某BCD工艺剖析
来源:互联网 发布:萧山网络问政进化镇 编辑:程序博客网 时间:2024/05/17 22:34
1、BCD工艺以隔离严谨著称。以常规NMOS管为例,design manual上,每一个MOS管都被一圈在P埋层之上的PWELL隔离环构成,但是在版图绘制中并不体现P埋层(PBL),而是只画出PWELL,这是因为该BCD工艺默认做在P埋层之上;同时为了做金属接触,用active和注入区(PP)来定义P+区,在P+区上用通孔CT连接金属。
2、在自对准工艺下,有源区active和扩散区(或者注入区)来产生N+/P+这种金属接触必备的区域。一般,阱用扩散工艺来产生,N+/P+用离子注入来产生。
3、在沟道附近还可以有一层阈值调整层,用以调整阈值。整个NMOS除了隔离环都做在一层NBL上。
4、BCD工艺由于延续了双极工艺的部分复杂度,往往还能用来制作LDMOS(横向双扩散MOS管)。其中一种简单的且不常被提及的是LDMOS for analog,这种LDMOS和常规MOS的最大区别是,其D、S都在NWELL中制作,这样就不像CMOS工艺中,NMOS的源漏电压过高会击穿烦偏的PN结,故可耐高压。此时的栅极就坐在一块P阱上,为了提高栅控能力,poly做的足够覆盖到源漏。
5、开关型的LDMOS,这是常见的LDMOS。其典型特征为:对于一个开关型NLDMOS,其漏坐在NWELL中,源做在PWELL中,源漏之间通过一层N+漂移层连接。
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