随机访问存储器
来源:互联网 发布:ac尼尔森数据报告 编辑:程序博客网 时间:2024/06/05 05:48
随机访问存储器:动态的和静态的
静态的比动态的更快
SRAM:作为高速缓存存储器,可以在CPU芯片上,可以在片下
DRAM:作为主存以及图形系统的帧缓冲区
静态RAM:
SRAM:将每个位存储在一个双稳态的存储单元中
该单元用一个六晶体电路来实现的,无限期的保持在两个不同电压配置或者状态之一
动态RAM:
DRAM:对每一个存储为对一个电容充电
抗干扰能力很差
很多原因会导致漏电,存储器系统必须周期性的读出,然后重写来刷新存储器的每一位
传统的DRAM
DRAM芯片中单元被分为d个超单元,每个超单元由w个DRAM单元组成,一个d*w的DRAM总共有dw位信息
DRAM芯片连接在存储控制器的电路上,电路一次可以传出传入w位,为了读出(i,j)超单元的内容,先将行地址i发送到DRAM,再将j发送到DRAM
若想在DRAM读出超单元(2,1),如图所示先讲第二行所有的数据都读出来保存在内部行缓冲区中,接下来存储器控制器发送列地址1,读出超单元(2,1)中的8位
二维阵列组织的缺点是必须分两步发送地址,增加了访问的时间
存储器模块
DRAM芯片包装在存储器模块中,插在主板的扩展槽上
DIMM:双列直插存储器模块,以64位为块传送数据到存储控制器,168个引脚
SIMM:单列直插存储器模块,以32位为块传送数据到存储控制器,72个引脚
非易失性存储器
非易失存储器:只读存储器
- PROM,只能被编程一次
- ROM,可擦写,可编程
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