Dynamic ODT
来源:互联网 发布:侠盗飞车3罪恶都市mac 编辑:程序博客网 时间:2024/04/30 16:58
摘自《JEDEC78-3F》
在某种应用情况下,为了更好的提高数据总线的信号完整性,我们需要DDR3 SDRAM的终端阻抗可以不需要通过MRS命令来改变。这种需求由“动态ODT”特性来支持。
1.功能描述
动态ODT功能是由,MR2寄存器的A9与A10位设置成1来使能的。
- 两种RTT值可用:RTT_Nom与RTT_WR
- RTT_Nom的值是由MR1中的A[9,6,2]控制的
- RTT_WR的值是由MR2中的A[10,9]控制的
- 在非写操作的命令中,终端电阻是按照如下规则控制的
- 选择普通终端阻抗RTT_Nom
- 终端阻抗打开/关闭时序是由ODT引脚与延迟参数ODTLon和ODTLoff控制的
- 若一个写命令被锁存,且此时的动态ODT也是使能状态下的,按照如下规则控制
- 写操作后延迟ODTLcnw,终端阻值选择ODT_WR值
- 写操作后根据写操作类型(BL8、BC4、OTF)选择是ODTLcwn8或者ODTLcwn4,终端阻值选择RTT_Nom
- 终端阻抗打开/关闭时序是由ODT引脚与延迟参数ODTLon和ODTLoff控制的
下面列表中显示了动态ODT模式中与odt控制有关的的延迟与时序参数。
在DLL-off模式下,不支持动态ODT特性。用户通过MRS命令来设置RTT_WR,MR2{A10,A9}={0,0}即可禁止动态ODT。
当ODT被置位时,必须保持时间ODTH4为高电平。当一个写命令被SDRAM锁存且ODT是高电平时,ODT必须在写操作后保持高电平至少ODTH4(BL=4)或者ODTH8(BL=8)。ODTH4与ODTH8的测量起点是写命令或ODT锁存到高电平,结束点是ODT锁存到低电平。
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