微机个人笔记-随机存取存储器(RAM)

随机存取存储器(RAM)

重点:物理层面(芯片的角度)的地址。

 

DRAM的特点：由电容构成(电容只要有回路，就有泄漏想象，漏电，所以信息不稳定)

主要特点：

需要定时刷新：定时对存储元进行读或写操作(电容充电、放电)-频率很高。(如今的内存条都是DRAM的)

 

SRAM(静态随机存取存储器)：由双稳态电路构成，存储信息稳定

示例芯片：SRAM 6264

 

SRAM 6264：

容量：8K*8b(8K:指芯片上有8K个单元。8b指一字节)

主要引线：

地址线：A0~A12(address)--2^13=8K

数据线：D0~D7(data)

输出允许信号：#OE(#指低电平有效)

写允许信号：#WE

片选信号：#CS1,CS2(只有#CS1和CS都有效时，芯片才被激活)

 

6264芯片与系统的连接

存储器芯片与系统的连接分为两部分：

1.确定要访问的存储芯片

2.找到芯片后，寻找该芯片上访问单元

注：用芯片的13位地址编码A0~A12寻址片内的每个单元

译码电路设计

译码：将输入的一个高位地址信号通过变换，产生一个有效的输出信号，用于选中某一个存储器芯片，从而确定了该存储器芯片在内存中的地址范围

 

译码方式

全地址译码：用全部的高位地址信号作为译码信号，使得存储器芯片的每一个单元都占据一个唯一的内存地址(无浪费任何地址单元，都被有效的利用在但线路设计复杂)

 

 

例：已知某SRAM6264芯片在内存中的地址为：3E000H~3FFFFH。试画出将该芯片连接到系统的译码电路。

设计步骤：

1.写出地址范围的二进制表示

2.确定各高位地址状态

3.设计译码器。

思路：只要让A13~A19用某个译码器让其输出为0

部分地址译码

用部分高位地址信号(不是全部)作为译码信号，使得被选中的存储器芯片占有几组不同地址范围。