STM32F05x移植GD32F1x0注意事项

提要：costdown

        前言：本以为能很顺利的移植，结果130这颗芯片虽然是M3的core，实际上外部PIN与GPIO等寄存器结构与M0一致，NVIC部分又与M3一致，简言之，130即有M3的“基因”，也有M0的“基因”，主要这颗芯片是为了与ST的M0芯片抢市场。由于刚上市，所以Library从ST M0的Library基础稍作修改。寄存器名称虽然不一样，但是实际地址与功能是完全一样。下面重点列出在移植过程中，我遇到的问题：

A0：在Keil中，Device选型：

A0：GD32f130c6应当选择STM32F101C6/8，因为该系列寄存器与GD130最接近。左图为100，右图为101，实际130的SPI包含I2SCFGR与I2SPR寄存器。

另外使用STLINK读取的Device，如图：

Q1、EXTI中断无效？

A1:

RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_SYSCFG,ENABLE);SYSCFG_EXTILineConfig(PWR_EXTI_PORT_SOURCE, PWR_EXTI_PIN_SOURCE);

其中在操作SYSCFG寄存器时，必须先使能SYSCFG的CLK，这个问题在M0上也是一样的，但是我在移植过程中，忽略了这点。

导致花了一些时间才找到这个问题。找类似这种bug，两方面着手，一用硬件仿真，看外设寄存器是否与预设一直；二设置完后直接串口打印出来。

Q2、NVIC配置部分需要增加下面两句，M0无此配置，M3则有。

A2:

/* NVIC configuration for priority grouping */NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2); /*定位中断向量表*/NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_FLASH, 0); 

另外中断优先级配置因为有组的概念，所以也有所不同，如;

STM32F051:

<span style="font-family: Arial, Helvetica, sans-serif;">NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPriority = 0x03;  //0x03,与IRRec保持一致</span>

GD130：

NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 1;NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 3;

Q3、EXTI在handler mode进入stop mode后不能唤醒，在thread mode中进入可以唤醒？

A3:

如果在Handler mode进入STOP mode，需要唤醒，则唤醒源的中断优先级必须必进入stop mode的handler 优先级更高。否则同级或更低级的中断无法唤醒，除非退出中断。这也是在thread mode进入可以被唤醒的原因。如在timer2中进入stopmode，在exti按键唤醒。demo：

static void PWR_NVIC_Configuration(void){NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure;/* Enable the EXTIx global Interrupt */NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel = PWR_EXTI_IRQn;NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 1;NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 3;NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd = ENABLE;NVIC_Init(&NVIC_InitStructure);    }static void TIM2_NVIC_Configuration(void){ NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure;/* Enable the TIM global Interrupt */NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel = KEY_TIM_IRQn;NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 2;NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 3;NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd = ENABLE;NVIC_Init(&NVIC_InitStructure);}  

Q4:SPI寄存器区别：

A4：SPIx_CR1 Bit11，051中该bit(CRCL)是CRC length，130是FF16(FF16)是data frame formate；

         SPIx_CR2 bit15-bit8,130中高8位为保留字节，051则有其他定义，如fifo触发值与data size。因此130中没有该库函数：       

    SPI_RxFIFOThresholdConfig(LT8900SPI, SPI_RxFIFOThreshold_QF);  //8bitsize->QF,16bit->HF  

通讯库函数区别：

M0:

/* Send byte through the SPI1 peripheral */SPI_SendData8(LT8900SPI, *pu32Data);/* Wait to receive a byte */while (SPI_I2S_GetFlagStatus(LT8900SPI, SPI_I2S_FLAG_RXNE) == RESET);/* Return the byte read from the SPI bus */return SPI_ReceiveData8(LT8900SPI);

GD130:

/* Send byte through the SPI1 peripheral */SPI_I2S_SendData(LT8900SPI, *pu32Data);/* Wait to receive a byte */while (SPI_I2S_GetFlagStatus(LT8900SPI, SPI_I2S_FLAG_RXNE) == RESET);/* Return the byte read from the SPI bus */return SPI_I2S_ReceiveData(LT8900SPI);

Q5：使用HSE时，有效采样数的区别：

A5:

ST#define HSE_STARTUP_TIMEOUT   ((uint16_t)0x0500) /*!< Time out for HSE start up */GD130：#define HSE_STARTUP_TIMEOUT   ((uint16_t)0x5000) /*!< Time out for HSE start up */

Q6：中断向量表区别，GD兼容051，但又涵盖M3的中断入口。另外051不支持自定义中断入口偏移地址。

A6:

 /* 自动重定位中断向量表 *///NVIC_SetVectorTable(NVIC_VectTab_FLASH, (BaseOfROM - NVIC_VectTab_FLASH));  //CM0不支持该功能 

Q7：GPIO区别：

A7:虽然130为M3，但是GPIO部分与M0的寄存器结构完全一致。

Q8：Flash区别：

A8：虽然130为M3，但是Flash部分与M0结构大概相同，包含对OB区域的读写与读保护等级，多了一个烧断功能，此时不能还原为保护或无保护状态。

        加读保护功能与M0一致，在使用JLink Flash中使用去除读保护是，device必须选择STM32F101系列，否则去除保护功能无效。

        但有部分寄存器位有所不同，如：

    FLASH->ACR = FLASH_ACR_PRFTBE | FLASH_ACR_LATENCY; //M3不支持该设置

Q9:RCC区别：

A9：M0中只有APB总线给外设提供CLK，但是M3中分了两组不同的CLK对应不同的外设，分别为APB1，APB2。如下：

M0:

   uint32_t SYSCLK_Frequency;   uint32_t HCLK_Frequency;   uint32_t PCLK_Frequency;   uint32_t ADCCLK_Frequency;/* PCLK = HCLK */   

   RCC->CFGR |= (uint32_t)RCC_CFGR_PPRE_DIV1;

GD130：

  uint32_t SYSCLK_Frequency;  /*!< returns SYSCLK clock frequency expressed in Hz */  uint32_t HCLK_Frequency;    /*!< returns HCLK clock frequency expressed in Hz */  uint32_t PCLK1_Frequency;   /*!< returns PCLK1 clock frequency expressed in Hz */  uint32_t PCLK2_Frequency;   /*!< returns PCLK2 clock frequency expressed in Hz */  uint32_t ADCCLK_Frequency;  /*!< returns ADCCLK clock frequency expressed in Hz <span style="font-family: Arial, Helvetica, sans-serif;">  </span>

<span style="font-family: Arial, Helvetica, sans-serif;"></span>

   /* PCLK2 = HCLK */    RCC->CFGR |= (uint32_t)RCC_CFGR_PPRE2_DIV1;        /* PCLK1 = HCLK */    RCC->CFGR |= (uint32_t)RCC_CFGR_PPRE1_DIV1;

Q10：ID读取位置：

Flashsize位置不同,130与M3一致，但UID却与M0一致。如：

M0：

#define rFlashSizeReg(*((uint16_t *)(0x1ffff7cc)))#define Stm32_UIDBase(uint8_t *)(0x1ffff7ac)

GD130:

#define rFlashSizeReg(*((uint16_t *)(0x1ffff7e0)))#define Stm32_UIDBase(uint8_t *)(0x1ffff7ac)

Q11：电源特性区别：

A11：

(1)工作电压2.6-3.6V,待机时电流为250uA;；
(2)由于mcu启动功耗大于st，因此mcu稳压电容验证将1uF改为47uF,解决上电瞬间电流过大，电源特性不稳定,电压输出被拉低至2V被强制关机问题;

如下图：

（1）进入stopmode休眠后，sensorpwr关闭，中断唤醒后启动，下图为电源端与sensorpwr端电压图形。GD32端稳压电容为1uF。

           同样由于上电瞬间电压不稳导致无法启动芯片，区别图（3）。

（2）进入stopmode休眠后，sensorpwr关闭，中断唤醒后启动，下图为电源端与sensorpwr端电压图形。STM32端稳压电容为1uF。

3、GD130睡眠后被外部中断唤醒的SensorPwr，SensorPwr端加47uF稳压电容，可以正常启动，但是睡眠后唤醒会出现电压过低关机的现象。

（4）进入stopmode休眠后，sensorpwr关闭，中断唤醒后启动，下图为电源端与sensorpwr端电压图形。GD32端稳压电容为47uF，Sensor端为1uF电容。

综上，由于GD32启动电压较ST高0.6V，导致开机或休眠被唤醒瞬间电压不稳导致关机，图中多次启动是因为按键开关抖动导致多次触发。

（5）待机功耗，如图：