STM32F10x Flash 模拟 EEPROM
来源:互联网 发布:学历 英文 知乎 编辑:程序博客网 时间:2024/05/18 01:32
STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM,替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是:一、EEPROM可以按位擦写,而Flash只能按块(页)擦除;二、Flash的擦除寿命约1 万次,较EEPROM低一个量级。ST网站有个Flash模拟EEPROM的范例:AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers(包括源码和文档)。范例在保存修改的数据时,以写入新数据来替代对原数据的修改,并使用两个页面轮流写入,单页写满后进行数据迁移,再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。
不过,范例代码只能保存固定大小的数据(16bits),虽然容易改成不同的固定大小,但实际用起来还是很不方便。我改写了一下,新的特性包括:
- 支持不同大小数据(字符数组、结构体等)的混合存储;
- 增加对数据的校验和(Checksum)检查。
附件提供了源码。使用方法很简单,比如要保存一个字符数组
#include "eeprom.h"
#define TITLE_SIZE 80
#define TITLE_KEY 1
#define POINT_KEY 2
typedef struct {
} Point;
char title[TITLE_SIZE] = "eeprom test string." ;
Point point;
执行必要的初始化操作后,就可以进行写入和读取:
uint16_t result = 0;
FLASH_Unlock();
EE_Init();
result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY, title, TITLE_SIZE);
result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY, &point, sizeof(point));
result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(title, TITLE_KEY, TITLE_SIZE);
result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point, POINT_KEY, sizeof(point));
实现混合存储的办法,是给每个变量附加8字节的控制信息。因此,在存储小数据时会有较大的空间损耗,而在存储较大的数据结构时空间利用率更高(相对于范例)。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中
#define EEPROM_START_ADDRESS ((uint32_t)0x0807F000)
转自http://blog.sina.com.cn/s/blog_a486791c0101fik8.html
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