4.PN结的特性

        这种击穿是电击穿，反向电压及时减小，PN结就不会损坏，不能及时减小。就会产生很大的热，造成热击穿，反向电流增加和温度升高形成恶性循环，烧坏PN结。

        雪崩击穿：就是杂质浓度低的PN结（PN结比较薄），当电压足够大的时候，内电场加强，使载流子获能增加，与晶体原子碰撞，将一部分动能转移给共价键中电子，成为自由电子，产生了电子空穴对，它们又被电场加速，再去撞别的电子，产生新的电子空穴对。这就是载流子倍增效应。（电流是碰撞加强的）

        齐纳击穿：就是杂质浓度高的PN结，空间电荷区正负离子浓度大，反向电压很小就能击穿，内电场直接把价电子从共价键拉出，形成电子空穴对，形成较大的反向电流，称为齐纳击穿。（电流是直接产生的）

       

        PN结的电容效应

        势垒电容：外加正向电压，空间电荷区正负离子数要减少，PN结变薄，外加反向电压，空间电荷区正负离子数要增加，PN结变厚，势垒区正负离子数量随外加电压变化而变化的效应称为势垒电容效应。

        等效上看，势垒电容和PN结内的结电阻是并联的，PN结外加正向电压的时候，PN结电阻很小，势垒电容等效阻抗大，并联主要是结电阻起作用。反向时，PN结结电阻和势垒电容阻抗都不小，不容忽略。所以，势垒电容主要在PN结反偏时起作用。

        扩散电容：外加正向电压的时候，扩散加强，载流子在PN结边界附近浓度最高，距离边界越远浓度越低，呈某种浓度梯度分布，称为扩散电容。电压改变内部电荷存储，主要是加正向电压时起作用。