读nandflash---根据数据手册K9GAG08U0D

nandflash的操作单位：

nandflash的操作包括读、写和擦除。其寻址单位是页，读写时是以页为单位，擦除时则以块为单位。                                

                           图1：芯片（页）读操作时序图                                                        图2：命令字

按照芯片手册上的时序图得出芯片工作流程；由I/Ox读操作时序（图1）以及命令字（图2）得知

1、发送命令0x00

2、发送五个时序周期的地址：即两个列地址、三个行地址（先发低位、再发高位）

   图3   nandflash地址序列

3、发送命令0x30

4、等待R/B（就绪/忙输出信号线）变成高电平。

5、读取数据

操作nandflash还需一些公共的操作：

最先开始应先使能选中nandflash芯片，再查询nandflash的状态寄存器NFSTAT的0位等于1（ NAND Flash memory ready to operate）如下图

                                

 图4 ：nandflash的状态寄存器NFSTAT的0位

之后再执行以上由时序图得出的命令。最后在失能未选中nandflash芯片。

总结以上从nandflash按页读取数据的步骤；

如下:

1、先使能选中nandflash芯片

2、查询nandflash的状态寄存器NFSTAT的0位等于1

3、发送命令0x00

4、发送五个时序周期的地址：即两个列地址、三个行地址（先发低位、再发高位）

5、发送命令0x30

6、等待R/B（就绪/忙输出信号线）变成高电平。

7、读取数据

8、失能未选中nandflash芯片。

按页读取的代码如下:

//nandflash按页读函数//addr；读取的页地址//buf:要存入的地址void Nand_Read(unsigned long addr, unsigned char* buf){int i;/* 1、先使能选中nandflash芯片 */select_chip();/* 2、查询nandflash的状态寄存器NFSTAT的0位等于1 或者 清除状态寄存器NFSTAT的第4位RnB；使其为高电平，代表前面的命令执行完毕*/clear_RnB();/* 3、发送命令0x00 */send_cmd(0x00);/* 4、发送五个时序周期的地址：依次发送两个列地址、三个行地址 （先发低位、再发高位）*/send_addr(0x00);//列地址A0-A7send_addr(0x00);//列地址A8-A12send_addr((addr)&0xff);//行地址A13-A20send_addr((addr>>8) & (0xff));//行地址A21-A28send_addr((addr>>16) & (0xff));//行地址A29-A31/* 5、发送命令0x30 */send_cmd(0x30);/* 6、等待R/B（就绪/忙输出信号线）变成高电平。*/wait_RnB();/* 7、读取数据 ;读取的整个页：4K*/ for(i = 0; i<1024*4; i++)    {    buf[i] = NFDATA;    }       /* 8、失能未选中nandflash芯片。*/deselect_chip();}

补充nandflash初始化(注意从时序图与芯片手册中得到时序参数值的方法)：

1、初始化NFCONF（配置时序参数）

                    图5：NFCONF需配置的三个时序数值 TACLS、TWRPH0、TWRPH1

由NANDflash芯片手册的命令时序图得出以上寄存器参数的值

                             图6：NANDflash芯片手册的命令时序图

                           图7：NANDflash芯片手册的命令时序时间参数

                   图8：nandflash发送命令及地址操作时序图（6410芯片手册中）

比对图6、图7、图8得出 TACLS、TWRPH0、TWRPH1三个参数的大致值

TACLS：最小值0ns

TWRPH0 : 最小值15ns

TWRPH1 : 最小值15ns

2、初始化NFCONT（使nandflash工作，但不选中芯片）

3、复位（注意操作nandflash的次序：1、选中；2、清除RnB；3、发送命令；4、等待RnB；5、取消选中）

nandflash初始化代码如下：

/*HCLK的频率为100MHZ，周期就为10nsTACLS > 0 nsTWRPH0> 15nsTWRPH1 > 5ns TACLS的值 = HCLK x TACLS > 0nsTWRPH0的值 = HCLK x (TWRPH0 + 1) > 15nsTWRPH1的值 = HCLK x (TWRPH1 +1) > 5ns */#define TACLS 1#define TWRPH0 2#define TWRPH1 1void nand_init(void){/* 1、初始化NFCONF */NFCONF &= ~((7<<12)|(7<<8)|(7<<4)); //先清零NFCONF |= ((TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4)); /* 2、初始化NFCONT */NFCONT = 1 | (1<<1);//使nandflash工作，但不选中芯片    /* 3、复位 */reset();}

void reset(void){//选中芯片select_chip();//清除RnBclear_RnB();//发送命令send_cmd(0xff);//等待RnBwait_RnB();//取消选中deselect_chip();}