模拟电子技术和数字电子技术

模拟电子技术

1）在形成PN结的过程中，扩散运动形成内电场，内电场的方向与P区多子（空穴）移动方向相反，与N区多子（自由电子）移动方向相同。

      内电场抑制扩散运动，形成内电场后，在内电场的作用下，少子进行漂移运动，少子漂移运动方向是N区少子（空穴）向P区运动，P区少子（自由电子）向N区运动，

      内电场增强漂移运动。

      PN结处于平衡状态的少子称为平衡少子，PN结处于正向偏置时，P区扩散到N区得空穴和N区扩散到P区得自由电子称为非平衡少子。

2）PN结外加正向电压，加剧扩散运动，抑制漂移运动，扩散运动的持续导致PN结导通，形成扩散电流。

      PN结外加反向电压，加剧漂移运动，抑制扩散运动，漂移运动产生漂移电流，但即使所有的少子都参与漂移运动，产生的电流也很小，故可认为PN结截止。

3）反向击穿，高掺杂时齐纳击穿，低掺杂时雪崩击穿。

4）PN结的势垒电容Cb与所加电压的关系，加正向电压时候，Cb随着所加电压的增大指数增大，加反向电压时，Cb随着所加电压的增大而指数级减少。

      PN结的扩散电容Cd

     PN结电容大小为Cj=Cb+Cd

 

                                                         

5) 晶体管三个工作区域

     截止区：发射结电压小于开启电压，且集电结反向偏置。

     放大区：发射结正向偏置并大于开启电压，集电结反向偏置。

     饱和区：发射结集电结均处于正向偏置。

     NPN型晶体管:

            截止区：Ube<Uon  Ucb>=0

            放大区：Ube>Uon  Ucb>=0

            饱和区：Ube>Uon  Ucb<0

     PNP型晶体管：

            截止区：Ueb<Uon  Ubc>=0

            放大区：Ueb>Uon  Ubc>=0

           饱和区：Ueb>Uon  Ubc<0

6)场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
不但具有双极型晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且输入回路的内阻高达千兆到千亿欧姆,噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强。

场效应管分为结型和绝缘栅行两种。结型场效应管有N沟道和P沟道两种，

栅极g,漏极d，源极s,

7）能够控制能量的元件称为有源元件，

      在电子电路中起连接作用的电容称为耦合电容，作用隔离直流，通过交流。

      利用电容连接电路称为阻容耦合。

                                  阻容耦合共射放大电路，此图中输入电压与输出电压反向