s3c2410/s3c2440对nandflash的读写操作

来源:互联网 发布:php mongodb 长连接 编辑:程序博客网 时间:2024/04/29 23:07
折腾了两三天终于搞定了s3c2440对nandflash的读写操作,s3c2410对nandflash的读写操作资料比较多而s3c2440的资料比较少,两款芯片在nandflash寄存器上有较大的变化,不能通用,需对照datasheet修改。   

 下面讲一下实验过程:

试验目的:使nandflash开始4k代码完成将4k以后代码copy到sdram内运行的功能。

试验内容:采用朗成AT2440EVB-I型开发板,nandflash启动跳线1,3,4在on位置,将head.s和init.c(主要完成初始化,nandflash读写,从nandflash到sdram的代码copy)写入nandflash起始地址(启动地址0x0000),将main.c(完成点亮LED的功能)存放到nandflash的4096地址,但使其在0x30000000(就是sdram的首地址)运行,这就需要nandflash启动后4k的代码将4096起始的代码copy到0x30000000运行。

过程:本来是有源代码的,但那是用在s3c2410上的,将其直接用到AT2440EVB-I型开发板上,失败。将2410和2440datasheet对照一看才知道寄存器有了很大变化,直接用是肯定不行的。查资料才知道2440的nandflash操作资料很少(好像2440的资料都很少,2410比较多),最后查到两个,一个是u-boot在2440上的移植,其中有从nandflash启动的读写函数(copy自vivi),另一个就是AT2440EVB-I型开发板自带的ATBOOT中nand_read.c,对照看了一下差不多,根据这两个资料改写init.c之后还是失败。只好又找资料将“nandflash读写操作”的原理搞清楚了(之前一直没搞清楚代码,只是拿过来用)。再看2410上的代码,发现2440上的少了nandflash的初始化函数,对照datasheet改写寄存器后,led终于亮了。^_^

s3c2410对nandflash读写操作寄存器配置的流程:

1.初始化   

                NFCONF=(1<<15)|(1<<14)|(1<<13)|(1<<12)|(1<<11)|(TACLS<<8)|(TWRPH0<<4)|(TWRPH1<<0);或NFCONF = 0xf830;

(1)enable NAND flash controller(15位)

(2)initialize ECC(12位)

(3)chip disable(11位),使用时再chip enable

(4)设置TACLS=0、TWRPH0=3、TWRPH1=0 //2440采用默认值即可

2.复位      

 (1)NFCONF &= ~0x800;//chip enable

 (2)NFCMD = 0xff; //reset command

(3)while(!(NFSTAT & BUSY))等待NAND flash memory ready to operate

3.读写函数

(1)NFCONF &= ~0x800;/* chip Enable */   

(2)NFCMD = 0;//read0

(3)NFADDR = i & 0xff;      NFADDR = (i >> 9) & 0xff;      NFADDR = (i >> 17) & 0xff;      NFADDR = (i >> 25) & 0xff;/* Write Address */

(4)while(!(NFSTAT & BUSY))等待NAND flash memory ready to operate

(5)*buf = (NFDATA & 0xff);//读数据线

(6)NFCONF |= 0x800; /* chip disable */

 s3c2440对nandflash读写操作寄存器配置的流程:

1.初始化

(1)NFCONT = (1<<0) //enable NAND flash controller

(2)NFCONT |= (1<<1)/* chip disable */

2.复位

(1)NFCONT &= ~(1<<1) /* chip enable */

(2)NFCMD = 0xff; //reset command

(3)while(!(NFSTAT & BUSY))等待NAND flash memory ready to operate

3.读函数

(1)NFCONT &= ~(1<<1) /* chip enable */

(2)NFSTAT |= (1<<2) //NAND_CLEAR_RB ,RnB transition is detected

(3)NFCMD = 0; //READ0,读上半叶

(4) /* Write Address */
             NFADDR = i & 0xff;
             NFADDR = (i >> 9) & 0xff;
             NFADDR = (i >> 17) & 0xff;
             NFADDR = (i >> 25) & 0xff;

(5)while(! (NFSTAT&(1<<0)) );   /*NAND_DETECT_RB,等待NAND flash memory ready to operate*/

(6)*buf = (NFDATA & 0xff);  //读数据线

(7)NFCONT |= (1<<1)/* chip disable */

s3c2440对nandflash读写操作部分源码(仅供学习使用):

/* NAND Flash registers 2440*/
#define NFCONF    (*(volatile unsigned int *)0x4e000000)
#define NFCONT    (*(volatile unsigned int *)0x4e000004)
#define NFCMD    (*(volatile unsigned char *)0x4e000008)
#define NFADDR    (*(volatile unsigned char *)0x4e00000c)
#define NFDATA    (*(volatile unsigned char *)0x4e000010)
#define NFSTAT    (*(volatile unsigned char *)0x4e000020)

#define NAND_CHIP_ENABLE (NFCONT &= ~(1<<1))
#define NAND_CHIP_DISABLE (NFCONT |= (1<<1))
#define NAND_CLEAR_RB (NFSTAT |= (1<<2))
#define NAND_DETECT_RB { while(! (NFSTAT&(1<<0)) );}

/* 在第一次实用NAND Flash前,复位一下NAND Flash */

void reset_nand()
{
 int i=0;
// NFCONF &= ~0x800;
//     for(; i<10; i++);

 NAND_CHIP_ENABLE;

 NFCMD = 0xff; //reset command
 wait_idle();
}

/* 初始化NAND Flash */

void init_nand()
{
// NFCONF = 0xf830;
 NFCONT = (1<<0);
 NAND_CHIP_DISABLE;
 reset_nand();
}

#define BUSY 1
inline void wait_idle(void) {
    while(!(NFSTAT & BUSY));
    NFSTAT |= BUSY;
}

#define NAND_SECTOR_SIZE 512
#define NAND_BLOCK_MASK  (NAND_SECTOR_SIZE - 1)

/* low level nand read function */
int
nand_read_ll(unsigned char *buf, unsigned long start_addr, int size)
{
    int i, j;

    if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK) || (size & NAND_BLOCK_MASK)) {
        return -1; /* invalid alignment */
    }

    NAND_CHIP_ENABLE;

    for(i=start_addr; i < (start_addr + size);) {
        /* READ0 */
        NAND_CLEAR_RB;
        NFCMD = 0;

        /* Write Address */
        NFADDR = i & 0xff;
        NFADDR = (i >> 9) & 0xff;
        NFADDR = (i >> 17) & 0xff;
        NFADDR = (i >> 25) & 0xff;

        NAND_DETECT_RB;

        for(j=0; j < NAND_SECTOR_SIZE; j++, i++) {
            *buf = (NFDATA & 0xff);
            buf++;
        }
    }
    NAND_CHIP_DISABLE;
    return 0;
}