内存简介

内存种类

内存主要分为两类：SRAM和DRAM
DRAM：它的基本原件是小电容，电容可以在两个极板上保留电荷，但是需要定期的充电（刷新），否则数据会丢失。缺点：由于要定期刷新存储介质，存取速度较慢。
SRAM：它是一种具有静止存取功能的内存，不需要定期刷新电路就能保存它内部存储的数据。其优点：存取速度快；但是缺点是：功耗大，成本高。常用作存储容量不高，但存取速度快的场合，比如stepping stone

在嵌入式硬件体系中，除了CPU内部的“垫脚石”采用SRAM外，板载内存一般会采用DRAM，而DRAM又可以分为SDRAM, DDR,DDR2等

SDRAM(Synchronous Dynamic Random AccessMemory):同步动态随机存储器.
同步: 内存工作需要有同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以该时钟为基准。
动态：存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失。
随机：是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。

DDR (Double Data Rate SDRAM)，即“双倍速率同步动态随机存储器” 。与早期的SDRAM相比，DDR除了可以在时钟脉冲的上升沿传输数据，还可以在下降沿传输信号，这意味着在相同的工作频率下，DDR的理论传输速率为SDRAM的两倍。DDR2 则在DDR的基础上再次进行了改进，使得数据传输速率在DDR的基础上再次翻倍。

内存内部结构

内存的内部如同表格, 数据就存放在每个单元格中。数据读写时，先指定行号(行地址) ，再指定列号(列地址) ，我们就可以准确地找到所需要的单元格。而这张表格的称为：Logical Bank(L- Bank)。

由于技术、成本等原因，一块内存不可能把所有的单元格都做到一个L-Bank，现在内存内部基本都会分割成4个L-Bank。

要想对内存中某一个单元格的数据进行读写，则首先需要对内存进行寻址，内存寻址信息有三个：
①L-Bank选择信息（用于确定哪个L-Bank）
②行地址
③列地址
一个内存的容量公式为：4*单元格数目*单元格容量=内存容量