S3C6410启动方式及启动流程

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以 Tiny6410 为例，分析S3C6410启动方式及启动流程。
S3C6410手册 03-SystemController：
    Internal clocks will be generated using external clock source as illustrated in Table 3-1. The OM[4:0] pinsdetermines the operating mode of S3C6410X when the external reset signal is asserted. As described in the table, the OM[0] selects the external clock source, i.e., if the OM[0] is 0, the XXTIpll (external crystal) is selected.Otherwise, XEXTCLK is selected.
     
    OM[0] 信号为 S3C6410 时钟源选择信号，当 OM[0] 为 0 时，选择 XXTIpll；当 OM[0] 信号为 1 时，选择 EXTCLK。Tiny6410 OM[0] 接 GND，因此选择的是 XXTIpll。
    OM[4:1] 信号为 S3C6410 启动方式配置引脚。Tiny6410 通过拨码开关控制，拨到 NAND 一侧 OM[4:1] = 0011；拨到 SD 一侧 OM[4:1] = 1111。
    SELNAND 信号用来选择 Flash 存储器类型，当选择 Nand Flash 时，为高电平；选择 OneNand 存储器时，为低电平。Tiny6410 SELNAND 信号接高电平，因此选择的是 Nand Flash。
    EINT13-EINT15 为 IROM 启动方式设备选择引脚。当使用 IROM 启动方式时，S3C6410 运行片内 ROM 固化的代码，并根据 EINT13-EINT15 引脚状态，选择不同的设备启动。Tiny6410 中这三个引脚都为低电平，因此如果选择 IROM 启动，默认的设备是选择 SD/MMC 卡，事实上确实如此。
      
       
    你也许会有疑问，S3C6410 手册中并没有写支持 NAND 启动，相反在 Table3-1 中却出现一个 RESERVED，其实这个RESERVED 就是所谓的 NAND。这些在 S3C6400 手册中可以查看到，S3C6410 的启动方式兼容 S3C6400。
       
    Samsung 有意隐藏 NAND，估计是不想让用户过于依赖传统的 NAND 启动，而改用较新的 IROM 启动。

启动流程分析：
1.NAND 启动：对于 NAND 启动，硬件会自动拷贝 Nand Flash 前面 8K 数据到片内 RAM(Stepping Stone) 中，然后开始从片内 RAM 执行。如果程序大于 8K，必须在前面 8K 代码中完成 DDR 和 Nand Flash 的初始化，并将代码搬运到 DDR 中运行。
2.IROM 启动：对于 IROM 启动，6410 上电复位后会执行 IROM 里面的代码，完成基本的硬件初始化，然后从 SD 卡(假定外部设备使用SD卡)特定扇区拷贝 8K 数据到片内 RAM(Stepping Stone) 中，并跳转到片内 RAM 运行。如果程序大于 8K，必须在前面 8K 代码中完成 DDR 和 SD 卡的初始化，并将代码搬运到 DDR 中运行。 
      
    注意：如果是 NAND 启动，片内内存是映射到地址 0x0-0x2000，如果前面的代码需要使用 C 函数，通常我们使用命令 ldr sp, =8*1024 将栈指针指向片内内存最高处。如果是 SD 卡启动，片内内存保持原来的地址 0x0C000000-0x0FFFFFFF(实际上只有8K可用空间)，如果前面的代码需要使用 C 函数，通常我们使用命令 ldr sp, =0xC002000 将栈指针指向片内内存最高处。   

关于 IROM 启动更详细的资料可以参考：S3C6410 IROM启动分析