增强型P沟道mos管（如si2333ds）开关条件

                                                     增强型P沟道mos管（如si2333ds）开关条件

pmos管作为开关使用时，是由Vgs的电压值来控制S（source源极）和 D（drain漏极）间的通断。

Vgs的最小阀值电压为：0.4v，也就是说当 S（source源极）电压 — G（gate栅极）极    > 0.4V 时， 源极 和 漏极导通。

并且Vs = Vd ，S极电压等于D极电压。

例如：

       S极 为 3.3V，G极 为0.1V，则  Vgs = Vg  —  Vs = -3.2 pmos管导通，D极电压为3.3V

一般pmos管当做开关使用的时，S极和D极之间几乎没有压降。

在实际使用中，一般G极接MCU控制管脚，S极接电源正极VCC，D极接器件的输入。实际使用中的一个样例如下：

                                                         

         

  RF_CTRL为低电平的时候，RF_RXD 和 RF_TXD上的电压为 VDD。

下面电路为P沟道MOS管用作电路切换开关使用电路：

电路分析如下：

pmos的开启条件是VGS电压为负压，并且电压的绝对值大于最低开启电压，一般小功率的PMOS管的最小开启电压为0.7V左右，假设电池充满电，电压为4.2V,VGS=-4.2V，PMOS是导通的，电路是没有问题的。当5V电压时，G极的电压为5V，S极的电压为5VV-二极管压降（0.5左右）=4.5V，PMOS管关段，当没有5V电压时，G极电压下拉为0V，S极的电压为电池电压（假设电池充满电4.2V）-MOS管未导通二极管压降（0.5V）=3.7，这样PMOS就导通，二极管压降就没有了这样VGS=-4.2V.PMOS管导通对负载供电。在这里用一个肖特基二极管（SS12）也可以解决这个问题，不过就是有0.3V左右的电压降。这里使用PMOS管，PMOS管完全导通，内阻比较小，优与肖特基，几乎没有压降。不过下拉电阻使用的有点大，驱动PMOS不需要电流的，只要电压达到就可以了，可以使用大电阻，减少工作电流，推荐使用10K-100K左右的电阻。