低成本MOS管下管驱动电路原理分析
来源:互联网 发布:形容网络发达的句子 编辑:程序博客网 时间:2024/05/18 16:36
一、单个三极管方式:
DRV低电平时,Q2断开输出V+电平;DRV高电平时,Q2导通输电低电平。这种输出高电平是通过R1实现的,驱动能力较差。输出低电平的能力较强。
二、2个三极管方式:
Q3基极高时:Q1基极被拉低而关断,通过D6把Q2栅极拉低。
Q3基极低时:因R5的上拦使Q1基极被拉高而导通,把Q2栅极拉高。
上面这种省个三极管,其输出低电平的效果不如下这个。
三、3个三极管方式:
上面3种电路:越是前面的成本越低,效果也越差;越是后面的效果越好,成本也越高。不过总体上成本还是可以接受的。
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