IR drop的危害
来源:互联网 发布:美国gdp数据公布 编辑:程序博客网 时间:2024/05/10 21:49
IR drop的危害
因为U=IR,所以IR-drop顾名思义就是压降。其危害有:1。性能(performance) 由管子的Tdelay=c/u可知,电压降低,门的开关速度越慢,性能越差。 2。功能(function) 实际上在极端的情况下甚至功能也会受影响的。在深亚微米下,如果Power/Ground network做的也很差,然后碰上了很不好的case,IR drop会很大,如果用的是high Vt的process,则DC noise margin就比较小了。这样就有可能功能错误。 3。功耗(power) 如果没有做详细的IR drop分析,又想功能正确,那就只有留很大的margin了,本来1.2v可以跑的,也只能用1.5v了。但是这样功耗也就上去了。 4。面积(area) 如果要在一定程度上限制IR drop,就要在chip里面加上很多的decoupling capacitance.占用了很多面积。 5。成本(cost) 功耗上去了,响应的散热,封装都成了问题,需要额外花费啦。而且面积变大,也是钱啊~~ 所以,IR drop还是一个比较讨厌的问题,需要小心对待。
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