Nand flash编程技术

        一、nand flash容量与接口

        1.容量

        nand flash按照面、块、页、字节进行存储空间的管理，以我接触过的两款芯片来说：

        K9K8G08U0A的存储容量为1024MB = 4(planes) * 2K(blocks) * 64(pages) * 2K(Bytes)

        oob区的大小为32MB = 256Mbit = 512K(pages) * 64(Bytes)

        (注：该flash中每一页包括2KB存储空间和64B的oob区信息)

        K9F2G08U0A的存储容量为2Gbit = 256MB = 2(planes) * 1K(blocks) * 64(pages) * 2K(Bytes)

        oob区的大小为8MB = 64Mbit = 128K(pages) * 64(Bytes)

        (注：该flash中每一页包括2KB存储空间和64B的oob区信息)

        2. 接口

        I/O[0-7]：数据、地址、状态和命令共同复用的输入输出口

        CLE：命令锁存使能

        ALE：地址锁存使能

        CE：芯片片选使能

        RE：读使能

        WE：写使能

        WP：写保护使能

        R/B：芯片“就绪/忙”信号

        Vcc：电源

        Vss：地

        N.C：悬空

        二、K9F2G08U0A功能框图、组织结构与支持的命令集

        三、操作步骤

        Nand flash相关寄存器初始化
        给出页地址，发送块擦除命令(0x60/0xd0)，按块(128K)擦除
        给出将要写入数据的起始地址，发送写命令(0x80/0x10)，数据被写入nand flash指定地址
        给出将要读取数据的起始地址，发送读命令(0x00/0x30)，将从nand flash读取指定长度的数据

        四、说明
        通过给定列地址值，我们可以不按页对齐开始，而是从给定地址开始读取数据
        循环读取数据的长度也不必是整页的长度大小，而是根据实际长度来读取，如len = 100
        写入也是同理，不必整页对齐，但这样会降低读写效率
        擦除必须是从整数页开始擦，擦除空间必须是一个block的大小，比如128KB