stm32掉电前的数据存储到flash

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对FLASH 的操作
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FLASh 必须是先擦 后 写


下面的函数是分析案例
void FLASH_WriteByte(u32 addr ,u16 flashdata1)
{
   FLASH_Status FLASHstatus = FLASH_COMPLETE;
   FLASH_Unlock();//解锁FLASH编程擦除控制器


  // FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
   FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);


             //********************************************************************
            //   FLASH_FLAG_BSY            FLASH忙标志位
            //    FLASH_FLAG_EOP            FLASH操作结束标志位
           //      FLASH_FLAG_PGERR          FLASH编写错误标志位
           //       FLASH_FLAG_WRPRTERR       FLASH页面写保护错误标净        
           //***********************************************************************/


   FLASHstatus=FLASH_ErasePage(addr);//擦除指定地址页
   FLASHstatus=FLASH_ProgramHalfWord(addr, flashdata1);//从指定页的addr地址开始写


   //FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR); 
   FLASH_Lock();//锁定FLASH编程擦除控制
}
   基本顺序：解锁->清除标志位（可以不要）->擦除->写半字->清楚标志位（也可以不要）->上锁。


   如果 FLASH_START_ADDR是宏定义的0x8000000+2048*255
    1. 0x8000000是Flash的起始地址 
    2. 2048是因为我用的是大容量芯片，根据上一笔记Flash地址可以看出芯片每页容量2K，即2048字节，
    3. 255表示芯片的最后一页，这个根据不同芯片而定。之所以从后面页写起可以防止储存数据破坏用户程序。
    4. addr*2是因为每个数据占用2字节（半字），虽然写入的是1字节数据，但是编程是2字节为单位，
             也就是说一个字节的数据也会占用两个字节地址。




这个子函数就是将数据flashdata1写到地址addr中去。数据的长度是可变的。
      当需要读入数据的时候可以直接访问地址，


          如：rdata=*(u16 *)0x08014000;   //读flash中默认数据


              0x08014000是存储的地址。