SLC同MLC的区别

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SLC同MLC的区别

我们知道，X25-E同X25-M的最大区别就是前者采用速度更快、数据遗失率更低的SLC封装，那么究竟SLC同MLC的具体区别在哪里呢？接下来我们为读者做一个简单的说明。

SLC全称单层式储存 (Single Level Cell），是指一个Block（块，Flash的基本存储单元，也可称为Cell）只有两种电荷值，高低不同的电荷值表明0或者1，因为只需要一组高低电压就可以区分出0或者1信号，所以SLC最大的驱动电压可以做到很低。

SLC因为结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长，传统的SLC Flash可以经受10万次的读写，因此出现坏Block的几率较小，因为存储结构非常简单，一组电压即可驱动，所以其速度表现更好。不过这种一个 Block只存储一组数据的模式无法在相同的晶圆面积上实现较高的存储密度，所以只能在工艺制程方面努力进步，才能满足用户在容量方面的要求。

SLC与MLC在结构上的区别

MLC（多层式储存—Multi Leveled Cell）是那种充分利用Block的技术，它采用较高的电压驱动，通过不同级别的电压在一个Block中记录两组位信息（00、01、11、10），这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍，这对于曾经工艺制程遇到瓶颈的NAND Flash而言，是非常好的消息。不过MLC除了同制程、同晶圆面积时理论大一倍的记录空间外，存在一些先天的弊端，比如说电压区间更小，Flash就需要更多的CRC校验空间，这会大概占据Block中10%的空间，因此实际使用中同制程同晶圆面积的MLC的容量不到SLC的一倍。

因为电压变化更频繁，所以MLC技术的Flash在寿命方面相较SLC要差一些，官方给出的可擦写次数仅为1万次，也就是说一张512MB的USB 闪存盘，你写入512MB的数据1万次（理论数值），它就报废了。这是MLC技术最致命的缺点。另外MLC技术还有一个缺点，就是它的读写速度不如 SLC。一个Block存储两组位数据，自然需要更长的时间，这里面还有电压控制、CRC写入方式等因素需要考虑。

综合而言，MLC技术在实现大容量方面有优势，但是寿命和性能都只能算是差强人意。SLC技术虽然在寿命和性能方面足以令人满意，但是较高的技术门槛以及实现大容量所需的成本较高成为了限制其发展的重要因素。但就防震、发热量以及运行噪音方面，MCL同SLC相比没有任何区别，面对传统机械硬盘时都绝对具有“秒杀”性的优势。