz的外频时发生错误，就不要认为这条内存有问题，因为PC133的规范并不保证CL一定要等于2。PC133 SDRAM的数据带宽1.06 GBytes/Sec(64 bit/8 x 133 MHz)，比Direct RAMBUS DRAM的1.6 GBytes/Sec來得低，可以供给AGP 4X显示卡带宽所用，所以合适新一代计算机系统所使用。

　　PC100 SDRAM内存条也是按Intel公司的PC100标准生产的产品，经此标准认证的内存条是各厂家追求的目标。但由于PC100的认证标准很苛刻，许多厂商难以完全达到测试标准，所以一些厂商往往避开认证过程。既使某个厂商的某一个产品批号进行了兼容性测试，也不一定保证所有产品、所有批号都能满足。另外，主板、内存槽和芯片组等生产厂商也可能没有为PC100 SDRAM的稳定工作提供一个稳定的、容错的电气环境。某些知名度很高的厂商，为保证产品质量，进行了广泛的设计模拟，时序分析，为系统提供了稳定的电气工作环境。而一些厂商为降低研发费用，在设计阶段省略了这些过程，使得内存不能稳定可靠工作，导致机器工作出错、死机。所以，本章特地插入这一节，介绍一下PC100标准与相应的内存条标识。PC100规范定义了严格的电气特性，但没有定义标记PC100内存的方案，所以各厂商沿用自己的方法来标记，这就给用户识别鉴定内存造成了很大的困难。要满足Intel PC100内存规范，首先要满足两个值：

　　TCK(时钟间隔)< 10ns

　　TAC(相对性时钟的数据读取时间)< 6ns

　　认准这两个值后，还应看清满足PC100兼容规范的内存须注明Intel定义的产品号――P/N。一般PC100内存的产品号表示为：

　　PCx-abc-defx:工作频率

　　其中：工作频率用MHz表示(例如：66MHz、100MHz、125MHz、123MHz)。

　　典型的PC100 SDRAM内存条标注是：

　　PC100-322-620

　　CAS等待时间= 3clk

　　TRCD = 2clk

　　TRP = 2clkt

　　TAc = 6ns

　　SPDRev = 1.2

　　使用内存条时，要考虑工作速度和CAS等待时间。工作速度用其在给定频率下时钟时间间隔T表示：T = 1/F此式中F是工作频率。工作频率为125MHz的内存条时钟间隔T = 8ns；工作频率为142.857MHz的内存条时钟间隔T = 7ns；工作频率为166.66MHz的内存条时钟间隔T = 6ns。

　　CAS等待时间定义为：一条读命令沿发出时至数据在输出端可以获取的时延，这个值一般是2或者3个时钟周期，它决定了内存的性能，对内存条系统的工作速度有很大的影响，CAS等待时间为2的芯片，比同等工作频率下CAS等待时间为3的芯片速度更快，性能更好。

　　如果内存条上有SPD(参数存有检测),就无须通过BIOS设定CAS等待时间，芯片组能自动从检测前端工作速度来设定.但这要求芯片组支持SPD功能，而且PC100R内存条上有SPD。

　　注：SPD是DIMM印刷板上一块容量为2048 bit的EPROM。是厂商用于存储SDRAM芯片临界时钟参数、厂商参数及SDRAM芯片的相关特征参数的地方，主板芯片组能通过SPD获得SDRAM DIMM的详尽信息，并以此来正确地设定其工作状态。EPROM(可擦除可编程只读存储器)是一种ROM，可以通过特殊的过程擦除内容并重新使用，又可分为EPROM和EEPROM，区别是擦除的方法有所不同。

　　PC133 SDRAM的标准规范为:

　　168 pin脚

　　工作频率133 MHz

　　工作电压3.3 V

　　CL=3

　　tAC不超過5.4 ns

　　tCK不超過7.5 ns