S3C2440 NAND Flash的使用

来源：互联网发布：葫芦娃爷爷阴谋知乎编辑：程序博客网时间：2024/05/16 12:52

1、基本知识: NAND flash：速度快，擦写5ms内；位翻转概率较大，为10%左右；容量大，块容量在8K以上，擦写次数较多；接口为IO接口; NOR flash：速度慢，擦除5S时间；位翻转概率小于NAND flash；容量较小，块容量在64K以上，擦写次数没有NAND flash多；接口为RAM接口，可以直接运行程序
2、注意事项: 2.1：在每次写操作之前需要进行擦除操作
2.1：使用前扫描坏块，不再使用
3、容量关系: 1页 = 512 + 16字节
1块 = 512B * 32页
= （16K + 512）字节
1个器件 = 4096块 = 528M; 不同的flash有不一样的页块大小，对于K9F2G08U0C来说

1页 = 2K
1块 = 128K = 64页
冗余区大小 = 512 * 16 byte
一个器件两层
一层 = 1GB = 8块
4、一次传输: 4.1：传命令检查状态
4.2：传地址检查状态
4.3：传数据检查状态
5、NAND flash interface（基本接口）: RnB : 就绪/忙输出信号 \Busy
\nFRE: 读使能
\nFCE: 芯片使能
CLE : 命令锁存使能
ALE : 地址锁存使能
\nFWE: 写使能
DATA[0~7]: 数据输入输出; 扩展
\WP : 写保护
6、关于时间: 寄存器NFCONF的 TACLS = setup time
TWRPH0 = WE High to Busy
TWRPH1 = Hold time
7、关于位地址操作: 由于本板子上的nand flash标写的是八位的，而技术手册上明确表示
8位、2048bit、5 cycle address的取址操作是A0-A7 A8-A11 A12-A19 A20-A27 A28
16位、2048bit、5 cycle address的取址操作是A0-A7 A8-A10 A11-A18 A19-A26 A27; 但是在本板子上实验的结果是按16位的可以正确索引到地址，而按8位的反而不能找到地址了，而韦东山的程序也是按照16位的，并且还多出了A28，暂且在此认为是硬件的问题
8、NAND flash 的操作步骤: 8.1、NFCONF寄存器的配置：主要是关于时序的问题，板子上集成的nand flash 模块可以发出特定的时序，只需要简单的配置一下时间，
具体可以参照NAND flash 对应的技术手册。
8.2、NFCONT寄存器的配置：主要关注的是使能ECC，关闭片选，类似于LCD1602的配置方式，其中有些位是由外部引脚的状态所决定的，
具体可以参照S3C2440技术手册的NAND flash控制章节。
8.3、复位：复位指令0xFF，需要先片选，等待操作成功，取消片选
指令的下达，有关操作可以参照NAND flash的控制步骤

Tips: 用define的时候一定要在后面加上括号
例如：#define S3C2440_NAND ((S3C2440_NAND_FLASH *)0x4E000000)
形如：#define S3C2440_NAND (S3C2440_NAND_FLASH *)0x4E000000 是错误的

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