DRAM(二)

来源:互联网 发布:拔火罐可以减肥吗 知乎 编辑:程序博客网 时间:2024/06/07 06:18

DDR Mode Register Set(MRS)

burst Length:连续读出字节数

burst Type: Sequential (memory device 中bank1 中的地址为0x00,0x01,依次排列);InterLeave(交错模式,bank1的地址为0x00,bank2的地址为0x01)。

CAS Latency:,如图所示为CAS延时。memoryDevice 中的延时需要和控制器中的延时相等。

WR:从写入数据,到预充电的时钟周期。

读时序:

RL = AL+CL

寄存器延时配置(BANKCON2)

RAS:Active命令到Precharge命令的最小时间。

ARFC:指令刷新时间。
CAS:
CAS Latency Controlread/write经过CAS之后有效。

RCD:active命令经过RCD延时之后才能发送read/write命令。
RP:
Precharge命令到发送Active命令时间间隔

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