CPU的制作过程

1. 切割晶圆
   所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个CPU的内核（Die）

2. 影印
   所谓影印（Photolithography),就是在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂覆一种光阻（Photoresist）物质，紫外线通过印制着CPU复杂电路结构图样的模板照射硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。

3. 蚀刻
   用溶剂将被紫外线照射过的光阻物质清除，然后采用化学处理方法，把没有覆盖光阻物质部分的硅氧化物层蚀刻（Etching）掉，再把所有的光阻物质清除，就得到了有沟槽的硅基片。

4. 分层
   为加工新的一层电路，再次生长硅氧化物，然后沉积一层多晶硅，涂覆光阻物质，重新影印、蚀刻过程，得到含多晶体和硅氧化物的沟槽结构。

5. 离子注入
   通过离子轰击，使暴露的硅基片局部掺杂，从而改变这些区域的导电状态，形成门电路，然后不断重复以上的过程。一个完整的CPU内核大约包含20层，层间留出窗口，填充金属以保持各层电路的连接。完成最后的测试工作后，切割硅片成单个CPU核心并进行封装，一个CPU便制造出来了。