S3C6410 NAND启动流程

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http://blog.csdn.net/a475701239/article/details/8557933

S3C6410和2440的NAND启动流程大体一样，也有一些区别。这篇文章主要目的是梳理下S3C6410 NAND启动流程，也给这几天的学习来个总结。

        S3C6410主存的地址范围为 0x0000_0000~0x6FFF_FFFF。主存部分分成四个区域：引导镜像区，内部存储区，静态存储区和动态存储区。

       引导镜像区的地址范围是从0x0000_0000~0x07FFF_FFFF，但是没有实际的映射内存，引导镜像区反映一个镜像，这个镜像指向内存的一部分区域或者静态存储区。引导镜像的开始地址是0x0000_0000。

        内部存储区用于启动代码访问内部ROM和内部SRAM，也被称为Steppingstone。内部ROM地址范围为0x0800_0000~0x0bff_ffff，为只读，当内部ROM启动被选中时，该区域能映射到引导镜像区。内部RAM地址范围为0x0c00_0000~0x0fff_ffff，可读写，当NAND启动被选择时，能映射到引导镜像区。

（图中steppingstone 4K是错误的，不知道为什么，有的芯片资料说是4K，有的说是8K，我请教过别人都是说8K，并且在内部SRAM设置sp为8*1024程序能正常跑，说明8K没有超出范围）

启动流程：

        给板子上电之后，硬件会将nand前8K代码拷贝到steppingstone中，steppingstone会映射到引导镜像区，代码从0x0地址开始执行。可以通过这段启动代码将uboot等加载进SDRAM，实现更多功能。

        这里有个小问题困扰了很久，因为这点跟2440不同，就是为什么nand里8K拷贝进steppigstone后程序从0地址开始跑，而不是0x0c00_0000（steppingstone 地址0x0c00_0000），后来又看了芯片资料，steppingstone会映射到引导镜像区，引导镜像区在映射之前是不指向实际内存地址的。我做了个测试，当8K拷贝完后，我将PC指针分别指向0x0，和0x0c00_0000去执行，发现执行的代码是一样的。所以以0x0，和0x0c00_0000为起始地址的8K代码其实是一样的，都是指向物理地址为0x0c00_0000的这段代码。