NAND flash替换问题

原flash： SAMSUNG K9K8G08U0B

新flash：SPANSION  S32ML08G201TF100

简单介绍：

K9K8G08U0B与 S32ML08G201TF100很相似，都是8Gbits，页大小都是2048bytes

但K9K8G08U0B的SPARE AREA为每页64B，S32ML08G201TF100为128B

问题是这样的：

1.生产了50块板，这些板都是用的新flash，但程序烧录的却是老flash的程序

板子全都起不来

2.板子起不来，就想着通过JTAG（BDI3000）引导ram版的uboot，然后将程序写入nand，但bdi检查不通过，表示cpu已经跑飞了...

问题分析：

1.按道理讲，通过JTAG load起来的ram uboot将uboot的原始程序通过nand write往nand写的时候，是有计算校验的，

我的意思是这个校验是cpu加上的，尽管nand不同，但写入的数据是一样的。通过烧写器（希尔特6100）将芯片内容读出对比也确实证明了这一点。

数据完全一样，新flash却起不来。

冷静思考解决办法，通过修改烧录器的配置字参数，终于有一片flash，bdi可以检查通过，ram uboot跑起来了。

通过nand dump命令查看flash的内容，发现！！！

发现第一页数据都正常，但是第二页却出现了偏差，数据前移了64B，正好卡上下面这张图

道理就是这样，S32ML08G201TF100有128B的SPARE AREA，校验虽然只有64B，但后面的数据会继续填满这128B，这就导致再后面的数据每页往前移动64B

2.按道理来讲，bdi可以配置target（也就是cpu）reset后立刻挂起，进入debug模式，既然reset后等在那，说明cpu什么也没有执行，怎么会跑飞呢？

将芯片格了，bdi就OK了，果然跟数据有关，也就是说，cpu上电或bdi进行reset，cpu是会执行nand中的代码的。

后来想到，毕竟是nand，cpu的nand控制器定会自动将nand的前4K load到SRAM的，然后CPU会小跑一段？

那只能来硬的了，查看cpu手册，将cpu的上电启动改了

原来cpu本身就支持多种上电启动，有ram，nand，reserve...

暂时将cpu的上电改为reserve，bdi可以识别，也可以烧录。

解决办法：

在原来数据基础上在每4K+64后面插入64字节的0xff 这样就适配了新nand的结构

代码如下

/**  COPYRIGHT NOTICE*  Copyright (C) 2016 HuaHuan Electronics Corporation, Inc. All rights reserved**  Author               :Kevin_fzs*  File Name            :/home/kevin/works/projects/ACCUMULATION/C_Program/addOob/addoob.c*  Create Date          :2016/07/21 16:18*  Last Modified        :2016/07/21 16:18*  Description          :*/#include <stdio.h>#include <stdlib.h>#include <string.h>int main(int argc, char *argv[]){        FILE *fd1, *fd2;        char new[70] = {0}, *buf = NULL;        int len = 0;        if(argc<2)        {                printf("Please input pof name");                return 0;        }        printf("file is %s\n",argv[1]);        sprintf(new, "%s-spansion.filebin",argv[1]);        if((fd1 = fopen(argv[1],"rb"))==NULL)        {                printf("open %s error\n", argv[1]);;                return 0;        }        if((fd2 = fopen(new,"wb"))==NULL)        {                printf("open %s error\n", new);;                return 0;        }        printf("processing..\n");        if(NULL == (buf = malloc(2048+200)))        {                printf("malloc failed..\n");                return 0;        }        memset(buf, 0xff, sizeof(buf));        while((len = fread(buf, 1, (2048+64), fd1))>0)        {                memset(buf+(2048+64), 0xff, 64);                fwrite(buf, 1, (2048+128), fd2);                memset(buf, 0xff, sizeof(buf));        }        free(buf);        fclose(fd1);        fclose(fd2);        printf("OK..\n");        return 0;}

附：给领导的文档

关于新flash芯片SPANSION S32ML08G201TF100，烧录进程序后，设备无法启动问题

问题分析

芯片特性差异：

老芯片 SAMSUNG K9K8G08U0B 的PAGE大小为 (2048+64) bytes

新芯片S32ML08G201TF100的PAGE大小为(2048+128) bytes

差异部分为SPARE AREA区域，也就是存放ECC校验的区域

 

CPU方面仍然按(2048+64) bytes大小提取程序，烧录器按(2048+128) bytes烧录

导致程序烧录进去后按每个PAGE向前移动64 bytes，程序乱了板子也就起不来了。

解决办法

按照新芯片的特性，将提取到的程序在每(2048+64) bytes后填充64bytes的校验，补齐到(2048+128) bytes。经过特殊处理后的程序验证通过

 

注意：新老芯片页大小不同，最终的离线烧录程序不同

 

由于已经烧录过的芯片，bdi3000无法识别，只能将芯片取下，重新烧录后，再将芯片焊上

烧录器配置

烧录时间：烧录一块芯片的时间大约为25秒

 

烧录器配置：

 

器件配置字：