常用存储器的区别

RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM，random access memory(随机存取存储器)的缩写，
SRAM：静态随机存储器，就是它不需要刷新电路，不像动态随机存储器那样，每隔一段时间就要刷新一次数据。但是他集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的。
DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。 而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
SDRAM：同步动态随机存储器，像电脑的内存就是用的这种RAM叫DDR SDRAM。其集成度非常高，因为是动态的，所以必须有刷新电路，每隔一段时间必须得刷新数据。其存储单元不是按线性排列的，是分页的。一般的嵌入式产品里面的内存都是用的SDRAM。
DDR SDRAM：  双通道同步动态RAM，需要刷新，速度快，容量大。(目前电脑就是用的DDR的内存条都好几代了)
ROM：只读存储器的总称。以下这几种红色字体的都是属于ROM
PROM：可编程只读存储器，只能写一次，写错了就得报废，现在用得很少了，好像那些成本比较低的OPT单片机里面用的就是这种存储器吧。
EPROM：可擦除可编程存储器，这东西也比较古老了，是EEPROM的前身，在芯片的上面有个窗口，通过紫外线的照射来擦除数据。非常之麻烦。
EEPROM：电可擦除可编程只读存储器，比之EPROM就先进点了，可以用电来擦除里面对数据，也是现在用得比较多的存储器，比如24CXX系列的EEPROM。
NANDFLASH和NORFLASH都是现在用得比较多的非易失性闪存。NOR采用的并行接口，其特点读取的速度比之NAND快乐很多倍，其程序可以直接在NOR里面运行。但是它的擦除速度比较慢，集成度低，成本高的。现在的NOR的容量一般在2M左右，一般是用在代码量小的嵌入式产品方面。还有就是在ARM9的开发板上可以看见。
而NAND呢，采用的是串行的接口，CPU从里面读取数据的速度很慢，所以一般用NAND做闪存的话就必须把NAND里面的数据先读到内存里面，然后CPU才能够执行。就跟电脑的硬盘样的。但是它的集成度很高，我的ARM9的开发板上面一块256M的NAND还没有一块2M的NOR的一半大，所以成本很低。还有就是它的擦除速度也的NOR要快。要不然的话那就真的悲剧了，假如擦除一块2M的NOR要一分钟，如果NAND的擦除速度比NOR还要慢，那擦除一块256M的NAND不是要几个小时。NAND一般是用在那些要跑大型的操作系统的嵌入式产品上面，比如Linux啊，WINCE啊。NOR可是可以跑，可以把LINUX操作系统剪裁到2M以内，一个产品难道只去跑系统吗？用户的应用程序呢！其实很多时候，一个嵌入式产品里面，操作系统占的存储空间只是一小部分，大部分都是给用户跑应用程序的。就像电脑，硬盘都是几百G，可是WINDOWNS操作系统所占的空间也不过几G而已。