RAM,SRAM,DRAM,SDRAM,ROM,PROM,EPROM,EEPROM,NAND FLASH,NOR FLASH

（一）RAM,SRAM,DRAM,SDRAM都是RAM的一种，RAM为random access memory的缩写，断电数据丢失，通常作为数据存储器

          SRAM（static RAM）为静态随机存储器，它不需要刷新数据，不像动态随机存储器那样，每隔一段时间要刷新一次数据，是目前读写最快的存储设备；但是它集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器的缓存里面，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

          DRAM（dynamic RAM）为动态随机存储器，DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 （关机就会丢失数据）；

         SDRAM（Synchronous Dynamic RAM）为同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储序列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM；一般嵌入式产品用的内存都是SDRAM；

（二）PROM,EPROM,EEPROM都属于ROM，ROM为Read-Only Memory的简称，通常作为程序存储器

          PROM （Programmable Read-Only Memory）可编程只读存储器，也叫One-Time Programmable (OTP)ROM“一次可编程只读存储器”，是一种可以用程序操作的只读内存。最主要特征是只允许数据写入一次，如果数据烧入错误只能报废。

         EPROM：可擦除可编程存储器，这东西也比较古老了，是EEPROM的前身，在芯片的上面有个窗口，通过紫外线的照射来擦除数据。非常之麻烦。

         EEPROM：电可擦除可编只读存储器，比之EPROM就先进点了，可以用电来擦除里面对数据，也是现在用得比较多的存储器。

（三）NANDFLASH和NORFLASH都是现在用得比较多的非易失性闪存

        NOR采用的并行接口，其特点读取的速度比之NAND快很多倍，其程序可以直接在NOR里面运行。但是它的擦除速度比较慢，集成度低，成本高的。现在的NOR的容量一

般在2M左右，一般是用在代码量小的嵌入式产品方面

        NAND采用的是串行的接口，CPU从里面读取数据的速度很慢，所以一般用NAND做闪存的话就必须把NAND里面的数据先读到内存里面，然后CPU才能够执行。就跟电脑的

硬盘样的。但是它的集成度很高，一块256M的NAND还没有一块2M的NOR的一半大，所以成本很低。还有就是它的擦除速度也的NOR要快。要不然的话那就真的悲剧了，假如擦

除一块2M的NOR要一分钟，如果NAND的擦除速度比NOR还要慢，那擦除一块256M的NAND不是要几个小时。NAND一般是用在那些要跑大型的操作系统的嵌入式产品上面，比

如LINUX啊，WINCE啊。NOR可是可以跑，可以把LINUX操作系统剪裁到2M以内，一个产品难道只去跑系统吗？用户的应用程序呢！其实很多时候，一个嵌入式产品里面，操作

系统占的存储空间只是一小部分，大部分都是给用户跑应用程序的。就像电脑，硬盘都是几百G，可是WINDOWNS操作系统所占的空间也不过几G而已。