ARM上电取第一条指令流程

来源:互联网 发布:如何提高免疫力 知乎 编辑:程序博客网 时间:2024/04/29 10:17


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1.1 上电后的第一条指令在哪里?

首先明确:对于ARM芯片,启动时pc值由CPU设计者规定,不同的ARM CPU有不同的值,例如S3C2440芯片上电后PC值被硬件设计者规定为0x0;其他ARM芯片不一定是0x0。

第一章讲述的上电取第一条指令过程以S3C2440为例,该芯片是ARMv4T架构,其他芯片在原理上类似。

S3C2440的启动时读取的第一条指令是在内存0x00地址处,不管是从nand flash还是nor flash启动。

但是上电后内存中是没有数据的,那么0x00地址处的指令是如何放进去的?针对不同的flash(nandflash、norflash),操作方式是不同的,下面讲述从nandflash和norflash启动的不同流程。

 

1.1.1  norflash和nandflash的异同

nandflash:价格低,容量大,适合大容量数据存储,地址线和数据线共用I/O线,所有信息都通过一条线传送,类比于PC的硬盘,

norflash:价格贵,容量小,适合小容量的程序或数据存储,类似硬盘,但是能在其中运行程序;有独立地址线、数据线

sdram:主要用于程序执行时的程序存储、执行或计算,类比于PC的内存

 综上:norflash比较适合频繁随即读写的场合,通常用于存储代码并直接在其中运行。nandflash用于存储资料。

只要知道以上大概区别就行。以下说明ARM从两种flash启动方式的异同。

 

1.1.1.1  ARM从nandFlash启动

若从nandflash启动,上电后nandflash控制器自动把nandflash存储器中的0——4K内容加载到芯片内的起步石(Steppingstone,起步石这个机制是处理器中集成的功能,对程序员透明),即内部SRAM缓冲器中,同时把内部SRAM的起始地址设置为0x0(不同的CPU上电后的PC值不尽相同,对不同的CPU该值也不尽相同),然后把这段片内SRAM映射到nGCS0片选的空间,进而CPU开始从内部SRAM的0x0处开始取得第一条指令,该过程全部是硬件自动完成,不需要程序代码控制。

或许你有个疑问,为什么不能直接把nandflash映射到0x0地址处?非要经过内部SRAM缓冲?

答案是,nandflash根本没有地址线,没法直接映射,必须使用SRAM做一个载体,通过SRAM把剩余的nandflash代码(即剩余的uboot启动代码)复制到SDRAM中运行。

若想从nandflash启动,那么uboot最核心的代码必须放在前4k完成。这4k代码要完成ARM CPU的核心配置以及将剩余的代码拷贝到SDRAM中(若从norflash启动则没有4k这个大小的限制,但是还会在完成最主要的设置后进入SDRAM中运行)。

 

1.1.1.2 ARM从norflash启动

若从norflash启动,则norflash直接被映射到内存的0x0地址处(就是nGCS0,这里就不需要片内SRAM来辅助了,所以片内SRAM的起始地址不变,还是0x40000000),然后cpu从0x00000000开始执行(也就是在Norfalsh中执行)。

      需要说明的是,uboot代码段(.text段)起始位置必须是与上电后PC值一致,即编译uboot时,TEXT_BASE宏必须设置成0x0 ,反汇编uboot文件后,文本段第一条指令的地址也是0.

总结:

1、从norflash还是从nandflash启动,是由ARM的OM1和OM0引脚组合决定

2、不管从norflash还是nandflash启动,S3C2440上电后的pc值为0x0

3、如果某芯片上电后PC值不是0x0,假如是0x38ff0000,那么从norflash启动时,硬件就要自动将其映射到0x38ff0000地址处;如果从nandflash启动,那么硬件就要自动将nandflash中的前4K内容加载到0x38ff0000地址处。

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