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EEPROM 和 flash的区别

存储器主要分两种：RAM 和 ROM

RAM：是易挥发性随机存取存储器，高速存取，掉电数据丢失。
ROM：只读存储器。断电后信息不丢失，存取速度低。

今天主要说ROM，ROM的历史：
ＲＯＭ：出厂后数据就固定，不能改写
PROM：可以改写一次，如需要再改，就只能报废。
EPROM：可以擦除，用紫外线来擦除(需要紫外线照半个小时)
EEPROM：可以随意修改ROM中的内容

EEPROM：可以随机访问和修改任何一个字节，可以为每bit中写入0或者1，数据可以保存100年，可以写入100万次，但是电路复杂成本高，而且不容易做成大容量，大于512K (bytes)就不常见。

flash：和EEPROM最大的不同就是擦除不按字节为单位来擦除，而是用块为单位来擦除，电路简单，并且可以做成大容量，一般上M的ROM都是flash.

flash有又分为 NOR flash 和 NAND flash
nor flash :nor flash数据线和地址线分开，可以实现ram一样的随机寻址 功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。nor flash 一旦损坏便无法再用。

nand flash : nand flash同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。

由于nandflash引脚上复用，因此读取速度比nor flash慢一点，但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。

因为nor flash可以进行字节寻址，所以程序可以在nor flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。