内存技术

一、

什么是内存Bank？

Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。我们知道，一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片组支持4个Bank，而SiS的645系列芯片组则能支持6个Bank。如果主板只支持4个Bank，而我们却用6个Bank的话，那多余的2个Bank就白白地浪费了。

 也许有人这么认为，单面的内存即为1个Bank，双面的内存为2个Bank。这种说法是很片面的，因为单面的内存为一个Bank是正确的，但说双面的内存是2个Bank却是不对的。如现在很流行的DDR SDRAM就不一定。那如何正确区分呢？

方法如下：

 开机后的第二个画面可查看到内存的Bank信息，图为双Bank的SDRAM内存.用最小化系统启动计算机，即只采用主板、CPU、内存和显卡。在开机后的第二个画面（如图）按键盘上的“Pause”键暂停，如果内存是SDRAM，我们会看到： 

sdram at bank：0 此为单bank ,
sdram at bank：0，1 此为双bank . 

如内存是DDR SDRAM，我们则会看到： 

ddr sdram at bank：0 此为单bank
ddr sdram at bank：0，1 此为双bank 

简单吧，这下我们就可以根据主板量体裁衣了，而不必担心花冤枉钱买多余的内存了。

目前市场上的主流主板大都支持4?6个Bank，对于Intel 82845这种支持4个Bank的芯片组来说，我们在选购内存时就要多加一分留意。因为现在很多内存都是双Bank的，这意味着在Intel 82845芯片组上我们最多只能使用两条这样的内存，多了芯片组将无法识别。这里叮当建议大家最好根据自己的主板所提供的内存插槽数目来选购内存，如果您的主板只提供了两个内存插槽，那就不必为内存是单Bank还是双Bank而担心了。而如果您的主板提供了4个内存插槽（同一种规格），那么应该尽量购买单Bank或大容量双Bank的内存，以免给日后升级留下不必要的麻烦。 

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二、

电脑硬件参数知识内存篇

看参数识内存 

有了内存芯片，再加上不太复杂的工艺制造，许多稍有实力的厂家就可生产出成品的内存来了，除此而外，大家无论是在选购或使用内存时还应了解。

1.工作频率

内存的工作频率即该内存的标准规范。例如PC100标准的内存频率是100MHz，PC133的频率是133MHz。而DDR内存它是在SDRAM内存基础上发展起来的，由于它是在同频的SDRAM的基础上的数据双倍传送，那么它的带宽就比同频的SDRAM多一倍，例如DDR266内存它以133MHz运行时其实际工作频率就是266MHz，带宽就是2.1GB/S。 

如果你要买一根DDR333的内存，商家却拿了一根DDR266的给你，比较简单可行的辨别办法是，可从DDR内存的存取时间上来了解，例如-7和-7.5纳秒的一般为DDR266的内存，-6纳秒的一般为DDR333的内存，-5纳秒一般为DDR400内存。 

而DDR的后续标准DDRII同DDR相比更加先进，它在DDR数据双倍传送的基础上发展成为数据四倍传送，比DDR又快了一倍！如果同样运行在133MHz的外频下，其工作频率为532MHz/S，它的带宽就可达4.2GB/S。

2.CAS值

大家知道，内存有个CAS(Column Address Strobe，列地址选通脉冲)延迟时间，内存在存储信息时就象一个大表格一样，通过行(Column)和列(Row)来为所有存储在内存里的信息定位，CL就是指要多少个时钟周期后才能找到相应的位置。

对于SDRAM而言一般有2和3两个值选择，而DDR内存可分为2和2.5两种。CAS值越小越好，也就是说DDR内存值为2的产品性能要好于2.5的产品，如果你需要的是CAS值为2的产品，那么大家在选择时要注意JS用2.5的产品做2的产品来卖给大家(可实际使用或用内存测试软件进行测试)。

3.内存的标示常识

此外，了解一些DDR内存芯片的编号知识也能让大家更深的了解DDR内存。下面我们就以最常见的HY的DDR内存为例为大家做一讲解： 

HY XX X XX XX XX X X X X X-XX 

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

1：代表HY的厂标

2：为内存芯片类型—5D：DDR SDRAMS 

3：工艺与工作电压—V：CMOS，3.3V；U:CMOS，2.5V

4：芯片容量和刷新速率—64:64MB，4kref；66:64MB，2kref；28:128MB，4kref；56:256MB，8kref；12 :512MB，8kref

5: 芯片结构(数据宽度)—4：X4(数据宽度4bit)；8:x8；16:x16；32:x32

6：BANK数量—1:2BANKs；2:4BANKs 

7：I/O界面—1:SSTL_3；2:SSTL_2 

8：芯片内核版本—空白:第一代；A:第二代；B:第三代；C:第四代

9：能量等级—空白:普通；L:低能耗

10：封装形式—T:TSOP；Q:TQFP；L:CSP(LF-CSP)；F:FBGA

11：工作速度—33:300MHz；4:250MHz；43:233MHz；45:222MHz；5:200MHz；55:183MHz；K:DDR266A；H:DDR266B；L:DDR200

三、双通道内存技术

支持双通道DDR内存技术的台式机芯片组，英特尔平台方面有英特尔的865P、865G、865GV、865PE、875P以及之后的915、925系列；VIA的PT880，ATI的Radeon 9100 IGP系列，SIS的SIIS 655，SIS 655FX和SIS 655TX；AMD平台方面则有VIA的KT880，NVIDIA的nForce2 Ultra 400，nForce2 IGP，nForce2 SPP及其以后的芯片。 

AMD的64位CPU，由于集成了内存控制器，因此是否支持内存双通道看CPU就可以。目前AMD的台式机CPU，只有939接口的才支持内存双通道，754接口的不支持内存双通道。除了AMD的64位CPU，其他计算机是否可以支持内存双通道主要取决于主板芯片组，支持双通道的芯片组上边有描述，也可以查看主板芯片组资料。此外有些芯片组在理论上支持不同容量的内存条实现双通道，不过实际还是建议尽量使用参数一致的两条内存条。

内存双通道一般要求按主板上内存插槽的颜色成对使用，此外有些主板还要在BIOS做一下设置，一般主板说明书会有说明。当系统已经实现双通道后，有些主板在开机自检时会有提示，可以仔细看看。由于自检速度比较快，所以可能看不到。因此可以用一些软件查看，很多软件都可以检查，比如cpu-z，比较小巧。在“memory”这一项中有“channels”项目，如果这里显示“Dual”这样的字，就表示已经实现了双通道。两条256M的内存构成双通道效果会比一条512M的内存效果好，因为一条内存无法构成双通道。 

　　双通道内存技术是解决CPU总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。现在CPU的FSB（前端总线频率）越来越高，英特尔 Pentium 4比AMD Athlon XP对内存带宽具有高得多的需求。英特尔 Pentium 4处理器与北桥芯片的数据传输采用QDR（Quad Data Rate，四次数据传输）技术，其FSB是外频的4倍。英特尔 Pentium 4的FSB分别是400、533、800MHz，总线带宽分别是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的内存带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在单通道内存模式下，DDR内存无法提供CPU所需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。而在双通道内存模式下，双通道DDR 266、DDR 333、DDR 400所能提供的内存带宽分别是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在这里可以看到，双通道DDR 400内存刚好可以满足800MHz FSB Pentium 4处理器的带宽需求。而对AMD Athlon XP平台而言，其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用DDR（Double Data Rate，双倍数据传输）技术，FSB是外频的2倍，其对内存带宽的需求远远低于英特尔 Pentium 4平台，其FSB分别为266、333、400MHz，总线带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用单通道的DDR 266、DDR 333、DDR 400就能满足其带宽需求，所以在AMD K7平台上使用双通道DDR内存技术，可说是收效不多，性能提高并不如英特尔平台那样明显，对性能影响最明显的还是采用集成显示芯片的整合型主板。

双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。在几年前，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组，它与RDRAM内存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点，但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况，最后被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对RDRAM的支持，所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DDR内存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔 865、875系列，而AMD方面则是NVIDIA Nforce2系列。

　　NVIDIA推出的nForce芯片组是第一个把DDR内存接口扩展为128-bit的芯片组，随后英特尔在它的E7500服务器主板芯片组上也使用了这种双通道DDR内存技术，SiS和VIA也纷纷响应，积极研发这项可使DDR内存带宽成倍增长的技术。但是，由于种种原因，要实现这种双通道DDR（128 bit的并行内存接口）传输对于众多芯片组厂商来说绝非易事。DDR SDRAM内存和RDRAM内存完全不同，后者有着高延时的特性并且为串行传输方式，这些特性决定了设计一款支持双通道RDRAM内存芯片组的难度和成本都不算太高。但DDR SDRAM内存却有着自身局限性，它本身是低延时特性的，采用的是并行传输模式，还有最重要的一点：当DDR SDRAM工作频率高于400MHz时，其信号波形往往会出现失真问题，这些都为设计一款支持双通道DDR内存系统的芯片组带来不小的难度，芯片组的制造成本也会相应地提高，这些因素都制约着这项内存控制技术的发展。 

　　普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器，而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器，在双通道模式下具有128bit的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上来说，两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器，一个为A、另一个为B。当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让等待时间缩减50%。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的DIMM内存条，此时双通道DDR简单地调整到最低的内存标准来实现128bit带宽，允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。

四、如何辨别内存真假

然金士顿内存常年被假货困扰，但是依然是内存行业的销量冠军，这说明大多数消费者还是认可金士顿内存的兼容性和稳定性。但是用户在购买内存的时候一定要用笔者上述的方法仔细鉴定一番，然后在通过网上或者短信查询方式鉴别，这样购买到假货的几率就会大大减少。如果能够直接去金士顿指定商家购买产品的话，那么就更放心了。 

那么究竟如何识别金士顿假内存呢?下面就通过最直观的对比让你放心大胆的去买电脑内存. 

　　金士顿内存可以说是内存行业的龙头老大，销量年年第一，而这也招来了造假者的贪婪目光。虽然金士顿将内存改为窄板设计，但是很快市场就出现了假货，可谓神速。下面笔者就通过真实照片来给大家讲解一下如何辨别，请看下图。 

  
芯片颗粒对比

　　下图真品内存为之前笔者拍的金士顿2GB/667笔记本内存颗粒特写，采用和假金士顿内存同样的尔必达颗粒，从图中可以清晰看出，真品内存颗粒印刷清晰，而假内存的颗粒则非常暗淡，对比非常鲜明。 

　　PS：其实对于一款内存来说，PCB电路板仅占内存成本的百分之十以内，而颗粒价格才是真正的“大头”。所以通常PCB基本均为正规代工厂制造，而颗粒则采用行话里的“白片”，就是业内所说的次品颗粒，价格非常便宜，但稳定性和兼容性很差。 

细节处对比（真品）

　　从上面图中可以看出两处破绽，其中第一处就是金士顿R型商标的微缩字体印刷，在注册商标“R”的周围应该清楚印着KINGSTON英文，这里由于笔者的相机缘故不能清晰显示出来，不过对照假内存胡乱瞎画而言已经清晰很多了。 

细节处对比（假货） 

　　另外一点，请仔细看标签内部的水印，假内存水印和KINGSTON字体衔接处都有明显的痕迹，明显是后印上去的，这点在真金士顿内存中是不会发现的。

五、什么叫金手指

内存处理单元的所有数据流、电子流正是通过金手指与内存插槽的接触与PC系统进行交换，是内存的输出输入端口，因此其制作工艺对于内存连接显得相当重要。

那么到底什么是内存的金手指呢?大家伙都经常听到这个词,但是可能对它还不是太了解吧.

内存的金手指（connecting finger）是内存条上与内存插槽之间的连接部件，所有的信号都是通过金手指进行传送的。金手指由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金而且导电触片排列如手指状，所以称为“金手指”。金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金的抗氧化性极强，而且传导性也很强。不过因为金昂贵的价格，目前较多的内存都采用镀锡来代替，从上个世纪90年代开始锡材料就开始普及，目前主板、内存和显卡等设备的“金手指”几乎都是采用的锡材料，只有部分高性能服务器/工作站的配件接触点才会继续采用镀金的做法，价格自然不菲。

六、解决内存不足

各位也许有这样的经历,电脑在使用当中突然出现"内存不足",打开的程序就忽然被强行关掉了,这是什么原因呢?下面就为你们解决这个问题.

　　所谓“内存不足”就是指在启动或运行DOS应用程序和Windows应用程序时，系统报“Out of memory"或“内存不足"的错误信息。“内存不足”是一种很常见的故障，运行DOS应用程序和Windows应用程序引起“内存不足”的原因不完全相同。

　　DOS下的内存不足

　　如果是在运行DOS应用程序时出现“ Out of memory”（内存不足）的故障，可按以下方法进行检查和处理：

　　1、检查系统是否提供对扩充内存的支持，必须保证CONFIG.SYS文件中的EMM386.EXE命令中含有RAM参数，关于RAM参数的设置请参考相关文章，这里就不述叙；

　　2、 如果故障仍存在，检查DOS内核程序与其它运行的应用程序是否兼容，某些程序是否占用了大量的常规内存，并作出相应的处理。

　　举个例子：一次我在运行WPS 时，屏幕显示“内存不够”，系统无法运行。考虑到在运行WPS之前曾执行过一些其它程序，可能是这些程序没有完全从内存中退出，于是重新启动，运行金山汉字系统，WPS 编辑软件仍无法进入，用DOS 6.22的Mem命令查看内存，仅剩200KB左右的空间，且CHLIB文件占用主内存达255KB，即字库放在了常规内存中，而金山系统是应该可以自动使用扩展内存存放字库的，查看系统配置情况，在CONFIG.SYS中设有： 

　　DEVICE=C：\DOS\HIMEM.SYS 

　　DOS=HIGH 

　　这就是说，DOS内核程序调入扩展内存后，虽然扩大了可用主内存空间，但是由于扩展内存与金山系统发生冲突，以致汉字库无法载入扩展内存。解决的办法有两种： 

　　1、去掉DOS=HIGH设置，将DOS内核程序从扩展内存撤出，即可正常运行。 

　　2、将“/DEVICE=C：\DOS\HIMEM.SYS"改为“/DEVICE=C：\DOS\HIMEM.SYS/INT15=320"，因金山系统使用的是扩展内存的低端，这一区域若有其它程序驻留，字库就不能正常载入，利用INT15参数给系统先预留出一部分传统的扩展存储器(即不由XMS规范管理而由INT15直接使用的扩展存储器)，字库和DOS内核都可使用扩展内存了，这样设置之后，在金山汉字系统状态下可用的主内存空间可达512KB，比不设置时多出250KB左右。