CMOS反相器

VTp  PMOS导通条件：Vgs（th）P<0

VTn  NMOS导通条件：Vgs（th）N>0

当UI=0，     Ugs（N）=0，N管截止，Ugs（P）<0，P管导通，所以Uo=VDD，输出高电平
当UI=VDD，Ugs（N）>0，N管导通，Ugs（P）=0，P管截止，所以Uo=0，输出低电平

即UI=/UO，反相器逻辑符号如下：

 

CMOS反相器特点

(1)  静态功耗极低。在稳定时，CMOS反相器总有一个MOS管处于截止状态，流过的电流为极小的漏电流。

(2)  抗干扰能力较强。由于其阈值电平近似为0.5VDD，输入信号变化时，过渡变化陡峭，所以低电平噪声容限和高电平噪声容限近似相等，且随电源电压升高，抗干扰能力增强。

(3) 电源利用率高。VOH=VDD，同时由于阈值电压随VDD变化而变化，所以允许VDD有较宽的变化范围，一般为+3～+18V。

(4)  输入阻抗高，带负载能力强。