STM32L-Power control(PWR)

缩写解析：

BOR  ： brown out reset（欠压复位）

RTC  ： real-time clock（实时时钟）

POR  ： power on reset（上电复位）

PDR  ： power down reset（断电复位）

PVD  ： programming voltage detector（可编程电压检测器）

1. 电源供应

如果BOR是有效的，设备的工作电压为：1.8~3.6V（VDD），当电压低于1.65V时，设备会掉电无法工作；如果BOR是无效的，设备的工作电压为：1.65~3.6V（VDD）。

一个嵌入式线性稳压器为内部提供1.2~1.8V的电压

• VDD

如果BOR是有效的，VDD电压范围为：1.8（power on）/1.65（power down）~3.6V；如果BOR是无效的，VDD电压范围为：1.65V~3.6V。

VDD为外部IO和内部稳压器提供电压。

• Vcore

Vcore=1.2~1.8V，Vcore为数字外围设备、SRAM和Flash memory提供电压。它是有内部稳压器产生的。Vcore范围是可选的（与VDD相关）

• VSSA , VDDA

如果BOR是有效的，VSSA,VDDA电压范围为：1.8（power on）/1.65（power down）~3.6V；如果BOR是无效的，VSSA,VDDA电压范围为：1.65V~3.6V。

VDDA为外围模拟设备提供电压：ADC,DAC,复位模块,RC振荡器和PLL。当需要使用ADC时，VDDA电压不能小于1.8V

• VRET-,VERF+

VREF+为输入参考电压。只有在LQFP144，UFBGA132，LQFP100，UFBGA100和TFBGA64封装的才是有效的，其他封装情况下，默认连接到VSSA和VDDA上

• VLCD

VLCD=2.5~3.6V。LCD控制器可由VLCD外部接口或者内部嵌入式升压转换器提供电压。

（1）独立的AD和DAC 转换器供给和参考电压

为了提高转换精度，ADC和DAC有独立的电压供给，可分别的进行电源滤波和隔离PCB中的噪声

• 单独的VDDA为ADC提供电压
• 分离的VSSA为地

在BGA 64封装和所有100接口封装及以上的设备有以下特性：在低电压情况下，为了保证较高的转换精度，用户可以将VERF+连接到一个外部电压上（低于VDD）。对于ADC或DAC，VREF+为最大输入输出电压值。

• ADC

-- 2.4V =< VREF+ = VDDA ，全速（ADCCLK=16MHZ，1Msps）

-- 1.8V =< VREF+ = VDDA ，中速（ADCCLK=8MHZ，500Ksps）

-- 2.4V =< VREF+ < VDDA ，中速（ADCCLK=8MHZ，500Ksps）

-- 1.8V =< VREF+ < VDDA ，低速（ADCCLK=4MHZ，250Ksps）

-- 当设备电压范围选择为3（Vcore=1.2V）时，ADC为低速（ADCCLK=4MHZ，250Ksps）

• DAC

-- 1.8V =< VREF+ < VDDA

• 当VDDA高于2.4V时，VREF+电压范围应为：2.4V~VDDA

• 当VDDA低于2.4V时，VREF+必须等于VDDA

（2）独立的LCD供给电压

VLCD可用于控制LCD的对比度。该接口可用于以下两种情况：

• 可接收有外部电路提供理想的最大电压（通过MCU为段式或一线LCD提供电压）

• 同样可以连接到一个外部电容上，用于MCU的升压转换器上。该升压转换器由软件控制，并为段式或一线LCD提供电压

提供给段式或一线LCD的电压决定了LCD的对比度。你可以通过控制其占空比或死区来减少对比度。

• 当一个外部电压为VLCD提供电压时，其电压范围应为：2.56~3.6V，且与VDD无关

• 当LCD机遇内部升压转化器时，VLCD应该连接到一个电容上（见产品数据手册）

（3）RTC和RTC备份寄存器

RTC是一个独立的BCD计时器。RTC提供时钟和日历、两个可编程闹钟中断、一个可编程周期性唤醒标志及中断功能。RTC包含了20个数据备份寄存器（80 bytes）（in medium density devices）或 32个数据备份寄存器（128 bytes）（in high and medium+ density devices）。当篡改事件发生时，这些寄存器会被复位。

RTC寄存器使用：

刚复位时，RTC寄存器处于写保护状态，为了使用RTC寄存器，需要进行按照以下步骤进行操作：

1. 使能电源接口时钟（设置RCC_APB1ENR寄存器中的PWREN）

2. 设置PWR_CR寄存器中的DBP位

3. 配置RCC_CSR寄存器中的RTCSEL[1：0]选择RTC时钟源

4. 使能RTC时钟（设置RCC_CSR寄存器中的RTCEN位）

（4）电压调整器

一个内嵌线性电压调整器可用于所有数字电路（除了待机中的电路）。调整器的输出电压（Vcore）可以通过编程设置为三种不同的范围（1.2-1.8V）

复位后，电压调整器一般是使能的。它更具应用的模式可以工作在三种不同的模式下：main（MR），low power（LPR）和power down

• • 在运行模式下，调整器处于main（MR）模式下，并为Vcore domain提供全功率（core、memories和digital peripherals）

  • 在低功耗运行模式下，调整器处于low power（LWR）模式下，并为Vcore domain 提供低功耗，保留寄存器及内部SRAM数据

  • 在睡眠模式下，调整器处于main（MR）模式下，并为Vcore domain提供全功率，保留寄存器及内部SRAM的数据

  • 在低功耗睡眠模式下，调整器处于low power（LWR）模式下，并未Vcore domain提供低功耗，保留寄存器及内部SRAM数据

  • 在待机模式下，调整器处于关闭状态，除了待机电路之后，寄存器及SRAM中的数据都会丢失

（5）动态电压调节管理

动态电压调节管理是一项电源管理技术，根据不同的情况，增加或减少Vcore的电压。增加Vcore类似于过压，其用于提高设备的性能；减少Vcore类似于欠压，其用于节省能源。

Range 1：

Range 1为高性能范围。电压调整器输出1.8V电压（VDD电压为2.0V）。在该范围内，Flash编程和擦除操作均可操作。

Range 2 和 3：

调整器可被编程为输出1.5V（range 2）和1.2V （range 3）（VDD电压无任何限制1.65V~3.6V）

• • 在1.5V的时候，Flash 存储器仍是有效的，但读取时间为中等。这是一个中等性能的范畴。编程和擦除Flash 存储器仍是可操作的。

  • 在1.2V的时候，Flash 存储器仍是有效的，但读取时间较慢。这是一个低性能的范畴。编程和擦除Flash存储器是不可操作的。

     

（6）动态电压调节配置

为了修改电压调整器ranges，需要按照以下步骤操作：

1. 检测VDD以确认可使用那些ranges

2. 轮询VOSF位直到该位为0（PWR_CSR寄存器）

3. 通过配置VOS[12:11]位来配置电压范围（PWR_CR寄存器）

4. 轮询VOSF位直到该位为0（在配置期间系统时钟是停止的，直达VOSF=0）

（7）当VDD低于2.0V时，电压调整器和时钟管理

当Vcore range 1 被选中且VDD 降到低于2.0V时，应用必需重新配置系统。按照以下三个操作步骤进行系统的重新配置：

1. 检测VDD降到低于2V：使用PVD来检测VDD电压和当电压低于所选择的范围则会产生一个终端。为了检测2.0V的电压阀值，应用可以选择PVD临界值2（典型为：2.26V）

2. 修改时钟频率（与下面选中的电压 range有关：低于2.0V，系统时钟频率被限制在16MHZ（range 2）和4MHZ（range 3））

3. 选择需要的电压范围，注意电压低于2.0V，只能选择range 2 或者range 3 

（如果当前电压range为2/3，当电压下降到低于2.0V时，系统无需重新配置仍可正常工作）

（8）当修改Vcore range时，电压调整器和时钟管理

当VDD高于2.0V时，三种电压范围均可选择：

• 当前电压范围大于目标电压范围时（如：range 2/3）

a）修改时钟频率

b）选择所需的电压范围

• 当电压低于目标电压范围时（如：range 1）

a）选择所需的电压范围

b）如有必要的可调整时钟频率

当VDD低于2.0V时，只可选择range 2/3

• 从 range 2 切换到 range 3

a）修改时钟频率关联到range 3

b）选择电压 range 3 

• 从 range 3 切换到 range 2

a）选择电压 range 2

b）如有必要可调整时钟频率

2. 电源检测

设备有内部的上电复位（POR）/掉电复位（PDR），欠压复位（BOR）电路。当设备工作在1.8~3.6V之间时，BOR默认情况下是使能的，并且保证了从1.8V开始正常工作。当电压到达了1.8V的伐值时，将引起复位（the option byte loading process starts），确认或者修改默认伐值，或者永久关闭BOR（在这种情况下，VDD最小值为1.65V）。当设备工作在1.65~3.6V之间时，BOR是永久失效的。因此，设备的启动时间可以减少到1ms。

5种BOR的阀值（1.65~3V）可以通过选择字节进行配置。为了减少待机模式下的功耗，内部电压参考VERFINT可以自动关闭。当VDD低于指定的阈值时（VPOR,VPDR,VBOR），设备保持在复位模式，并且无需任何外部复位电路。

设备有一个内嵌的可编程的电压检测器，用于监测VDD/VDDA的电压和跟VPVD阀值进行比较。7中不同的PVD（1.85~3.05V，200mv步进）可以通过应用选择。当VDD/VDDA低于或者高于VPVD阀值的时候会产生一个中断，中断可以例行的可以产生警告信息或者令MCU进入到安全的状态中.需要通过应用来使能PVD。

各种的电源检测如下：

（1）Power on reset（POR）/ Power down reset（PDR）

设备具有内部的POR/PDR电路，且允许在1.5V低压下工作。

当上电时，VDD/VDDA低于一个特定的阀值VPOR时，设备保持在复位状态，且不需要多余的外部复位电路。POR默认是使能的，且POR的默认阀值为1.5V。

当掉电时，VDD下降到低于VPDR阀值时，PDR让设备保持在复位状态。PDR默认是使能的，且PDR默认的阀值为1.5V。

只有当BOR是无效时才可使用POR和PDR。为了保证最新的工作电压（1.65V），BOR需要配置在BOR Level 0。当BOR时生效时，一个灰色区域存在于最小工作电压1.65V和VPOR/VPDR阀值之间，这意味着VDD可以低于1.65V，且只有当到达VPDR阀值时设备才会复位。

（2）Brown out reset（BOR）

设备上电后，BOR会让设备保持在复位状态知道电压到达VBOR阀值。

当设备工作在1.65~3.6V时，BOR是无效的且电压检测用于POR/PDR。由于POR/PDR阀值为1.5V，一个灰色区域存在于最小工作电压1.65V和VPOR/VPDR阀值之间。

当设备工作在1.8~3.6V时，BOR在上电后就是使能的，且其阀值为1.8V。

当设备不再处于复位状态后，BOR level 可以通过选项字节进行重新配置或者使其失效。

如果BOR level 保持在最低水平（1.8V power on和1.65V power down）。系统复位完全由BOR管理，且设备工作电压处于安全范围内。

当通过选项字节使BOR无效时，power down 则由PDR控制，且在1.65V和VPDR之间存在灰色区域。

VBOR可以通过选项字节进行修改，默认情况下为Level 4 阀值。VBOR阀值可配置为以下5种情况：

• • BOR Level 0（VBOR0）：复位阀值为：1.69~1.80 V

  • BOR Level 1（VBOR1）：复位阀值为：1.94~2.1 V

  • BOR Level 2（VBOR2）：复位阀值为：2.3~2.49 V

  • BOR Level 3（VBOR3）：复位阀值为：2.54~2.74 V

  • BOR Level 4（VBOR4）：复位阀值为：2.77~3.0 V

当VDD下降到低于所选择的VBOR阀值，则会产生复位。当VDD上升到高于VBOR上限时，则会释放复位，设备启动。

BOR可以通过选项字节使其失效。为了失效BOR功能，需要在VDD>VBOR0的情况下运行选项字节编程时序。

BOR阀值滞回约100mv

（3）可编程电压检测器（PVD）

你可以使用PVD来检测VDD电源，且与一个阀值进行比较（通过PWR_CR的PLS[2:0]位进行选择）。

PVD可以用于外部模拟电压输入（PVD_IN），会与内部VERFINT进行比较。当PLS[2:0]=111时，需要配置PVD_IN（PB7）为模拟模式。可以通过置位PVDE为来使用PVD。

PVODO标志是有效的（位于PWR_CSR），可用于识别VDD是低于还是高于PVD阀值。该事件连接到了EXTI16，若配置了EXTI寄存器则可产生中断。当VDD上升到高于PVD阀值或者下降到低于PVD阀值时（与EXTI16上的边缘配置有关）会产生中断。可应用于通过中断服务处理紧急的关机任务。

（4）内部参考电压（VERFINT）

跟内部参考电压相关联的功能有：BOR、PVD、ADC、LCD和比较器（comparators）。内部参考电压默认是生效的。

内部参考电压的功耗并不是可忽略的，尤其是在停止和待机模式下。为了减少功耗，可以通过PWR_CR寄存器的ULP位令内部参考电压失效。然而，在这种情况下，当退出停止/待机模式时，在内部参考电压启动过程中（达3ms），由内部参考电压管理的功能是不可靠的。

为了减少唤醒的时间，设备可以再退出停止/待机模式时不等待内部参考电压启动。在进入停止/待机模式前，需要设置PWR_CR寄存器中的FWU（fast wakeup）位。

如果ULP被置位了，在进入到停止/待机模式前，所有相关功能将会失效，另外无论FWU为多少，只有当内部参考电压完全启动之后才会再次生效。可通过PWR_CSR寄存器中的VERFINTRDYF位来判断内部参考电压是否已经准备就绪。

3. 低功耗模式

默认情况下，在经过一个系统/power on复位后，MCU处于运行模式。在运行模式下，CPU时钟由HCLK驱动，同时程序代码将会被执行。当CPU不需要保持在运行模式下时，有多种低功耗模式可供选择以节省功耗（例如等待一个外部事件时）。这由用户来选择所运行的模式以在低功耗、性能、启动时间和可用唤醒源上做出最好的衡量。

设备提供了五种低功耗模式：

• • 低功耗运行模式：调整器处于低功耗模式下，限制了时钟频率和可运行外设的数量

  • 睡眠模式：Cortex-M3 core 处于停止，外设保持运行

  • 低功耗睡眠模式：Cortex-M3 core 处于停止，限制了时钟频率和可运行外设的数量，调整器处于低功耗模式下，RAM 掉电，Flash停止

  • 停止模式：所有时钟停止，调整器继续运行，并处于低功耗模式下

  • 待机模式：Vcore domain 关机

另外，可以通过以下操作减少在运行时的功耗：

• • 减少系统时钟频率

  • 关闭不使用的外设时钟

 

（1）低功耗模式下的时钟行为

APB外设和DMA时钟可以通过软件进行关闭。

a）睡眠和低功耗睡眠模式

在睡眠和低功耗睡眠模式下，CPU的时钟处于停止状态。寄存器接口时钟（FLITF和RAM接口）和所有外设时钟均可通过软件进行关闭。当处于低功耗睡眠模式时，FLITF接口时钟处于停止状态，而RAM接口时钟处于掉电状态。AHB总线到APB总线的桥时钟可以通过硬件进行关闭（当所有外设时钟均处于关闭状态时）。

b）停止和待机模式

在停止和待机模式下，系统时钟和所有高速时钟均是处于停止状态：

• • PLL 无效

  • 内部RC 16MHZ（HSI）振荡器无效

  • 外部1~24MHZ（HSE）振荡器无效

  • 内部65KHZ~4MHZ（MSI）振荡器无效

当通过中断退出停止模式或者复位退出待机模式时，内部MSI被选择为系统时钟。当设备退出停止模式时，之前的MSI配置仍是有效的（range和trimming value）。当设备退出待机模式时，range和trimming value被重置为默认的2MHZ

如果当前正在执行Flash操作或者存取APB domain，停止和待机模式将会延迟到以上操作完成后。

（2）减少系统时钟

在运行时，可以通过分频器来减少系统的时钟（SYSCLK,HCLK,PCLK1，PCLK2）。在进入睡眠模式前，也可以通过这些分频器来让外设减速

（3）关闭外设时钟

在运行时，提供给独立外设的HCLK和PCLK可在任何时候进行关闭操作以降低功耗。

为了在睡眠模式下进一步减少功耗，可在执行WFI或者WFE指令前关闭外设时钟。

外设时钟受以下寄存器控制：AHB peripheral clock enable register（RCC_AHBENR）、APB2 peripheral clock enable register（RCC_APB2ENR）、APB1 peripheral clock enable register（RCC_APB1ENR）

在睡眠模式时，为了关闭外设时钟可以通过复位RCC_AHBLPENR和RCC_APBxLPENR相应的位

（4）低功耗模式--Low power run mode（LR run）

在运行时，为了进一步减少功耗，调整器可以配置为低功耗模式，在该模式下，系统的频率不应超过 f_MSI range 1

Note：当APB1时钟频率低于7倍的RTC时钟，为了读取RTC日历寄存器，应用需要读取calendar time和data寄存器两次。如果第二次读取到RTC_TR的数据域第一次读取到的一致，则可保证数据的正确性，否则需要进行第三次读取操作。

只有当Vcore处于range 2 时才可进入到低功耗模式下。另外，当运行在低功耗模式下，禁止使用动态电压调节。只有低功耗模式被选中时，停止和睡眠模式+调整器处于低功耗模式才是被允许。

Note：在低功耗模式下，所有的IO接口跟在运行模式下保持一样的状态

a）进入低功耗模式

可通过以下步骤进入低功耗模式：

• • 通过RCC_APBxENR和RCC_AHBENR寄存器使能或者关闭每一个数字IP时钟

  • 系统时钟频率需要下降到不得超过f_MSI range 1

  • 通过置位LPRUN和LPSDSR强制让调整器运行在低功耗模式下

b）退出低功耗模式

可通过以下步骤退出低功耗模式：

• • 配置调整器运行在main regulator mode

  • 如果有需要，开启Flash存储器

  • 按需要增加系统时钟频率

（5）睡眠模式

a）进入睡眠模式

通过执行WFI（wait for interrupt）或WEF（wait for event）执行可以进行到睡眠模式下，睡眠模式的进入机制有两种选择（根据cortex-M3 system control register 的SLEEPONEXIT位）

• • sleep-now：如果SLEEPONEXIT被清除，当WFI/WEF指令被执行时，MCU则进入睡眠模式

  • sleep-on-exit：如果SLEEPONEXIT被置位，当最低优先级的ISR退出时，MCU则进入睡眠模式

b）退出睡眠模式

如果是通过WFI进入到睡眠模式的，发生任何能被NVIC所确认的外设中断均会将设备从睡眠模式中唤醒

如果是通过WEF进入到睡眠模式的，一检测到有事件发生时，设备将从睡眠模式中唤醒

唤醒事件可由以下产生：

• • 在外设控制寄存器中使能一个中断（在NVIC中不使能该中断），使能Cortex-M3系统控制寄存器中的SEVONPEND位。当MCU被WFI唤醒时，外设中断状态位和外设NVIC IRQ状态位（使用NVIC 中断状态清除寄存器）需要清除。

  • 配置一个外部或者内部EXTI为事件模式，当MCU被WFE唤醒时，由于事件行中的状态位没有置位，所以不需要清除外设中断状态位和外设NVIC IRQ状态位

该模式提供了最短的唤醒事件，由于没有时间消耗在进入或退出中断中。

（6）低功耗睡眠模式（LP sleep）

a）进入低功耗睡眠模式

通过配置电压调整器处于低功耗模式，并且执行WFI/WEF指令，则可进入到低功耗睡眠模式。在该模式下，Flash memory是不可用的，但RAM存储器则是可用的。

在该模式下，系统时钟频道不应高于 f_MSI range 1。

只有当Vcore 处于range 2 时，才可进入低功耗睡眠模式。

Note：当APB1时钟频率低于7倍的RTC时钟，为了读取RTC日历寄存器，应用需要读取calendar time和data寄存器两次。如果第二次读取到RTC_TR的数据域第一次读取到的一致，则可保证数据的正确性，否则需要进行第三次读取操作。

低功耗睡眠模式的进入机制有两种选择（根据cortex-M3 system control register 的SLEEPONEXIT位）

• • sleep-now：如果SLEEPONEXIT被清除，当WFI/WEF指令被执行时，MCU则进入睡眠模式

  • sleep-on-exit：如果SLEEPONEXIT被置位，当最低优先级的ISR退出时，MCU则进入睡眠模式

根据以下步骤进行操作以进入低功耗睡眠模式：

• • 可通过控制位使Flash memory关闭（FLASH_ACR寄存器中的SLEEP_PD位，更多详情可查看PM0062），该操作虽然减少了功耗，但是会增加唤醒时间

  • 通过RCC_APBxENR和RCC_AHBENR寄存器使能或者关闭每一个数字IP时钟

  • 必需减少系统时钟频率

  • 强制调整器进入到低功耗模式（LPSDSR位）

  • 执行WFI/WEF 指令以进入到睡眠模式

Note：在低功耗睡眠模式下，所有的IO接口跟在运行模式下保持一样的状态

b）退出低功耗睡眠模式

如果是通过WFI进入到睡眠模式的，发生任何能被NVIC所确认的外设中断均会将设备从睡眠模式中唤醒

如果是通过WEF进入到睡眠模式的，一检测到有事件发生时，设备将从睡眠模式中唤醒

唤醒事件可由以下产生：

• • 在外设控制寄存器中使能一个中断（在NVIC中不使能该中断），使能Cortex-M3系统控制寄存器中的SEVONPEND位。当MCU被WFI唤醒时，外设中断状态位和外设NVIC IRQ状态位（使用NVIC 中断状态清除寄存器）需要清除。

  • 配置一个外部或者内部EXTI为事件模式，当MCU被WFE唤醒时，由于事件行中的状态位没有置位，所以不需要清除外设中断状态位和外设NVIC IRQ状态位

当通过中断或时间推出低功耗睡眠模式时，调整器配置为main regulator mode，如果需要可以开启Flash memory，同时可提高系统时钟频率。

当调整器运行在低功耗模式时，从低功耗睡眠模式下唤醒时额外增加了启动延时。

  

（7）停止模式

停止模式基于Cortex-M3深度睡眠模式（combined with peripheral clock gating）。电压调整期可以配置为正常或者低功耗模式。

在停止模式时，所有位于Vcore domain的时钟将备停止，PLL、MSI、HSI和HSE 均无效。内部SRAM和寄存器将被保留。

为了在停止模式下获取更低功耗，内部Flash存储器一般进入到低功耗模式下。当Flash存储器为低功耗模式时，从停止模式唤醒时会增加额外的唤醒时间。

为了在停止模式下获取最小功耗，在进入停止模式前，可关闭VREFINT,BOR,PVD和温度传感器。在退出停止模式时（using ULP bit in the PWR_CR register），可以通过软件设置使之前关闭的功能重新开启

Note：在停止模式下，所有的IO将保持正常模式下的状态

a）进入停止模式

为了进一步减少停止模式下的功耗，内部电压调整器可以设置为低功耗模式（通过配置PWR_CR寄存器的LPSDSR位）

如果Flash存储器编程/访问APB正在运行当中，进入停止模式会延迟到存储器/访问APB完成之后。

在停止模式下，以下特性均可进行独立配置选择：

• • 独立看门狗（IWDG）：写其主要的寄存器或者硬件选项来启动IWDG。启动之后无法停止（除非复位）

  • 实时时钟（RTC）：配置RCC_CSR寄存器的RTCEN位

  • 内部RC振荡器（LSI RC）：配置RCC_CSR寄存器的LSION位

  • 外部32.768kHZ振荡器（LSE OSC）：配置RCC_CSR寄存器的LSEON位

ADC,DAC或LCD在停止模式也会消耗能源，除非在进入停止模式前它们是无效的。为了使它们无效化，ADC_CR2寄存器的ADON和DAC_CR寄存器的ENx位需要配置为0

b）退出停止模式

当退出停止模式时会产生一个中断或者唤醒时间，MSR RC振荡器被选择为系统时钟。

当电压调整器处于低功耗模式时，从停止模式唤醒时会增加额外的唤醒时间。通过保持内部调整器在停止模式下也是生效的，会增加功耗但唤醒时间会减少。

（8）待机模式

待机模式下会得到最低的功耗。其基于Cortex-M3深度睡眠模式，且电压调整器是关闭的。Vcore domain是关闭的。PLL,MSI,HSI和HSE均是失效的。SRAM和寄存器上下文均被丢失（除了RTC寄存器、RTC备份寄存器，待机电路）。

a）进入待机模式

在待机模式下，以下特性均可单独进行配置：

• • 独立看门狗（IWDG）：写其主要的寄存器或者硬件选项来启动IWDG。启动之后无法停止（除非复位）

  • 实时时钟（RTC）：配置RCC_CSR寄存器的RTCEN位

  • 内部RC振荡器（LSI RC）：配置RCC_CSR寄存器的LSION位

  • 外部32.768kHZ振荡器（LSE OSC）：配置RCC_CSR寄存器的LSEON位

b）退出待机模式

当外部复位、IW复位、WKUP捕获到上升沿、RTC 警报、篡改事件或者时间戳事件被检测到时，MCU则会退出待机模式。当从待机状态唤醒时，除了PWR power control/status 寄存器，其他寄存器均处于复位状态。

当退出待机模式后，程序将跟复位后一样的进行运行。PWR_CSR寄存器中的SBF状态为会标示MCU处于待机状态。

b）待机状态下的IO状态

待机模式下，所有的IO处于高阻抗状态，除了以下IO端口：

• • Reset pad（仍有效）

  • RTC_AF1（PC13）如果配置为WKUP2，tamper，time-stamp，RTC Alarm out或者RTC clock calibration out）

  • WKUP1（PA0）和WKUP3（PE6）（若是使能的）

c）调试模式

缺省状态下，当应用让MCU进入到停止或者待机模式下时，调试连接将会丢失（当调试功能被使用）。这是由于Cortex-M3内核已经没有时钟了。

（9）使用RTC和比较器使设备从停止或者待机模式下唤醒

当RTC Alarm event，RTC Wakeup event，tamper evnet，time-stamp event 或者comparator event 发生时（没有外部中断（自动唤醒模式）），MCU从低功耗模式下唤醒。

RTC复选功能可以使系统从停止和待机低功耗模式下唤醒（comparator events 只可使系统从停止模式中唤醒）。

同样可以使用RTC Alarm或RTC wakeup events使系统从低功耗模式中唤醒（没有外部中断）。

RTC可基于时间编程使系统从停止或待机模式下定期唤醒。为了实现该功能，RTC三个可选的时钟源中有两个可以被选择（通过配置RCC_CSR寄存器的RTCSEL[1:0]）：

• • 低功耗32.768kHZ 外部晶振（LSE OSC），该时钟在低功耗模式下提供了精准的时间

  • 低功耗内部RC振荡器（LSI RC），该时钟有可以节省32.768kHZ晶振的消耗。该内部RC振荡器设计的目的为了使用最低的功耗

a）RTC auto-wakeup(AWU) from the stop mode

• 为了通过RTC alarm 事件使系统从停止模式中唤醒，以下步骤是必须的：

<1> 配置EXIT17为上升沿触发（中断/事件模式）

<2>使能RTC alarm中断（RTC_CR）

<3> 配置RTC产生RTC alarm

• 为了通过RTC Tamper或Time-Stamp事件使系统从停止模式中唤醒，以下步骤是必须的：

<1> 配置EXIT19为上升沿触发（中断/事件模式）

<2> 使能RTC Time-Stamp中断（RTC_CR）或RTC Tamper 中断（RTC_TCR）

<3> 配置RTC检测tamper或者time-stamp事件

• 为了通过RTC Wakeup事件使系统从停止模式中唤醒，以下步骤是必须的：

<1> 配置EXTI20为上升沿触发（中断/事件模式）

<2> 使能RTC Wakeup中断（RTC_CR）

<3> 配置RTC产生RTC Wakeup事件

b）RTC auto-wakeup(AWU) from the standby mode

• 为了通过RTC alarm事件使系统从待机模式中唤醒，以下步骤是必须的：

<1> 使能RTC Alarm中断（RTC_CR） 

<2> 配置RTC产生RTC Alarm

• 为了通过RTC Tamper或Time-Stamp事件使系统从待机模式中唤醒，以下步骤是必须的：

<1> 使能RTC Time-Stamp中断（RTC_CR）或RTC Tamper 中断（RTC_TCR）

<2> 配置RTC检测tamper或者time-stamp事件

• 为了通过RTC Wakeup事件使系统从停止模式中唤醒，以下步骤是必须的：

<1> 使能RTC Wakeup中断（RTC_CR）

<2> 配置RTC产生RTC Wakeup事件

c）Comparator auto-wakeup(AWU) from the stop mode

• 为了通过比较器1或比较器2唤醒事件使系统从停止模式中唤醒，以下步骤是必须的：

<1> 配置EXIT21--比较器1或者EXTI22--比较器2检测的边沿模式（上升沿、下降沿或者上下沿）

<2>配置比较器产生事件