电容倍乘器【转自阿莫论坛】
来源:互联网 发布:不同平台软件移植 编辑:程序博客网 时间:2024/04/27 22:11
前段时间看到一个新名词——“电容倍乘器”(Capacitor Multiplicator),网上搜索后发现,原来这个各电路就是自己已经比较熟悉的——射极跟随器低通滤波器,如图1。
原来它还有这样一个名字。这个电路在功放电路中出现的较多,我也是最先在某功放电路中知道的。可是根据我的分析,它并没有对电容倍乘啊?。。。
现在来分析一下这个小电路。
图1是在图2所示的RC低通滤波器基础上增加了一级射极跟随器,将它看成两条通路——输入-->Q1集射极-->输出;输入-->R1、C1-->Q1发射结-->输出。其中起低通滤波作用的是R1、C1网络,Q1实现电压跟随,且其集射极通路提供输入到输出的大电流通路,这就说明转折频率是1/(2*pi*R1*C1),增大的电容在哪里呢,接着往下看。
图2所示RC低通滤波器的转折频率为1/(2*pi*R1*C1),增大时间常数R1C1就可以得到更低的转折频率。可是,当需要流过R1的电流较大时,增大R1也就增大了损耗;增大电容,这不是我们希望的。
再来看图1,低频大电流不从电阻流过,而是流过Q1。R1为Q1提供直流偏置,电流为很小的Q1基极电流,Q1的损耗与适当的R1值关系不大。
这样看来,图1与图2相比,其实并没有改变电容的值,只是可以在不增大损耗的同时增大电阻,这样就可得到更低的转折频率。也就是图1中的R1可以比图2中R1大很多而不会造成其他坏的影响。R1增大,对于时间常数R1C1,也就相当于增大C1,这或许就是“倍乘”?
可是有些文档上说,电容的倍乘为三极管的beta值,这个是怎么来的呢?从以上的分析上看,得不到这个结果。需要从小信号建模、频率响应计算来推导吗?这个先不说,看看仿真(仿真环境Pspice)。
图3中,定义R1的值为全局变量rr,R2的值固定不变,E1是一个电压控制电压源,用于隔离负载。
图4是rr=1k,四条曲线是重合的,转折频率如下:
这表示,电阻不变时,电容并没有“倍乘”。再来看看改变R1的情况。
图5是对rr参数扫描的结果,这已经说明问题了,转折频率的改变其实是通过增大电阻来实现的,等效于电阻不变而加大了电容。
再看一个含运放的电路,如图6。
运放构成跟随器,这个电路和图1所示电路原理类似,只是现在电流从电阻R2经过。
做个简单的分析,运放同相输入端电压为vo,则vo/vin=1/(s*R1*C1+1),即R1C1低通的频率响应。
i1=(vin-vo)/R2
i2=(vin-vo)/R1
iin=i1+i2
可解得 vin/iin=R1*R2/(R1+R2)+1/(s*(1+R1/r2)*C1)。
也就是从vin看进去是一个电阻和电容的串联,电阻值是R1、R2的并联阻值,电容值是C1乘以(1+R1/R2),乍一看电容增加了。可是,若把这个电阻电容串联看成一个低通滤波器,那么其时间常数为[R1*R2/(R1+R2)]*[ (1+R1/r2)*C1]=R1*C1,没有改变。
那这个电路是怎么实现电容“倍乘”的呢?和前一个一样,只需增大电阻值,并让电流“改道”,从R2经过。
这样的话,R2岂不是越小越好?
我是这样认为的,可能有些情况下需要限流,或者某些情况RC低通电路的这个电阻一定要,并且要在不改变此阻值的情况下降低转折频率。
引申:因为电流从R2流过,所以若要将低通滤波器看成是R2和电容Ceq提供的话,那就有:
Fc=1/(2*pi*R2*Ceq)=1/(2*pi*R1*C1)=1/[2*pi*R2*(R1/R2)*C1]
即Ceq=C1*R1/R2
仿真如下,仅为说明原理,图7中用一个电压控制电压源E1代替运放。
图8是R1固定为1k,对R2参数扫描,结果看到,响应与R2无关,也就是起滤波作用的还是R1C1,R2只是起电流流通的作用。
图9所示为R2固定为1k,对R1参数扫描,证实了转折频率仅与R1C1有关。
注:以上并没有考虑运放本身的带宽问题。
结论:电容倍乘其实是相对基本RC低通电路(图2)来说,只是转移电阻,并另行提供一条电流通路,这样就可以加大电阻而不担心功耗,实质还是在原来RC的基础之上增大了电阻。
原来它还有这样一个名字。这个电路在功放电路中出现的较多,我也是最先在某功放电路中知道的。可是根据我的分析,它并没有对电容倍乘啊?。。。
现在来分析一下这个小电路。
图1是在图2所示的RC低通滤波器基础上增加了一级射极跟随器,将它看成两条通路——输入-->Q1集射极-->输出;输入-->R1、C1-->Q1发射结-->输出。其中起低通滤波作用的是R1、C1网络,Q1实现电压跟随,且其集射极通路提供输入到输出的大电流通路,这就说明转折频率是1/(2*pi*R1*C1),增大的电容在哪里呢,接着往下看。
图2所示RC低通滤波器的转折频率为1/(2*pi*R1*C1),增大时间常数R1C1就可以得到更低的转折频率。可是,当需要流过R1的电流较大时,增大R1也就增大了损耗;增大电容,这不是我们希望的。
再来看图1,低频大电流不从电阻流过,而是流过Q1。R1为Q1提供直流偏置,电流为很小的Q1基极电流,Q1的损耗与适当的R1值关系不大。
这样看来,图1与图2相比,其实并没有改变电容的值,只是可以在不增大损耗的同时增大电阻,这样就可得到更低的转折频率。也就是图1中的R1可以比图2中R1大很多而不会造成其他坏的影响。R1增大,对于时间常数R1C1,也就相当于增大C1,这或许就是“倍乘”?
可是有些文档上说,电容的倍乘为三极管的beta值,这个是怎么来的呢?从以上的分析上看,得不到这个结果。需要从小信号建模、频率响应计算来推导吗?这个先不说,看看仿真(仿真环境Pspice)。
图3中,定义R1的值为全局变量rr,R2的值固定不变,E1是一个电压控制电压源,用于隔离负载。
图4是rr=1k,四条曲线是重合的,转折频率如下:
这表示,电阻不变时,电容并没有“倍乘”。再来看看改变R1的情况。
图5是对rr参数扫描的结果,这已经说明问题了,转折频率的改变其实是通过增大电阻来实现的,等效于电阻不变而加大了电容。
再看一个含运放的电路,如图6。
运放构成跟随器,这个电路和图1所示电路原理类似,只是现在电流从电阻R2经过。
做个简单的分析,运放同相输入端电压为vo,则vo/vin=1/(s*R1*C1+1),即R1C1低通的频率响应。
i1=(vin-vo)/R2
i2=(vin-vo)/R1
iin=i1+i2
可解得 vin/iin=R1*R2/(R1+R2)+1/(s*(1+R1/r2)*C1)。
也就是从vin看进去是一个电阻和电容的串联,电阻值是R1、R2的并联阻值,电容值是C1乘以(1+R1/R2),乍一看电容增加了。可是,若把这个电阻电容串联看成一个低通滤波器,那么其时间常数为[R1*R2/(R1+R2)]*[ (1+R1/r2)*C1]=R1*C1,没有改变。
那这个电路是怎么实现电容“倍乘”的呢?和前一个一样,只需增大电阻值,并让电流“改道”,从R2经过。
这样的话,R2岂不是越小越好?
我是这样认为的,可能有些情况下需要限流,或者某些情况RC低通电路的这个电阻一定要,并且要在不改变此阻值的情况下降低转折频率。
引申:因为电流从R2流过,所以若要将低通滤波器看成是R2和电容Ceq提供的话,那就有:
Fc=1/(2*pi*R2*Ceq)=1/(2*pi*R1*C1)=1/[2*pi*R2*(R1/R2)*C1]
即Ceq=C1*R1/R2
仿真如下,仅为说明原理,图7中用一个电压控制电压源E1代替运放。
图8是R1固定为1k,对R2参数扫描,结果看到,响应与R2无关,也就是起滤波作用的还是R1C1,R2只是起电流流通的作用。
图9所示为R2固定为1k,对R1参数扫描,证实了转折频率仅与R1C1有关。
注:以上并没有考虑运放本身的带宽问题。
结论:电容倍乘其实是相对基本RC低通电路(图2)来说,只是转移电阻,并另行提供一条电流通路,这样就可以加大电阻而不担心功耗,实质还是在原来RC的基础之上增大了电阻。
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