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目录
1. 问题概览： 2
2. EVDO Access probe power 3
2.1产生问题的现象： 3
2.2问题分析： 3
2.3问题总结： 5
3. PCS MRD sensitivity descend 6
3.1问题产生过程与分析 6
3.2总结 6
4. EVDO CDMA STD 6
4.1问题过程与分析 6
4.2总结 7
5. C.S0038B 9.8.2.1 TxT2P Ramping With Variable Allocation Test 7
5.1问题分析过程 7
5.2总结 9
6. Voice max output power 偏大 10
6.1问题分析过程 10
6.2总结 10
7. EVDO 高温环境max power下降 10
7.1产生问题现象 10
7.1问题分析 11
7.2总结 11
8. 播放MP3灵敏度下降 12
8.1问题分析过程 12
8.2总结 13
9. 充电环境下CDMA 灵敏度下降 14
9.1问题的说明及过程 14
9.2总结 15
10. CDMA CH777 Band Edge 15
10.1问题的说明及过程 15
10.2总结 17
11. OQC 放射测试 18
11.1问题的说明及过程 18
11.2总结 19
12. 工程不良问题 19
1) 工厂SMD返回个别样机精密测试 CDMA CH111 FER下降 19
2) 工厂样机校准PCS_TX_EXP_PWR真不良 20
3) 工厂个别样机GPS测试不良 22

 

1. 问题概览：
Convoy3 项目遇到的射频问题比较多，这些问题的出现与采用QSC6185新平台，以及项目

前期对Verizon运营商的指标测试与要求了解不深有关。本文档描述了在项目中射频传导

相关的主要问题点，供后续项目参考。
Convoy3出现的射频问题主要有以下：
 1：Access probe power
 2：PCS MRD sensitivity descend
 3：EVDO CDMA STD
 4：TxT2P Ramping with Variable allocation test
 5： Voice mode power
 6：高低温环境下EVDO 功率稳定性
 7：10dB耗电问题
 8：播放MP3灵敏度下降问题
 9：充电环境下CDMA灵敏度下降问题
 10：Band edge
 11：工程不良问题
本文主要讲述以上问题在Convoy3上的解决过程，但是每个项目出现问题的原因可能有所

不同，期望能抛砖引玉，起到一定借鉴作用。
 
2. EVDO Access probe power
2.1产生问题的现象：
Convoy3 暴露的Access probe power问题，这个问题其实比较隐蔽，在手动测试Access

probe power时，得到的结果是Pass；但是在EVDO PCS WTM测试中，Access probe power

测试值远远低于指标范围，在每组access probe power输出中，都会探测到有一个异常小

功率信号输出，且持续时间很短。
针对多台样机测试，确认每台样机存在异常小信号输出后，针对该问题的分析，采用以下

拓扑结构抓图进行：
测试环境 测试结果
  
2.2问题分析：
1 基于上述实验中异常信号输出，判断是否为PA的工作状态影响。
在正常工作状态下，测试PA的Vmode（其逻辑控制PA高低增益状态。为高电平时，表示PA

当前处于低增益模式；为低电平时候，表征当前处于高增益状态）与PCS_on(其逻辑控制

PCS频段的PA打开与否。为高电平时，表示PCS PA打开；为低电平时，表示PCS PA关闭)
以下即是针对不同增益模式下的问题分析过程：
实验一：低增益模式下验证时序关系
为了更好的说明问题及实验数据，在实验中对比测试了Pingeer5在同一种状态下的PA时序

关系。（Pingeer5 与 SCH-U680采用同一款PA，同时该手机也支持EVDO）
Pingeer5 测试access probe power性能指标正常。
在PA为低增益模式下测试数据如下：（CELL power：-35dBm情况下测试）
SCH-U680 测试数据 Pingeer5 测试数据

 

 

 

 

从上面的测试波形可以看到，在低增益模式下，SCH-U680在一个接入探测序列中，PCS_ON

信号一直为高电平，即PCS频段的PA一直打开；在Pinger5在一个探测序列中，仅在探测输

出功率时开启PA；
在测试中，Access probe power的输出异常信号时刻点，均在PCS_ON信号上升沿超前与

Vmode信号时刻点引起的。对比目前SCH-U680状态，PCS_ON信号上升沿时，Vmode信号为低

电平，超前与Vmode上升沿时间约15ms；而Pinger5项目，PCS_ON信号上升沿时，Vmode信

号为恒定高电平。
实验二：高增益模式下验证时序关系
在PA为高增益模式下测试数据如下：（CELL power：-95dBm情况下测试）
SCH-U680 测试数据 Pinger5 测试数据
 
 
 
 

从上面的测试波形可以看到，在高增益模式下，SCH-U680在一个接入探测序列中，PCS_ON

信号一直为高电平，即PCS频段的PA一直打开；在Pingeer5在一个探测序列中，仅在探测

输出功率时开启PA；
实验三：固定PA增益模式下Access probe测试
针对SCH-U680 Access probe异常信号输出，将PA Vmode管脚置为恒定低电平，此时PA恒

定为高增益模式下测试Access probe，在高增益模式下其输出正常；
将PA Vmode管脚置为恒定高电平，此时PA恒定为低增益模式下测试Access probe，在低增

益模式下其输出正常；
2.3问题总结：
    基于上述的分析，我们即可以判断由于时序操作上的异常而导致。同时可以看到，这

个时序操作的异常，也会产生另外的不足，即PA长时间使能也会导致静态电流的增加，但

是这在我们项目操作中，由于直接针对射频指标性质的测试，而忽略了我们设计的芯片选

型，原理图设计，PCB设计的理论值计算，而忽略了理论值与实际测试值的细微差异性。
    若是我们能非常明晰的了解我们的设计原理图在最佳设计状态的各项功能指标，这个

问题的分析与排除应该是大有裨益的。
3.  PCS MRD sensitivity descend
3.1问题产生过程与分析
Convoy3 项目在DV1 阶段 PCS MRD sensitivity 一直调试不到最佳状态，CDMA MRD的接

收信号灵敏度可达-109dBm（部分信道-110dBm）；而PCS MRD的接收信号灵敏度仅为-

106dBm（部分信道-106.5dBm）。
对比PCB layout，PCS频段在接收端口平衡接口不能有效的保证Layout为100欧。
再对PCS 频段，MRD链路的PCB走线进行重新计算，在DV2次将走线阻抗值调整使其接近于

100欧。在DV2阶段验证 MRD PCS频段的灵敏度得以改善。
3.2总结
1：Convoy3 项目作为我的也第一个B等级项目开展，在项目前期有点忽略了项目的设计阶

段，在调试阶段中，总是采用元器件的匹配了来进行改善一些射频性能。 在MRD PCS

sensitivity就是一个典型的例子，依赖元器件的匹配来优化MRD sensitivity，只是在调

试了几天后确实是在元器件匹配上难以达到datasheet上描述的指标值后，才确认PCB的走

线与阻抗。在后续项目开展中，更加关注项目在设计阶段的每一个细节，将问题在设计阶

段就进行有效的规避，同时也减少解决问题的时间。
4. EVDO CDMA STD
4.1问题过程与分析
在使用原有标准测试EVDO STD指标时，测试EVDO STD 部分信道fail；（旧标准：STD指标

要求为-30dBm以上，制品技术要求为-28dBm以上，Convoy3项目前期测试部分信道为-

28.5dBm，制品技术判定为fail）
在项目初期，我们主要精力都在进行1X的调试，对于Max current，ACPR，STD等等均是保

证1X链路的情况下，仅完成1X调试确认后对EVDO进行测试验证。
在1X链路调试均完成后，我们测试EVDO STD，不同的样机有一定的差异性，出现部分信道

fail。由于EVDO 链路与1X 链路的RF是共用的，为了调试EVDO STD性能指标，这样务必对

1X链路进行反复的确认，在进行调试过程中比较费时；
在调试进行过程中，我们也对比了EVDO其他的项目平台测试数据，在EVDO STD的确很难再

有更加优化的情况下，难以保证所有样机所有信道均pass并留有一定的余量，查阅了相关

的标准，发现 STD EVDO的测试基准已经变更，即采用新的测试基准测试，测试pass并留

有较大余量。
4.2总结
1 善于去查阅规范与测试基准；RF规范及其演进过程需要做适当了解，验证部门很难去经

常更新测试标准；在EVDO STD调试与验证中，我们在调试了大约一周后查阅新的测试基准

，才知道测试标准已经变更。并反馈给验证部门，同时与本社进行沟通确认，这样更新了

新的测试标准，在新的测试基准上进行测试验证，测试数据均pass并留有较大余量；（实

验室环境的 VEE自动测试是采用旧的基准实现的，针对新规需要手动测试验证）
2  对于EVDO 与1X链路，我们在项目调试过程中要兼容调试，不要只是兼顾1X，待所有参

数确认后再测试EVDO。虽然链路上是共用的，但是1X与EVDO的信号峰均比是有一定差异性

的，所以我们在调试中这点也要予以注意。
5. C.S0038B 9.8.2.1 TxT2P Ramping With Variable Allocation Test
5.1问题分析过程
这个问题是在进行CDG2测试中发现的；CDG2的测试认证主要是针对软件的协议测试，所以

该问题是软件同事反馈给硬件并进行分析与排查的。
 TxT2P Ramping With Variable Allocation Test： 是表述EVDO在不同速率等级下切换

时间；有些类似于硬件上不同调制方式ACM功能的切换时间测试。
下面简要描述测试该协议项的fail报告：
问题：TxT2P Ramping With Variable Allocation Test (fail)
case C.S0038B 9.8.2.1
test report：
RETAP is stopped.
RETAP is started.
Attribute Update Request message is sent with BucketLevelMax01 set to 108.
Tested by Spirent Communications Page 10 of 14 Inspired Innovation
TestDrive II Performance Test Report
Attribute Update Accept(BucketLevelMax01)[05:23:07.983 10-22-2012] message is

received.
The interval of L768 and F1024 is 1872ms, which is greater than 112 * 1.5

slots(279.5625ms).
The interval of L1024 and F1536 is 2168ms, which is greater than 300 * 1.4

slots(698.90625ms).
The interval of L1536 and F2048 is 2312ms, which is greater than 372 * 1.4

slots(866.64375ms).
Verification of Table "Minimum Requirement for TxT2P Ramping Up" failed.
在出现上述fail现象后，针对不同软件版本验证测试与对比，发现不同的软件版本均存在

。但是会出现偶尔pass的情况下，pass的几率约为1/20左右；针对出现的这种概率性Pass

进行分析；主要从电源，MRD打开与关闭及与能减少消耗电流的方向进行测试验证。当将

MRD关闭，LCD灭的情况下，pass的概率会提升；
即可发现，当减小消耗电流的时候，能提高pass的几率，针对电源进行进一步的排查；将

PBA上与RF相关的电源逐一采用外部供电，发现RF_2.2V电源电压采用外部电源供电时，测

试得到的结果均pass并比较稳定，至此即可确认该问题与电源相关，并与RF的电源联系密

切。
在硬件上，首先针对电源电压的稳定性，纹波，带负载能力等各个方面进行验证，但是测

试数据均正常，在不同负载能力下的电源响应速度这一性能指标在当前实验室环境下无法

测试，只能通过外部电源进行尝试并测试，经测试发现，与电源的不同负载下的切换相应

时间相关，至此，针对该问题找到问题的所在，需要寻找方法进行改善该电源指标参数即

可。
     在高通平台网站上，针对电源的指标进行查阅，得到以下与我们项目的差异性：
1  高通平台推荐的DC-DC输出端的电容为两个22uF的电容并联结构，我们项目中为了节约

PCB面积，将电容修改为47uF的电容；
 2 高通平台上对于该路DC-DC输出，提供了一个可供配置的参数，即电源的窄带与宽带输

出模式；在窄带模式下，输出电源的瞬态响应能力较宽带模式要差；高通资料上推荐使用

宽带模式，而我们的项目中使用的是窄带模式（可以参阅高通平台文档修改SMPS寄存器的

参数（参考文档80-VN204-12））；
针对以上不同点，进行测试验证：

U680原理图 
高通原理图 
经过测试验证，修改硬件上的电容参数，即将47uF的电容修改为两个22uF的电容，测试结

果为pass；
在不修改硬件的条件下，将SMPS寄存器配置为宽带模式，测试数据pass；
综合PCB的面积考虑，采用配置SMPS寄存器的方式，配置为宽带模式，该问题得以解决；
5.2总结
1 在解决问题的思路中，我们在实验的同时也不能盲目的操作，先有分析再有实验，以及

数据分析的过程。针对该问题，由于是软件反馈给硬件的，开始实验是有一些盲目的，就

是验证不同阶段的PBA，不同阶段的软件版本进行对比实验，这样在验证过程中就花费了

一定的时间，对问题的分析却没有实质的进展；
 2 RF性能的表现不一定是与RF电路有关，有时候需要与软件射频驱动，协议组配合一起

看问题；在这个问题上，也得到了软件同事针对其他项目该项指标测试的数据与分析过程

，对我们的分析有较好的帮助；在后续的项目开展中，不同的专业组，软件和硬件能针对

解决问题的角度出发，多沟通解决问题；

6. Voice max output power 偏大
6.1问题分析过程
Convoy3项目DV2阶段，本社FCC测试传导功率中，CDMA voice模式下1013信道的最大功率

异常偏大，最大功率达到了26dBm；在低信道，即CH1013～CH193信道，测试Voice模式下

传导功率为25.7dBm左右，到CH194信道及以上就正常了。
通过测试的现象上看，低信道的功率偏大与CODE增加的功率值相当。为了验证这一点，进

入测试模式test command 083即SAR code的影响，将所有CDMA的SAR code值改成0之后，

测试Voice模式下功率正常。
SAR code的工作原理，是检测到RF cable没有插入的时候才起作用，实际测试中发现，在

loopback模式下SAR code是正常工作的（即RF cable插入测试传导时SAR code不起作用）

，而在voice模式下SAR code在RF cable插入时仍然起作用了，因此应该是在VOICE模式下

的SAR code判断有问题，与软件同事沟通检查代码，将判断机制修改后重新测试正常。
6.2总结
1 RF性能的表现不一定是与RF电路有关，有时候需要与软件配合一起看问题。
2 特别是在项目DV阶段，应该对各项指标进行充分的验证与测试；避免在项目送检或后期

处于较被动的位置；
7. EVDO 高温环境max power下降
7.1产生问题现象
Convoy3 在EVDO 模式下，测试USPCS Maximum RF output power ，在高温环境下功率值

下降。以下为原始测试数据（Spec：23～30dBm）：

   高温50 测试          
Samples Output max power（dBm）
 CH25 CH600 CH1175
#1 22.89 22.68 22.85

   高温60 测试          
Samples Output max power（dBm）
 CH25 CH25 CH25
#1 22～23 22～23 22～23
7.1问题分析
针对EVDO功率值在高温环境下的变化，首先确认了电源电压以及消耗电流均正常。按照1X

的理解，在EVDO模式下也会存在高低温环境下的补偿，即根据高通文档查阅修改EVDO 高

低温环境下的补偿参数，以及补偿方法。
经确认，EVDO温度补偿只能在软件代码中看到，如下
   static int16 const bc1_hdr_max_pwr_limit_delta_dB100_vs_temp_tbl[]     = { 

     //@todo: Need data from RF systems          -150, -150,  0,  0,  0,  0, 

0,  0 其中 -150, -150,  0,  0,  0, 0, 0, 0 是对各温度点的补偿，
根据实际测试结果并调试，将补偿参数值更改为-20，-20,0,0,0,0，-20，-30，下面为5

台手机修改后手动自测数据。

   高温50 测试          
Samples Output max power（dBm）
 CH25 CH600 CH1175
#1 24.7~25.1 24.6~24.9 24.2~24.5
#2 24.7~24.9 24.5~24.8 24.1~24.7
#3 24.9~25.1 24.7~24.9 24.0~24.6
#4 24.6~24.9 24.4~24.6 24.3~24.7
#5 24.7~24.9 24.4~24.6 24.1~24.8 

   高温60 测试          
Samples Output max power（dBm）
 CH25 CH600 CH1175
#1 24.5~24.7 24.4~24.5 24.0~24.2
#2 24.5~24.7 24.3~24.5 24.1~24.2
#3 24.6~24.8 24.5~24.6 24.0~24.1
#4 24.4~24.6 24.2~24.5 24.2~24.3
#5 24.5~24.7 24.2~24.4 24.0~24.2
至此，修改补偿后测试验证OK；
7.2总结
在高低温环境试验测试验证中，需要我们考虑的更加全面一些，不要仅顾着1X测试OK了完

成了，在验证中也要确认不同温度条件，不同电压条件下的 EVDO测试参数；
8. 播放MP3灵敏度下降
8.1问题分析过程
 【问题描述】
在放射性能测试时，MP3 playing状态下call通8960的电平值较MP3 Closeing状态下电平

值下降15dB。（制品技术指标要求为6dB）。
 【分析现象】
1 进行异常问题复现，每一台手机均能复现；
2  将MP3 在打开与关闭状态下，针对手机的传导性能进行测试（为了与辐射测试

状态一致，测试传导时采用电池供电），测试传导正常，即在MP3 打开与关闭状态下的

call通电平值均为-109dBm。
3 在辐射状态下测试，去掉MRD天线，GPS天线，马达等器件，同时通过NV关闭MRD

功能测试，将MP3 在打开与关闭状态下，测试call通状态下的电平值相差约15dBm。
4 在辐射状态下测试，调节手机在不同音量下测试，将MP3 在打开与关闭状态下，

测试call通状态下的电平值相差约15dBm。
5 在辐射状态下测试，仅断开与Speak连接的4个磁珠（L600,L601,L602,L603），

将MP3 在打开与关闭状态下，测试call通状态下的电平值一致。
6 在辐射状态下测试，仅断开与手机的两个Speak测试，将MP3 在打开与关闭状态

下，测试call通状态下的电平值一致。
7 在辐射状态下测试，在主板上断开与Speak连接的4个磁珠

（L600,L601,L602,L603），通过飞线的方式将音频输出与Speak连接，将MP3 在打开与关

闭状态下，测试call通状态下的电平值相差约15dB。
8 为了便于焊接操作，采用DV2样机，在主板上断开音频PA的电源（即断开R601）

，采用外部电池供电，在辐射状态下测试，将MP3 在打开与关闭状态下，测试call通状态

下的电平值相差约6dB（较异常问题有改善）。
9 采用DV2样机，在辐射状态下测试，更换多组音频PA的电源供电电容容值（C600

，C602，C611），将MP3 在打开与关闭状态下，测试call通状态下的电平值相差约9dB（

较异常问题有一定改善）。
10 采用DV2样机，使用不同版本验证（所有版本的音频功放I2C时钟速率为400KHz）

，将MP3 在打开与关闭状态下，测试call通状态下的电平值相差约15dB。
11 采用DV2样机，邀请软件一个版本验证（该软件版本的音频功放I2C时钟速率为

100KHz），将MP3 在打开与关闭状态下，测试call通状态下的电平值相差约15dB。
12 对比音频功放I2C时钟速率为400KHz与100KHz的两种不同软件版本，在call通过

程中的现象一样，在MP3 打开与关闭状态下，测试call通状态下的电平值相差均约15dB；

但是速率为400KHz的版本，在MP3打开状态下call通后，FER的门限较MP3关闭时的门限下

降15dB；速率为100KHz的版本，在MP3打开状态下call通后，FER的门限较MP3关闭时的门

限一致；
13 多台PV1次及DV2次样机进行测试，修改音频PA的电源处匹配，基本无改善；将样

机的音频PA电源采用外接电池供电，基本上无改善；
14 通过更换音频PA输出的8个磁珠，验证测试数据，当采用HD系列磁珠（特性要求

直流阻抗低，高频阻抗大），该问题可以改善；但是修改磁珠，若要保证此性能指标，使

用了直流阻抗较大的磁珠，在该条件下，因为Convoy3项目为大音量手机，其speak的最大

电流较大，使用直流阻抗较大的磁珠会引起可靠性设计的风险。
15 基于以上，我们进行进一步的分析，后来针对LCD上的 ESD管由单向修改为双向

，问题得到极大改善，经过验证，修改ESD管既能满足射频性能，音频性能，同时对ESD性

能也不会产生影响。
16 最终针对debug该问题，修订ESD管，并在此基础上修改LCD电容参数，此问题得

以解决。
8.2总结
这个问题的产生最直接的原因，在与音频PA的输出EMI抑制很差，在音频PA的datasheet上

也对该问题进行了重点描述，并对磁珠的选型进行了说明，但是datasheet上的磁珠为大

尺寸的，不能满足我们应用上的要求；
在对这个问题分析过程中，我们也局限在对EMI抑制上，将更多的精力去抑制EMI，而没有

考虑在抑制EMI的同时，避免EMI串到地，与地形成一个回路。就类似于一个红水闸，我们

局限在了堵住洪水，而没有考虑疏导洪水。所以在解决这个问题中花了较长一段时间。
其次，这个问题暴露在PV1阶段，我们在解决问题的思路上，总是依赖于有限的器件去解

决问题。也暴露了我们在项目前期DV阶段验证的不全面性，在DV 阶段进行验证过程中，

通过查找在屏蔽盒中的问题来规避测试验证，这样我们花了较长的时间进行在屏蔽盒中确

认位置，而真正的问题是没有实际改善的；
在后续的项目中，我们也要以此为戒，在项目的前期多进行评估与验证，多角度的验证问

题，任何一个小的问题，在项目后期都会产生项目很大的delay。

9. 充电环境下CDMA 灵敏度下降
9.1问题的说明及过程
   【问题描述】
在美国场测中，对call通接通率进行计算。发现在美国场测测试数据较差，在SGMC模拟进

行测试，发现插入TA后接收信号灵敏度下降，进一步的验证，发现在插入TA后，CDMA频段

的传导灵敏度下降。
由于本问题在SGMC没有进行相关的测试，在PV2次进行场测时才发现该问题。发现该问题

后，对比不同批次的样机发现，在DV阶段，Pre-PV样机测试时，此问题没有复现，只有在

PV1，PV2次时该问题复现。
 【分析结论】
为插入TA后，受TA_5V信号线的影响，CDMA频段的巴伦在PCB板上的物理位置距离TA_5V很

近，从而导致其灵敏度下降。
 【分析数据】
在出现该问题后，对该问题进行分析，并对比不同阶段的SCH-U680进行对比试验分析。
1. 对比DV阶段的SCH-U680，此异常问题在DV阶段上没有复现；
2. 对比Pre-PV阶段的SCH-U680，此异常问题没有复现；
3. 对比DV，Pre-PV阶段的充电相关原理图与PCB布局，从这些差异性着手进行分析

，与DV2此阶段的差异性表现为如下：
DV阶段 PV2阶段
OVP芯片采用NCP347MTAHTBG
(内阻为65m欧) OVP芯片采用RT9718DGQW
(内阻为200m欧)
VPH_PWR旁路电流：
C321=22 u /10V
C312=22 u /10V VPH_PWR旁路电流：
C321=47 u /6.3V
C312=NC
TA_5V旁路电流：
C313=4.7 u /10V
C300=4.7 u /10V TA_5V旁路电流：
C313=10 u /10V
C300=NC
CDMA频段巴伦前端L106=100pF CDMA频段巴伦前端L106=1.2Nh
Ovp芯片外围电阻R654=NC Ovp芯片外围电阻R654=22欧
C306=1000Nf C306=NC
Vbus分压电阻：
R210=27K
R214=47K Vbus分压电阻：
R210=22K
R214=39K
分别按照以上的不同点，以及在布局上的差异进行一一实验，对比发现，在OVP芯片去掉

后，保证焊接的线与CDMA频段巴伦位置上留有一定的距离，这样就能有效的保证插入TA的

情况下没有影响。
4. 基于以上的对比分析，可以看到为OVP芯片接通后 TA_5V的电压影响；
5. 基于此，对TA_5V的电压进行滤波处理，更换不同的电容进行试验确认。在物理

位置上，靠近CDMA巴伦的为R328位置，为此，进行不同的替换试验，将R328更换为不同的

容值进行实验。
6. 对比发现在nf的电容级别参数时，得到的效果为插入TA进行充电后，-106基本无

误码，-108可以进行正常的call通；
7. 以上，针对后期的PBA，对主板的debug方式为将R328修改为47nF的电容；
9.2总结
1 在项目前期，特别是在DV阶段，我们的验证测试要全面； 在以后的项目中，在Pre-DV

阶段整理完整check list，确保在项目前期验证测试充分，将问题在萌芽阶段暴露并解决

；
10. CDMA CH777 Band Edge
10.1问题的说明及过程
    在CDMA/PCS 制式项目中，Band edge的测试我们最为关注的就是CDMA频段CH777。

Band edge的指标要求为-13dBm，在PCS频段 CH25及CH1175的band edge指标一般为-30dBm

以下，留有较大的余量，在调试中仅需要测试验证就可以了；
    由于在2013年3月规格测试认证更新了Band Edge的测试方法，测试模式取均值方式由

LgAv 100 修订为 PAvg方式，后者测试方法导致测试数据恶化2～3dB。所以对于新规测试

验证，我们的测试值余量减小很多，在发射功率值24.5dBm以上的情况下，还容易出现

fail。
对于CDMA频段，CH1011 band edge 一般测试值在-18dBm左右，CH777 band edge测试值就

较为临界，从当前SRC-G的几个项目来看，当输出功率为24.5dBm的时候，CH777 band

edge的指标测试值为-12～-14dBm之间。若是采用BB与RF分来的器件来实现，可以在输出

功率为24.5dBm的时候，CH777 band edge测试值为-14dBm，若是BB与RF集成的高通器件，

测试CH777bandedge的值为-13dBm左右，稍微跳变就会导致CH777bandedge指标fail。
     在CDMA CH777 的发射信号中心频率为848.31MHz，测试Band Edge的频点为849MHz。

中心频率与测试频点频率差值很小。在频率差值很小的情况下，要求测试参数值-13dBm以

下，务必要求脉冲成型系数很小的同时匹配良好。但是对于高通平台，其脉冲成型系数在

内部实现，采用的滤波器方式，以及滤波器的介数，脉冲成型滤波器的性能指标对于我们

来说，我们无法进行更改。只能利用外部PA匹配，电源，以及QSC6185射频输出到PA段的

插入损耗的调试来调整Bandedge指标。但是外部的调试是有限的，最终也只能在-13dBm临

界值。
以下是高通平台，高通网站上对Band Edge指标的性能说明：
Solution Number 00015429
Solution Title How to improve the performance of FCC part 22.917 BC0 OOB

emissions at band edge.
Question:How to improve the performance of  FCC part 22.917 BC0 OOB emissions

at band edge.
Answer: FCC 22.917 specifies that power of any emission outside of the

authorized operating frequency ranges must
  be attenuated below the transmitting power (P) by a factor of at

least 43+10log(P)db.
 In the 1MHz bands immediately outside and adjacent to the frequency

block.
 A resolution bandwidth of 1 percent of the emission bandwidth(-26db)

of fundamental emission of the transmitter may be employed.
1. When TX pwr at +24dbm, 24-(43+10log(P))=-13dbm, when TX pwr at +23dbm, 23-

(43+10log(P))=-13dbm. The absolute limit is -13dbm.
 2. RBW selection. -26db bandwidth of CDMA2000 signal is at around between 1.4

to 1.5MHz. 1 percent is 14K or 15KHz.
3. TIA 603C defined use of mean or average detector.
4. TIA 603C defined sweep speed<= 2000Hz/second. Slower sweep speed will help

for it puts more average in the bucket.
 5. Use of average or max hold is not defined in TIA 603C. 100 time average is

a must to pass the test.
Conclusions,
1. BC0 duplexer or TX SAW can't provide rejection at the band edge for it is

in their pass band.
2. The most stringent are test at Ch1013(center frequency at 824.7MHz), check

the power at frequency of 824MHz.
 And the test at CH777(center frequency 848.3MHz), check the power at 849MHz.

Usually there is less than 1db margin for them.
3. It is related with CDMA modulation. Baseband filter decided the spectrum

roll off.
   It is optimized for inter-chip-interference and can't be modified.
To guarantee to pass this test,
1, Set TX power to as close as possible to lower limit of +23dbm.
2. Use video average and increase sweep time.
10.2总结
此类问题，项目是在PV阶段更新测试方法而引起的，同时受平台局限性，我们的调试显得

有些被动。在后续项目中，我们应该用以下两种方式来进行弥补：
1 在项目前期，特别是在DV阶段，我们的调试方法，调试数据均要保留，对于当时的测试

环境，测试指标均要有数据来说明，这样我们对于后续的参考是有很大参考意义的；
2 在项目开展中，我们对于指标的把控，在项目前期均要留有较大的余量，不要认为指标

pass就OK了，而要追求多项指标的均衡，调试到最佳状态；
3 由于Band Edge指标测试方法的变更，在后续的项目开展中，现有高通平台，我们在项

目开展Pre-DV阶段就要有足够的重视，并留有最大的余量开展。 Band edge 指标是一个

关注频谱资源的指标，虽然在应用角度上不会有任何的影响，但是作为美国运营商开展的

项目，在美国对于频谱资源的使用，频谱的扩展是非常严格的，对于我们美洲硬件RF的同

事来说应该要足够的重视并完善band edge指标。
11. OQC 放射测试
11.1问题的说明及过程
Convoy3 项目在PV阶段前，已经完成了OQC（OQC放射测试是产线检查流程）的自测，并协

同制品技术的同事进行多台样机模拟生产工程进行测试，测试pass；
但是，在PV阶段，为了提高TRP指标参数，人为手动的增加了 radio code参数值，这样在

PV阶段又影响了 OQC放射测试。在修改code后，进行自测，此时发现测试fail，即需要在

新的code的基础上，重新调整RF 传导的相关参数，以保证OQC测试pass。
首先对OQC进行简要说明：
在某些情况下，OQC放射测试时，在切换信道瞬间时存在一定时间段的功率跳变，（由于

OQC放射测试此时取值Loss是在取值为第一次的时的取值），这样可能导致OQC放射测试辐

射值偏高或是偏低。
在此种情况下，需要修改传导功率的稳定性能，以达到辐射OQC放射测试在Spec范围内。

在SCH-U680(Convoy3) 项目上，放射OQC测试，出现PCS Band 200CH 放射Max Power 偏高

达到26.09dBm，而我们的Spec 范围值为22～26dBm，最终通过修改NV5002

（NV_BC1_TX_POWER_COMP1_I）得以改善。
1）解决此问题，首先需要找一个合适的位置，此位置最好能够保证手机在高中低信道取

的loss接近或者是相同。选择位置之所以这么重要，是因为，我们在25,600,1175取loss

，但是却不在这几个信道进行测试。
如果有的信道loss偏大，有的信道偏小，会导致测试信道，个别信道偏大或者是偏小，从

而导致fail。
2）找到了一个合适的位置，测试还是fail。此时需要确认传导参数是不是ok的。
经过确认发现，在OQC测试进行中，自动测试软件测试速度非常快，而且测试的时候使用

的是max/min选项。Convoy3 手机刚好在切换的瞬间，个别信道的功率偏高或者是偏低，

从而导致了方式功率fail。
此问题的改善需要调整NV 参数：
 
【TX_LIN_VS_TEMP[7:0]，TX_SLP_VS_TEMP[7:0]，TX_COMP_VS_FREQ[15:0]】
修改参数值为：-15，-15，0，0，15，15，35，35；
     0，0，0，0，0，0，0，0；
-20，-20，-25，-20，-21，5，1，4，0，-8，-33，-25，-15，-5，-22，-38；
后经过改善NV参数，问题得以解决；
11.2总结
1 此问题的改善，尽量在前期进行模拟工程测试；RF校准之后，NV参数会被保留，特别是

在某些场景下将NV参数进行了备份，这样对于RF参数的更改很麻烦，需要手动更改。
12. 工程不良问题
1) 工厂SMD返回个别样机精密测试 CDMA CH111 FER下降
【问题描述】
在PV1阶段一次SMD进行的样机中，出现个别样机 CDMA CH111 灵敏度为-106dBm，正常样

机 CDMA CH111 灵敏度均为-109.5dBm以下。
针对这一异常问题分析过程如下：
【分析现象】
1 对异常样机测试，现象可以复现，手动测试CH111信道的灵敏度为-106dBm，同时

该信道的最大功率下的电流测试值为590 mA；
2  测试异常手机的相邻信道CH70及CH154最大功率下的电流值为550 mA。
3 对正常手机进行测试，收到测试CH111信道的灵敏度为-109.5dBm，同时该信道的

最大功率下的电流测试值为550 mA，相邻信道的最大功率下的电流为550 mA。
4 经以上实验，初步判断为异常手机无源器件（CDMA双工器）在CH111信道的插入

损耗过大引起，即对异常手机更换双工器；
5 更换双工器后，测试灵敏度为-109.5dBm，最大电流为550 mA。故判断为CDMA双

工器单品不良引起。
6 在制品技术的后来验证测试中，又发现其他两台样机有同类问题。经过验证测试

，重新焊接CDMA双工器后，问题得以解决；
【分析结论】
1  异常手机为CDMA双工器单品不良，导致插入损耗偏大引起。
2  在时间与项目安排允许的情况下，RF工程师也参与到SMD，PBA等工程环节；RF工程师

参与的环节往往是在Mainline中才会有更多的关注，对生产工程SMD ，PBA关注较小，对

PCB的生产，钢网的制作一般是在发现问题后才进行修正；在以后的项目中，在时间允许

的条件下，尽可能的对每一个细节均参与，最大程度避免生产上不良发生；
2) 工厂样机校准PCS_TX_EXP_PWR真不良
【问题描述】
PCS_TX_EXP_PWR_@1088 真不良，实测26.03，SPEC:23~26
【分析现象】
1 对异常样机测试，现象可以复现，校准后的参数如下表所示（手动修改校准脚本

，以使该样机能测试得到不同输出功率下的PDM参数值）；
Item Power L H P/F PDM
PCS_lowgain_01 22.72 19 23 P 57
PCS_lowgain_11 21.25 13 22 P 57
PCS_lowgain_21 11.65 1 13 P 57
PCS_lowgain_31 0.05 -8 1 P 57
PCS_lowgain_41 -10.62 -19 -9 P 57
PCS_highgain_01 30.52 28 32 P 85
PCS_highgain_11 30.23 27 31 P 85
PCS_highgain_21 28.24 21 28 F 85
2 从校准得到的表格可以看到，该样机的输出功率较其他样机偏大。同时多次校准

中偶有伴随PCS_TX_EXP_PWR_@1088 或PCS_TX_EXP_PWR_@1175值偏大的情况出现。
3 从以上现象判断，可能的原因为PCS双工器的插入损耗偏小，PA PCS 频段增益偏

大，微带线插入损耗变小；基于此判断，对相关器件进行替换试验。
4 更换PCS 双工器，重新校准，现象复现，说明PCS 双工器性能正常；
5 更换PA，重新校准样机，校准OK；同时将此PA芯片更换到其他样机上校准测试，

现象复现。
6 经以上实验，判断为PA PCS 频段增益偏大引起的，属于器件的一致性偏差较大

引起，对比其他的校准数据，此不良PA芯片的增益较同批次的增益约大了至少0.5dB以上

；
7 针对在SRC-G实验室的上述分析，为了进一步的说明，将PA不良单品邮寄给供应

商，由供应商进一步的定性，并避免后续发生类似的不良问题。
下图为 PA供应商后续测试反馈的数据截图：
 
从上图可以明显的看到，不良的PA PCS频段的增益较正常样机偏大，从而导致校准

PCS_TX_EXP_PWR不良；
【分析结论】
异常手机为PA芯片不一致性引起，异常样机的PA芯片增益较正常样机PA芯片增益大了至少

0.5dB以上。在后续的项目中，针对单品可能出现的不良问题多与供应商沟通，以及单品

在其他项目上出现的问题及时了解，尽量规避单品异常问题；
3) 工厂个别样机GPS测试不良
【问题描述与分析】
GPS在产线是采用 8960进行测试，测试手段仅仅是看GPS一致性。在DV以及PV阶段中，出

现的GPS不良，表现在测试GPS值超出制品技术定义的范围；
针对GPS出现的不良，在产线上产生，但是由于产线上的仪器受限，仅能用8960进行测试

GPS放射性能。
后经过分析确认，我们项目在GPS出现的不良均是由于工程上不当引起的，表现为以下两

种：
1 SMD 进行过程中的不良，导致LNA 贴偏，不能起到LNA的作用，而导致GPS不良；
2 Mainline过程中的不良，由于螺钉没有安装，导致GPS天线与PAD接触不好，而引起GPS

产线测试不良；
【分析结论】
1 对于生产工程上的任何一个小细节遗漏，对我们项目进行都会产生较大的影响；而在生

产流程上，RF工程师参与的环节往往是在Mainline中才会有更多的关注，对生产工程SMD

，PBA关注较小，对PCB的生产，钢网的制作一般是在发现问题后才进行修正；在以后的项

目中，在时间允许的条件下，尽可能的对每一个细节均参与，最大程度避免生产上不良发

生；