S3C2440 与 NAND FLASH(K9F1208)的接线分析

    NAND FLASH 的接线方式和 NOR FLASH,SDRAM 都不一样。以 TQ2440 开发板用的 K9F1208 为例，分析 NAND FLASH 的接线方式。
K9F1208 结构如下图：

 

 

K9F1208 位宽是8 位。
一页： 512byte + 16byte 最后 16byte 是用于存储校验码和其他信息用的，不能存放实际的数据。 一个块有 32 page：（16k+512）byte   K9F1208 有 4096 个块：(64M+2M)byte，总共有64Mbyte 可操作的芯片容量 NAND FLASH以页为单位读写数据，以块为单位擦除数据。
S3C24440 和K9F1208 的接线图如下：

 

下图是 S3C2440 的 NAND FLASH 引脚配置：

当选定一个 NAND FLASH 的型号后，要根据选定的NAND FLASH 来确定 S3C2440的NCON,GPG13,GPG14,GPG15 的状态。
下图是 S3C2440 中 4 个脚位状态的定义：

K9F1208 的一页是 512byte，所以NCON接低电平，GPG13 接高电平。 K9F1208 需要4 个寻址命令，所以 GPG14 接高电平 K9F1208 的位宽是 8，所以 GPG15 接低电平。 NAND FLASH寻址 对 K9F1208 来说，地址和命令只能在 I/O[7:0]上传递，数据宽度是 8 位。
地址传递分为 4 步，如下图：

第 1 步发送列地址，既选中一页 512BYTE中的一个字节。512byte需要 9bit 来选择，这里只用了 A0-A7，原因是把一页分成了2 部分，每部分 256字节。通过
发送的读命令字来确定是读的前 256 字节还是后 256 字节。 当要读取的起始地址（Column Address）在 0~255内时我们用 00h 命令，当读取的起始地址是在 256~511 时，则使用 01h 命令。 一个块有 32 页，用 A9-A13共5位来选择一个块中的某个页。 总共有 4096 个块，用 A14-A25 共12 位来选择一个块。K9F1208 总共有64Mbyte，需要A0-A25 共 26 个地址位。

例如要读 NAND FLASH的第5000字节开始的内容。 把 5000 分解成列地址和行地址。Column_address = 5000%512 = 392     Page_address  = (5000>>9) = 9
因为 column_address>255,所以用01h命令读发送命令和参数的顺序是：
NFCMMD = 0x01;     从后 256 字节开始读 NFADDR = column_address & 0xff;      取 column_address的低 8 位送到数据线
NFADDR = page_address & 0xff;发送A9-A16
NFADDR = (page_address >>8) & 0xff; 发送 A17-A24
NFADDR = (page_address >> 16) & 0xff;发送 A25
上面的 NFCMMD,NFADDR.是 S3C2440的 NAND FLASH 控制寄存器。读取的数据会放在NFDATA 中。